JPS6279673A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPS6279673A JPS6279673A JP22064585A JP22064585A JPS6279673A JP S6279673 A JPS6279673 A JP S6279673A JP 22064585 A JP22064585 A JP 22064585A JP 22064585 A JP22064585 A JP 22064585A JP S6279673 A JPS6279673 A JP S6279673A
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- JP
- Japan
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- layer
- type
- field effect
- effect transistor
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- Pending
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電界効果（−ランジスクに関するものであ
る。
る。
第２図は従来の電界効果トランジスタの一例としての砒
化ガリウム電界効果トランジスタｃ以下、Ｇ ａ Ａ
ｓ −Ｆ Ｅ ′Ｆと称する）を示す断面図である。
化ガリウム電界効果トランジスタｃ以下、Ｇ ａ Ａ
ｓ −Ｆ Ｅ ′Ｆと称する）を示す断面図である。
図において、（１）は半絶縁性ＧａＡｓ基板（以下、半
１色縁性基板と略記する） 、ｉ２１はこの半絶縁性Ｊ
、￥板！１１の工面の所要部分に形成されｆコｎ形動作
層、（３）はこのｎ形動体層（２）の表面上に形成され
たゲート電極、（６）および（７）はｎ形の高いキャリ
アノ農度を有するソース領域およびドレイン領域、（８
）および（９）はソース領域（６）およびドレイン領域
（７）の表面上に形成されたソース電極およびドレイン
電極である。
１色縁性基板と略記する） 、ｉ２１はこの半絶縁性Ｊ
、￥板！１１の工面の所要部分に形成されｆコｎ形動作
層、（３）はこのｎ形動体層（２）の表面上に形成され
たゲート電極、（６）および（７）はｎ形の高いキャリ
アノ農度を有するソース領域およびドレイン領域、（８
）および（９）はソース領域（６）およびドレイン領域
（７）の表面上に形成されたソース電極およびドレイン
電極である。
次に動作について説明する。ケート電極（３）に電圧を
印ＩＪ［］ してｎ形ｎ形層（２）と半絶縁性左板（１
１との間のｐｎ接合を逆バイアスすると、バイアス電圧
に応してゲート電極（３）の直下の空乏層が変化するの
で、ゲート電圧によってソース？ｉ！＋域（６）かろド
レイン領域（７）に向かう電子流を制御することができ
、ドレイン電流を制御できる。
印ＩＪ［］ してｎ形ｎ形層（２）と半絶縁性左板（１
１との間のｐｎ接合を逆バイアスすると、バイアス電圧
に応してゲート電極（３）の直下の空乏層が変化するの
で、ゲート電圧によってソース？ｉ！＋域（６）かろド
レイン領域（７）に向かう電子流を制御することができ
、ドレイン電流を制御できる。
従来の電界効果トランジスタは以上のように構成されて
いるので、ゲート長を短くすると電流がｎ形動体層（２
）から十寒色縁性基板（１）に浸み出して流れてしきい
値電圧が深くなる、いわゆる短チャンネル効果が生しる
という問題点あった。
いるので、ゲート長を短くすると電流がｎ形動体層（２
）から十寒色縁性基板（１）に浸み出して流れてしきい
値電圧が深くなる、いわゆる短チャンネル効果が生しる
という問題点あった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、短チャンネル効果を抑制して、しきい値電圧
の制御性が良い電界効果トランジスタを得ることを目的
とする。
たもので、短チャンネル効果を抑制して、しきい値電圧
の制御性が良い電界効果トランジスタを得ることを目的
とする。
この発明に係る電界効果トランジスタは、動作層とソー
ス領域およびドレイン領域との間に一導電形層を形成す
るとともに、この−！ｉ２電形層型彫位に反対導電形層
を形成するようにしたものである。
ス領域およびドレイン領域との間に一導電形層を形成す
るとともに、この−！ｉ２電形層型彫位に反対導電形層
を形成するようにしたものである。
この発明における電界効果トランジスタは、反対導電形
層によるビルトイン電圧によって、 ！型彫動作層から
半絶縁性基板への電流の浸出しを抑制できる。
層によるビルトイン電圧によって、 ！型彫動作層から
半絶縁性基板への電流の浸出しを抑制できる。
以下、この発明に係る電界効果トランジスタの一実施例
を図について説明する。第１図は、この発明を適用し１
こ電界効果トランジスタの一実施例としてのＧａ ７〜
５−ＦＥＴの断面図である。この実施例においては、上
記第２図に示した従来のＧａへ５−ＦＩ７．Ｔと同一ま
たは相当部分には同一符号を付している。（４）はｎ形
動体層（２）とソース領域（６）およびドレイン領域（
７）との間に形成されたｎ形層、（５）はｎ形層（４）
の直下に形成されたｐ形層である。
を図について説明する。第１図は、この発明を適用し１
こ電界効果トランジスタの一実施例としてのＧａ ７〜
５−ＦＥＴの断面図である。この実施例においては、上
記第２図に示した従来のＧａへ５−ＦＩ７．Ｔと同一ま
たは相当部分には同一符号を付している。（４）はｎ形
動体層（２）とソース領域（６）およびドレイン領域（
７）との間に形成されたｎ形層、（５）はｎ形層（４）
の直下に形成されたｐ形層である。
次に、このように構成された本実施例のＧａＡｓ−ＦＥ
Ｔの製造方法について説明する。
Ｔの製造方法について説明する。
まず、半絶縁性基板（１）の表面の所要部分に、イオン
注入法などによりｎ形動体層（２）を形成する。
注入法などによりｎ形動体層（２）を形成する。
次に、ｎ形動体層（２）の部分対応にＷ、Ｔａなどの耐
熱性を有するゲート電極（３）を選択的に形成し、この
ゲート電極（３）をマスクパターンにしてＳｉ。
熱性を有するゲート電極（３）を選択的に形成し、この
ゲート電極（３）をマスクパターンにしてＳｉ。
Ｂｅなどのイオン注入を行うことによってｎ形層（４）
およびｐ形層（５）をそれぞれ形成する。さらに、Ｓｉ
などのイオン注入によって半絶縁性基板（１）の表層
部のゲート電極（３）から離れた部分にｎ形の高イキャ
リア濃度を有するソース領域（６）およびドレイン領域
（７）を選択的に形成し、続いてこれらのソース印域（
６）およびドレイン領域（７）の表面上にソース電極（
８）およびドレイン電極（９）を選択的に形成する。
およびｐ形層（５）をそれぞれ形成する。さらに、Ｓｉ
などのイオン注入によって半絶縁性基板（１）の表層
部のゲート電極（３）から離れた部分にｎ形の高イキャ
リア濃度を有するソース領域（６）およびドレイン領域
（７）を選択的に形成し、続いてこれらのソース印域（
６）およびドレイン領域（７）の表面上にソース電極（
８）およびドレイン電極（９）を選択的に形成する。
以上のようにして製造された本実施例のＧａノ＼ｓ
Ｆ Ｅ Ｔでは、ｎ形動体層（２）から半絶縁性基Ｊｆ
ｉ＋１１への電流の浸出しが、ｐ形層（５）のビルトイ
ン電圧によって抑制される。一方、ｐ形層（５）はｎ形
動体層（２）から半絶縁性基板ｉｌ＋を介して離れてい
るので、ｐ形層（５）を形成したことによる寄生容量の
増加はほとんど無視できる程度に小さい。
Ｆ Ｅ Ｔでは、ｎ形動体層（２）から半絶縁性基Ｊｆ
ｉ＋１１への電流の浸出しが、ｐ形層（５）のビルトイ
ン電圧によって抑制される。一方、ｐ形層（５）はｎ形
動体層（２）から半絶縁性基板ｉｌ＋を介して離れてい
るので、ｐ形層（５）を形成したことによる寄生容量の
増加はほとんど無視できる程度に小さい。
したがって、この実施例のＧａＡｓ−ＦＥＴは、短チャ
ンネル効果を生ずることなしに、第２図に示した従来の
ＧａＡｓ−ＦＥＴと同様の動作を行うことができる。
ンネル効果を生ずることなしに、第２図に示した従来の
ＧａＡｓ−ＦＥＴと同様の動作を行うことができる。
なお、上記実施例では、Ｇａ−Ａ Ｓでなる電界効果ト
ランジスタの場合について説明したが、この発明はｌｎ
Ｐ、ＩｎＧａＡｓなどでなるその他の電界効果トランジ
スタの場合にも通用でき、同様の作用および効果が得ら
れることは勿論である。
ランジスタの場合について説明したが、この発明はｌｎ
Ｐ、ＩｎＧａＡｓなどでなるその他の電界効果トランジ
スタの場合にも通用でき、同様の作用および効果が得ら
れることは勿論である。
また、半絶縁性基板をｐ形、動作層をｎ形とじたが、極
性はそれぞれ反対であっても同様の効果を奏する。
性はそれぞれ反対であっても同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば−４型彫動作層とソー
ス領域およびドレイン領域との間に一導電形層を設け、
この一導電形層の直下に反対導電形層を設けるように構
成したので、反対導電形層のビルトイン電圧によって、
−町型彫動作層から半絶縁性基板に浸み出す電流を抑制
することができ、これによってしきい値電圧を再現性良
く制御することができる電界効果トランジスタが得られ
る効果がある。
ス領域およびドレイン領域との間に一導電形層を設け、
この一導電形層の直下に反対導電形層を設けるように構
成したので、反対導電形層のビルトイン電圧によって、
−町型彫動作層から半絶縁性基板に浸み出す電流を抑制
することができ、これによってしきい値電圧を再現性良
く制御することができる電界効果トランジスタが得られ
る効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による電界効果トランジス
タを示す断面図、第２図は従来の電界効果トランジスタ
を示す断面図である。 （１）は半絶縁性ＧａＡＳ基板（半絶縁性半導体基板）
、（２）はｎ形動体層（動作層）、（３）はゲート電極
、（４）はｎ形層（一導電形層） 、＋５１はｐ形層（
反対導電形層） 、＋６１はソース領域、（７）はドレ
イン領域、（８）はソース′工極、（９）はドレイン電
極。
タを示す断面図、第２図は従来の電界効果トランジスタ
を示す断面図である。 （１）は半絶縁性ＧａＡＳ基板（半絶縁性半導体基板）
、（２）はｎ形動体層（動作層）、（３）はゲート電極
、（４）はｎ形層（一導電形層） 、＋５１はｐ形層（
反対導電形層） 、＋６１はソース領域、（７）はドレ
イン領域、（８）はソース′工極、（９）はドレイン電
極。
Claims (1)
- 半絶縁性半導体基板の主面上に、ゲート、ソース、ドレ
インの各領域および動作層をそれぞれ形成した電界効果
トランジスタにおいて、前記動作層と前記ソース領域と
の間および前記動作層と前記ドレイン領域との間に設け
られた一導電形層と、この一導電形層の直下に設けられ
た反対導電形層とを備えたことを特徴とする電界効果ト
ランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22064585A JPS6279673A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22064585A JPS6279673A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6279673A true JPS6279673A (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=16754213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22064585A Pending JPS6279673A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6279673A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01208868A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01208869A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5672890A (en) * | 1994-09-14 | 1997-09-30 | Sumitomo Electric Industries | Field effect transistor with lightly doped drain regions |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6155973A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 電界効果トランジスタ構造とその製造方法 |
| JPS61110466A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-05-28 | Toshiba Corp | 電界効果型半導体装置及びその製造方法 |
| JPS61152078A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Hitachi Ltd | シヨツトキゲ−ト型ｆｅｔ |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP22064585A patent/JPS6279673A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6155973A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 電界効果トランジスタ構造とその製造方法 |
| JPS61110466A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-05-28 | Toshiba Corp | 電界効果型半導体装置及びその製造方法 |
| JPS61152078A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Hitachi Ltd | シヨツトキゲ−ト型ｆｅｔ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01208868A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01208869A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5672890A (en) * | 1994-09-14 | 1997-09-30 | Sumitomo Electric Industries | Field effect transistor with lightly doped drain regions |
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