KR960030447A - 쇼트키 접합을 포함하는 반도체 장치 - Google Patents

쇼트키 접합을 포함하는 반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960030447A
KR960030447A KR1019960000886A KR19960000886A KR960030447A KR 960030447 A KR960030447 A KR 960030447A KR 1019960000886 A KR1019960000886 A KR 1019960000886A KR 19960000886 A KR19960000886 A KR 19960000886A KR 960030447 A KR960030447 A KR 960030447A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor device
resistance layer
schottky
schottky electrode
active layer
Prior art date
Application number
KR1019960000886A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100198309B1 (ko
Inventor
다카시 마루카와
Original Assignee
무라따 야스따까
가부시끼가이샤 무라따 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 무라따 야스따까, 가부시끼가이샤 무라따 세이사꾸쇼 filed Critical 무라따 야스따까
Publication of KR960030447A publication Critical patent/KR960030447A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100198309B1 publication Critical patent/KR100198309B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
    • H01L29/66196—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices with an active layer made of a group 13/15 material
    • H01L29/66204—Diodes
    • H01L29/66212—Schottky diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
    • H01L21/28581—Deposition of Schottky electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/47—Schottky barrier electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66848—Unipolar field-effect transistors with a Schottky gate, i.e. MESFET
    • H01L29/66856—Unipolar field-effect transistors with a Schottky gate, i.e. MESFET with an active layer made of a group 13/15 material
    • H01L29/66863—Lateral single gate transistors
    • H01L29/66871—Processes wherein the final gate is made after the formation of the source and drain regions in the active layer, e.g. dummy-gate processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/872—Schottky diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 GaAs MESFET 또는 쇼트키 베리어 다이오드 등의 반도체 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 GaAs MESFET는 균일성과 신뢰도를 향상시킨 항복전압을 갖고 있다. 또, 본 발명에 따른 쇼트키 베리어 다이오는 균일성과 신뢰도가 향상된 순방향과 역방향 전류-전압 특성을 갖는다.
본 발명의 반도체 장치의 제조방법에서는 먼저, 화합물 반도체 기판 위에 n+활성층이 형성되고, 그 위에 소스 전극과 드레인 전극이 형성된다. 그런다음, n+활성층내의 소스전극과 드레인 전극 사이에 플라즈마 공정에 의해 고-저항층이 형성된다. 고-저항층은 0.6∼0.8eV의 표면상태를 갖는다. 활성층과 쇼트키 접합을 형성하는 쇼트키 전극은 고-저항층 위에 형성된다.

Description

쇼트키 접합을 포함하는 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(a)도∼제1(d)도는 본 발명의 구현예에 따른 첫번째 GaAs MESFE의 단면도이며, GaAs MESFET 제조 공정 순서를 보여준다.

Claims (15)

  1. 화합물 반도체 재료의 지판; 상기한 기판의 표면에 형성되어, 한 영역을 차지하는 활성층; 상기한 활성층과 쇼트키 접합을 형성하며, 상기한 활성층에 의해 차지된 상기한 영역의 적어도 일부분에 위치하는 쇼트키 전극; 및 상이한 활성층에 의해 차지된 상기한 영역의 적어도 일부분에 형성되고, 0.6∼0.8eV의 표면 상태를 갖고 고-저항층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 고-저항층은 비소-리치 결함에 의해 형성되는 것임을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서,상기한 비소-리치 결함은 플라즈마 공정에 의해 만들어지는 것임을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기한 비소-리치 결함은 1×1014㎝-3의 밀도를 가짐을 징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기한 반도체 장치가 GaAs 쇼트키 게이트 전계효과 트렌지스터(GaAs MESFET)인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기한 고-저항층은 상기한 쇼트키 전극 전체에 걸쳐 그 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기한 고-저항층은 상기한 쇼트키 전극 전체에 걸쳐 그 하부를 포함하는 상기한 전영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기한 반도체 장치가 쇼트키 베리어 다이오드인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기한 고-저항층은 상기한 쇼트키 전극 전체에 걸쳐 그 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기한 고-저항층은 상기한 쇼트키 전극의 외접부 위로 더 연장되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기한 고-저항층이 상기한 쇼트키 전극과 동일하게 연장되는 것임을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기한 고-저항층이 상기한 쇼트키 전극 외접부의 바로 외측 하부에 형성됨을 특징으로 하는 반도체 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기한 고-저항층이 상기한 쇼트키 전극의 상기한 외접부 바로 내측에도 형성됨을 특징으로 하는 반도체 장치.
  14. 화합물 반도체 재료의 기판을 형성하는 공정; 상기한 기판의 표면에 한 영역을 차지하도록 활성층을 형성하는 공정; 상기한 활성층과 쇼트키 접합을 형성하고, 상기한 활성층에 의해 차지된 상기한 영역의 적어도 일부분에 위치하도록 쇼트키 전극을 형성하는 공정; 및 상기한 활성층에 의해 차지된 상기한 영역의 적어도 일부분에, 0.6∼0.8eV의 표면 상태를 갖는 고-저항층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기한 고-저항층이 플라즈마 처리 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960000886A 1995-01-18 1996-01-17 쇼트키 접합을 포함하는 반도체 장치 KR100198309B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7-5869 1995-01-18
JP7005869A JP3058040B2 (ja) 1995-01-18 1995-01-18 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960030447A true KR960030447A (ko) 1996-08-17
KR100198309B1 KR100198309B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=11622952

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960000886A KR100198309B1 (ko) 1995-01-18 1996-01-17 쇼트키 접합을 포함하는 반도체 장치

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0723300A3 (ko)
JP (1) JP3058040B2 (ko)
KR (1) KR100198309B1 (ko)
FI (1) FI960247A (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0964381A (ja) * 1995-08-25 1997-03-07 Murata Mfg Co Ltd ショットキーバリアダイオード
JP4751498B2 (ja) * 2000-03-30 2011-08-17 富士通株式会社 半導体三端子装置
JP4606552B2 (ja) * 2000-06-27 2011-01-05 富士通株式会社 半導体装置
KR100402784B1 (ko) * 2000-12-22 2003-10-22 한국전자통신연구원 저온 측정용 갈륨비소 반도체 소자 및 그 제조방법
JP3951743B2 (ja) 2002-02-28 2007-08-01 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
US8193602B2 (en) * 2010-04-20 2012-06-05 Texas Instruments Incorporated Schottky diode with control gate for optimization of the on state resistance, the reverse leakage, and the reverse breakdown
JP6032427B2 (ja) * 2013-02-27 2016-11-30 セイコーエプソン株式会社 光伝導アンテナ、カメラ、イメージング装置、および計測装置
DE102015101966B4 (de) * 2015-02-11 2021-07-08 Infineon Technologies Austria Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit Schottkykontakt und Halbleiterbauelement

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5636170A (en) * 1979-08-31 1981-04-09 Fujitsu Ltd Manufacture of field-effect semiconductor device
EP0642175B1 (en) * 1993-09-07 2004-04-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor element with Schottky electrode and process for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP0723300A2 (en) 1996-07-24
EP0723300A3 (en) 1996-11-20
KR100198309B1 (ko) 1999-06-15
JP3058040B2 (ja) 2000-07-04
FI960247A0 (fi) 1996-01-18
FI960247A (fi) 1996-07-19
JPH08195403A (ja) 1996-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970072205A (ko) 에스. 오. 아이(soi)형 트랜지스터 및 그 제조방법
US3602782A (en) Conductor-insulator-semiconductor fieldeffect transistor with semiconductor layer embedded in dielectric underneath interconnection layer
KR890016691A (ko) 기생 트랜지스터가 동작하기 어려운 구조를 가진 반도체 장치 및 그 제조방법
KR970702574A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR910002007A (ko) 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(mesfet) 장치
KR960015962A (ko) 박막트랜지스터
KR960030447A (ko) 쇼트키 접합을 포함하는 반도체 장치
KR950010135A (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법
KR940022887A (ko) 절연게이트형 바이폴라 트랜지스터
KR900013652A (ko) 감소된 온 저항을 가진 soi구조의 고전압 반도체 장치
KR930024194A (ko) 반도체 장치
KR950021526A (ko) 반도체 장치 및 그의 제조방법
KR940027148A (ko) 반도체 디바이스 및 그 제조방법
KR930022550A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR960043302A (ko) 플라즈마-처리층을 가진 반도체 장치 및 이의 제조 방법
KR930022601A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR920013788A (ko) 단일의 폴리(poly) 바이폴라 공정중에 쇼트키 장벽 다이오드를 제조하는 개선된 방법
KR930001465A (ko) GaAs MESFET 장치 및 쇼트키 배리어 접촉의 제조방법
KR970077366A (ko) 고전압 트랜지스터의 제조방법
KR960032687A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
JPS5992575A (ja) 半導体集積回路装置におけるシヨツトキバリアダイオ−ド
KR960006088A (ko) 정전방전(esd) 보호 트랜지스터
KR920017275A (ko) Mos 전계효과형 트랜지스터를 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법
KR920015641A (ko) 전계효과 트랜지스터가 구비된 반도체 디바이스 제조방법
KR890011111A (ko) 반도체장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110222

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee