JPH01264269A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
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- JPH01264269A JPH01264269A JP9154488A JP9154488A JPH01264269A JP H01264269 A JPH01264269 A JP H01264269A JP 9154488 A JP9154488 A JP 9154488A JP 9154488 A JP9154488 A JP 9154488A JP H01264269 A JPH01264269 A JP H01264269A
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電界効果トランジスタに係り、特に寄生抵抗の
少ない電界効果トランジスタの製造に好適な素子構造に
関する。
少ない電界効果トランジスタの製造に好適な素子構造に
関する。
従来の電界効果トランジスタとして、第３図に示した構
造が知られている。第３図において、１はＧ ａ Ａ
ｓ半絶縁性半導体基板、２はソース電極。
造が知られている。第３図において、１はＧ ａ Ａ
ｓ半絶縁性半導体基板、２はソース電極。
３はゲート電極、４はドレイン電極、５は能動層、６は
ソース電極２、ドレイン電極４との接触抵抗を小さくす
るための高濃度層、７は高濃度層６を取り除き希望の動
作電流値を得るためのりセス溝、８は裏面の接地電極で
ある 〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来技術は、ソース電極２と高濃度層６あるいはド
レイン電極４と高濃度層６の接触抵抗の低減について配
慮がされておらず、接触抵抗を低減するために接触面積
を大きくするとソース電極２あるいはドレイン電極４と
裏面電極８との間の静電容量が増加してしまい、高周波
における利得が低下してしまうといった問題があった。
ソース電極２、ドレイン電極４との接触抵抗を小さくす
るための高濃度層、７は高濃度層６を取り除き希望の動
作電流値を得るためのりセス溝、８は裏面の接地電極で
ある 〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来技術は、ソース電極２と高濃度層６あるいはド
レイン電極４と高濃度層６の接触抵抗の低減について配
慮がされておらず、接触抵抗を低減するために接触面積
を大きくするとソース電極２あるいはドレイン電極４と
裏面電極８との間の静電容量が増加してしまい、高周波
における利得が低下してしまうといった問題があった。
第４図は、第３図の構造による電界効果トランジスタの
高濃度層の厚さとＡＡ’間の寄生抵抗の関係を示したも
ので、前記第３図において、ソース電極２の幅Ｑ１は６
０μｍ、能動層５のキャリア濃度をＺ Ｘ Ｉ Ｑ １
７ａｍ−８，厚みａｌを０．１５μｍ。
高濃度層の厚さとＡＡ’間の寄生抵抗の関係を示したも
ので、前記第３図において、ソース電極２の幅Ｑ１は６
０μｍ、能動層５のキャリア濃度をＺ Ｘ Ｉ Ｑ １
７ａｍ−８，厚みａｌを０．１５μｍ。
ゲート電極３直下の能動層の厚みを０．１２ μｍ。
高濃度層６のキャリア濃度を２ Ｘ １０ ”ａｎ−’
とし、高濃度層６の厚みａ２を０．０５〜０．３μｍま
で変化させたものである。第４図に示したように、寄生
抵抗は２．５〜１．５Ωの範囲で変化していることがわ
かる。高濃度層６の厚みａ２が０．３μｍのとき、ソー
ス電極２と高濃度層６との接触抵抗は約０．３ Ω程
度で、寄生抵抗の約２０％を占めている。
とし、高濃度層６の厚みａ２を０．０５〜０．３μｍま
で変化させたものである。第４図に示したように、寄生
抵抗は２．５〜１．５Ωの範囲で変化していることがわ
かる。高濃度層６の厚みａ２が０．３μｍのとき、ソー
ス電極２と高濃度層６との接触抵抗は約０．３ Ω程
度で、寄生抵抗の約２０％を占めている。
本発明の目的は、電極と高濃度層の接触抵抗を小さくし
、利得の低下を少なくした構造の電界効果トランジスタ
を提供することにある。
、利得の低下を少なくした構造の電界効果トランジスタ
を提供することにある。
上記目的は、ソース電極直下にある高濃度層と。
ドレイン電極直下にある高濃度層にＶ形の溝を設けるこ
とにより達成される。
とにより達成される。
ソース、ドレイン各電極直下の高濃度層にＶ形の溝を設
け、その上に各電極を形成することは、各電極の平面的
な幅が同じであっても両者間の接触面積が増加する。そ
れによって、ソース電極と高濃度層、ドレイン電極４と
高濃度層との接触抵抗が減少し、ソース電極とゲート電
極直下の能動層までの寄生抵崎、ドレイン電極とゲート
電極直下の能動層までの寄生抵抗を低減することができ
るので、利得の低下を小さくすることができる。
け、その上に各電極を形成することは、各電極の平面的
な幅が同じであっても両者間の接触面積が増加する。そ
れによって、ソース電極と高濃度層、ドレイン電極４と
高濃度層との接触抵抗が減少し、ソース電極とゲート電
極直下の能動層までの寄生抵崎、ドレイン電極とゲート
電極直下の能動層までの寄生抵抗を低減することができ
るので、利得の低下を小さくすることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図において、１はＧａＡｓ半絶縁性半導体基板、２はソ
ース電極、３はゲート電極、４はドレイン電極、５は能
動層、６はソース電極２、ドレイン電極４との接触抵抗
を小さくするための高濃度層、７は高濃度層６を取り除
き、希望の動作電流値を得るためのりセス溝、８は裏面
の接地電極、９はソース電極２直下にある高濃度層６に
設けたＶ形溝、１０はドレイン電極４直下にある高濃度
層６に設けたＶ形溝である。電界効果トランジスタは、
ゲート電極３に加えられた信号によって、能動層５に生
じる空乏層が変化し、ドレイン電極４からソース電極２
に流れる電流が制御される。電流は、ドレイン電極４か
ら、ドレイン電極４とゲート電極３直下にある能動層５
との間の寄生抵抗、ゲート電極３直下にある能動層５、
ゲート電極３直下にある能動層５とソース電極２との間
の寄生抵抗を経由して、ソース電極２に流れる。
図において、１はＧａＡｓ半絶縁性半導体基板、２はソ
ース電極、３はゲート電極、４はドレイン電極、５は能
動層、６はソース電極２、ドレイン電極４との接触抵抗
を小さくするための高濃度層、７は高濃度層６を取り除
き、希望の動作電流値を得るためのりセス溝、８は裏面
の接地電極、９はソース電極２直下にある高濃度層６に
設けたＶ形溝、１０はドレイン電極４直下にある高濃度
層６に設けたＶ形溝である。電界効果トランジスタは、
ゲート電極３に加えられた信号によって、能動層５に生
じる空乏層が変化し、ドレイン電極４からソース電極２
に流れる電流が制御される。電流は、ドレイン電極４か
ら、ドレイン電極４とゲート電極３直下にある能動層５
との間の寄生抵抗、ゲート電極３直下にある能動層５、
ゲート電極３直下にある能動層５とソース電極２との間
の寄生抵抗を経由して、ソース電極２に流れる。
このため、特に、ソース電極２とゲート電極３直下にあ
る能動層５との間の寄生抵抗は、ゲート電極３の電位を
下げるため、利得を低下させる原因となっている。第２
図は、第１図に示した構造 ７の電界効果トランジスタ
におけるＶ形溝１０の数と接触抵抗の関係を示したもの
である。第１図において、ソース電極２の幅Ω工を６０
μｍ、高濃度層６のキャリア濃度を２ Ｘ １０１７ａ
＋＋−３，高濃度層６の厚みａ２を０．３μｍ、高濃度
層６に設けたＶ形溝１０の深さを０．１５ μｍとする
と、Ｖ形溝１０の数が２００で接触抵抗が約０．２
Ωとなる。
る能動層５との間の寄生抵抗は、ゲート電極３の電位を
下げるため、利得を低下させる原因となっている。第２
図は、第１図に示した構造 ７の電界効果トランジスタ
におけるＶ形溝１０の数と接触抵抗の関係を示したもの
である。第１図において、ソース電極２の幅Ω工を６０
μｍ、高濃度層６のキャリア濃度を２ Ｘ １０１７ａ
＋＋−３，高濃度層６の厚みａ２を０．３μｍ、高濃度
層６に設けたＶ形溝１０の深さを０．１５ μｍとする
と、Ｖ形溝１０の数が２００で接触抵抗が約０．２
Ωとなる。
本実施例によれば、ソース電極２と高濃度層６との接触
抵抗、ドレイン抵抗４と高濃度層６との接触抵抗を約３
０％低減する効果がある。
抵抗、ドレイン抵抗４と高濃度層６との接触抵抗を約３
０％低減する効果がある。
本発明によれば、各電極と高濃度層との接触抵抗を小さ
くできるので、利得低下の少ない電界効果トランジスタ
が実現でき、優れた効果がある。
くできるので、利得低下の少ない電界効果トランジスタ
が実現でき、優れた効果がある。
本発明によれば、各電極に近接した高濃度層の表面に欠
陥があっても除去することができるため各電極と高濃度
層との接触抵抗を小さくできる効果がある。
陥があっても除去することができるため各電極と高濃度
層との接触抵抗を小さくできる効果がある。
第１図は、本発明の電界効果トランジスタの断面構造図
、第２図は第１図の構造におけるｖＹ／溝の数と接触抵
抗の関係を示すグラフ、第３図は、従来の電界効果トラ
ンジスタの断面構造図、第４図は第３図の構造における
。高濃度層の厚みと寄生抵抗の関係を示すグラフである
６
、第２図は第１図の構造におけるｖＹ／溝の数と接触抵
抗の関係を示すグラフ、第３図は、従来の電界効果トラ
ンジスタの断面構造図、第４図は第３図の構造における
。高濃度層の厚みと寄生抵抗の関係を示すグラフである
６
Claims (1)
- １、ソース電極直下の高濃度層とドレイン電極直下の高
濃度層にＶ形の溝を複数個設け、それぞれ、ソース電極
とドレイン電極を形成したことを特徴とする電界効果ト
ランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9154488A JPH01264269A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9154488A JPH01264269A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01264269A true JPH01264269A (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=14029424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9154488A Pending JPH01264269A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01264269A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04275438A (ja) * | 1991-03-04 | 1992-10-01 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
| FR2720191A1 (fr) * | 1994-05-18 | 1995-11-24 | Michel Haond | Transistor à effet de champ à grille isolée, et procédé de fabrication correspondant. |
| JP2005129696A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9154488A patent/JPH01264269A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04275438A (ja) * | 1991-03-04 | 1992-10-01 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
| FR2720191A1 (fr) * | 1994-05-18 | 1995-11-24 | Michel Haond | Transistor à effet de champ à grille isolée, et procédé de fabrication correspondant. |
| JP2005129696A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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