KR960006088A - 정전방전(esd) 보호 트랜지스터 - Google Patents

정전방전(esd) 보호 트랜지스터 Download PDF

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KR960006088A
KR960006088A KR1019940016772A KR19940016772A KR960006088A KR 960006088 A KR960006088 A KR 960006088A KR 1019940016772 A KR1019940016772 A KR 1019940016772A KR 19940016772 A KR19940016772 A KR 19940016772A KR 960006088 A KR960006088 A KR 960006088A
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electrostatic discharge
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안희백
김윤기
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 회로에 고전압 또는 과전류가 가해졌을 경우 절류 또는 전압을 중도에서 소모시켜 회로를 보호하는 역할을 하는 정전방전(Electrostatic Discharge:이하 ESD라 약칭함) 보호회로의 구조를 보강시키는 NMOS를 사용한 전전방전 호호 트랜지스터에 관한 것으로, 반도체기판(21)에 게이트산화막(22), 게이트전극(23), 소스/드레인(24)을 갖는 NMOS를 사용한 정전방전(ESD) 보호 트랜지스터에 있어서, 드레인접합(24)아래부분의 웰(211)을 기 형성된 웰농도보다 높게 형성하느 것을 특징으로 한다.

Description

정전방번(ESD)보호 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 NMOS트랜지스터의 구조도.
제3A도 및 제3B도는 본 발명에 따른 일실시에의 트랜지스터 제조 공정 단면도.

Claims (1)

  1. 반도체기판(21)에 게이트산화막(22), 게이트전극(23), 소스/드레인(24)을 갖는 NMOS를 사용한 정전방전(ESD) 보호 트랜지스터에 있어서, 드레인접합(24) 아래부분의 웰(211)을 기 형성된 웨농도보다 높게 형성하는 것을 특징으로 하는 정전방전(ESD) 보호 트랜지스터.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019940016772A 1994-07-12 1994-07-12 정전방전(esd) 보호 트랜지스터 KR960006088A (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100324325B1 (ko) * 1999-08-30 2002-02-16 김영환 정전방전방지용 모스 트랜지스터 제조방법
KR100557642B1 (ko) * 1998-10-29 2006-05-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 정전기 보호회로
KR100596765B1 (ko) * 1999-06-28 2006-07-04 주식회사 하이닉스반도체 정전방전 보호용 모스 트랜지스터의 제조 방법

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