JPH03165520A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH03165520A
JPH03165520A JP1305233A JP30523389A JPH03165520A JP H03165520 A JPH03165520 A JP H03165520A JP 1305233 A JP1305233 A JP 1305233A JP 30523389 A JP30523389 A JP 30523389A JP H03165520 A JPH03165520 A JP H03165520A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type
gate electrode
diffusion layer
type diffusion
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1305233A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Karasawa
唐澤　眞之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP1305233A priority Critical patent/JPH03165520A/ja
Publication of JPH03165520A publication Critical patent/JPH03165520A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野１ 本発明は半導体装置に関し、異極ゲート電極の接続方法
に関する。
〔従来の技術１ 従来の半導体装置においては、第２図に示すようにＰ型
ＭＯＳＦＥＴのＰ型ポリシリコンゲート電極（以下Ｐ型
ゲート電極と略す）とＮ型ＭＯＳＦＥＴのＮ型ポリシリ
コンゲート電極（以下Ｎ型ゲート電極と略す）とをゲー
ト電極上面の第１層目の配線層により接続していた。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、従来の技術ではＰ型ゲート電極とＮ型ゲート電
極とを第１層目の配線層により接続していた為、配線領
域の低減、または、チップ面積の増加という問題点があ
った。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、Ｐ
型ゲート電極とＮ型ゲート電極とが接続された半導体装
置の配線領域の拡大、または、チップ面積の縮小を目的
とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は。
ａ）ＭＯＳＦＥＴを用いた半導体集積回路において、 ｂ）Ｐ型ポリシリコンをゲート電極とするＰ型ＭＯＳＦ
ＥＴと、Ｎ型ポリシリコンをゲート電極とするＮ型ＭＯ
ＳＦＥＴとを有し、 ｃ）＋ｔｆｆ記Ｐ型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極と前記Ｎ
型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極とをゲート電極下面の導体
により接続したことを特徴とする。
〔実　施　例１ 第１図は本発明の半導体装置の実施例を示す断面図であ
る。第１図において１０１はＰ型ポリシリコンのゲート
電極、１０２はＮ型ポリシリコンのゲート電極、１０３
はポリシリコン等の導体。
１０４は絶縁層、１０５はＮ型拡散層、１０６はＰ型拡
散層、１０７はＰ型拡散層、１０８はＮ型拡散層を示し
、前記１０１，１０４，１０７．１０８によりＰ型ＭＯ
ＳＦＥＴを形成し、前記１０２．１０４．１０５．１０
６によりＮ型拡散層を形成する。前記Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ
のＰ型ゲート電極と前記Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのＮ型ゲート
電極とは前記１０３で示されるゲート電極下面の導体に
て接続されている。この為、第１図に示される通りＰ型
ゲート電極とＮ型ゲート電極とを第１層目の配線層によ
り接続されている従来例に比べ配線層領域は広く取れ、
または、チップ面積を小さくすることが出来る。
［発明の効果］ 以上に述べたように本発明によれば、Ｐ型ゲート電極と
Ｎ型ゲート電極とをゲート電極下面の導体により接続す
ることにより配線層領域を拡大することができる、また
は、チップ面積を縮小できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体装置の実施例を示す断面図。 第２図は従来例を示す断面図。 １０１・・・Ｐ型ゲート電極 １０２・・・Ｎ型ゲート電極 １０３・・・導体 １０４　・ １０５　　・ １０６　・ １０７　　・ １０８　・ ２０１　　・ 　０２ ２０３　・ ２０４　・ ２０５　・ ２０６　・ ２０７　・ ２０８　　・ ・絶縁膜 ・Ｎ型拡散層 ・Ｐ型拡散層 ・Ｐ型拡散層 ・Ｎ型拡散層 ・Ｐ型ゲート電極 ・Ｎ型ゲート電極 ・第１層目の配線層 ・絶縁膜 ・Ｎ型拡散層 ・Ｐ型拡散層 ・Ｐ型拡散層 ・Ｎ型拡散層

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ａ）絶縁ゲート電界効果トランジスタ（以下ＭＯＳＦＥ
    Ｔと略す）を用いた半導体集積回路において、 ｂ）Ｐ型ポリシリコンをゲート電極とするＰ型ＭＯＳＦ
    ＥＴと、Ｎ型ポリシリコンをゲート電極とするＮ型ＭＯ
    ＳＦＥＴとを有し、 ｃ）前記Ｐ型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極と前記Ｎ型ＭＯ
    ＳＦＥＴのゲート電極とをゲート電極下面の導体により
    接続したことを特徴とする半導体装置。
JP1305233A 1989-11-25 1989-11-25 半導体装置 Pending JPH03165520A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1305233A JPH03165520A (ja) 1989-11-25 1989-11-25 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1305233A JPH03165520A (ja) 1989-11-25 1989-11-25 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03165520A true JPH03165520A (ja) 1991-07-17

Family

ID=17942636

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1305233A Pending JPH03165520A (ja) 1989-11-25 1989-11-25 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03165520A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890003038A (ko) 페데스탈 구조를 가지는 반도체 제조 공정
KR930005257A (ko) 박막 전계효과 소자 및 그의 제조방법
JPS58192359A (ja) 半導体装置
JPH03165520A (ja) 半導体装置
JPH07142731A (ja) パワーデバイスおよびそれを形成するための方法
JPH061816B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH01111378A (ja) 縦型ｍｏｓ　ｆｅｔ
JPH0691250B2 (ja) 半導体装置
JP2642000B2 (ja) Ｍｏｓ集積回路装置
JPS63133662A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61170068A (ja) Ｍｏｓトランジスタ
JPH04370978A (ja) 量子効果型電界効果トランジスタ
JPH01235275A (ja) Ｍｏｓ型半導体装置
JPS63152168A (ja) 半導体装置
JPS61289658A (ja) 半導体集積回路
JPH01220865A (ja) 化合物半導体装置
JPH0493081A (ja) 半導体装置
JPS6220366A (ja) 半導体装置
JPH0369157A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH01155651A (ja) 半導体集積回路装置
JPH02164060A (ja) 半導体集積回路
JPS63234561A (ja) 半導体装置
JPH03116863A (ja) 半導体集積回路装置
JPS61268056A (ja) 半導体装置
JPS62130555A (ja) 半導体集積回路装置