KR930022369A - 워드선 구동회로 - Google Patents

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KR930022369A
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준이치 미야모토
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사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
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    • G11C8/08—Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines
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    • H01L27/0705—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type
    • H01L27/0727—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with diodes, or capacitors or resistors

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Abstract

본 발명은, 반도체기판과, 제1단자에 연결된 제1소오스영역과 출력단자에 연결된 제1드레인영역 및 입력단자에 연결된 제1게이트전극을 갖추며, 상기 출력단자가 워드선에 접속된 PMOS트랜지스터, 제2단자에 연결된 제2소오스영역과 제2드레인영역 및 상기 입력단자에 연결된 제2게이트전극을 갖춘 NMOS트랜지스터, 상기 출력단자에 부전위을 인가하기 위한 회로 및, 상기 제1드레인영익과 상기 제2드레인영역 사이에 연결되면서 상기 부전위가 상기 출력단자를 통해 상기 워드선에 인가되는 경우 상기 회로로부터 상기 제2드레인영역을 전기적으로 분리하기 위한 PN접합다이오드와 쇼트키배리어 다이어드와 같은 다이오드수단은 구비하여 구성된 것을 특징으로 한다.

Description

워드선 구동회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 워드선 구동회로를 나타낸 도면이다.
제2도는 제1도에 나타낸 워드선 구동회로에 있어서 일부의 구성을 나타낸 단면도이다.
제3도는 본 발명의 제2실시예에 따른 워드선 구동회로를 나타낸 도면이다.

Claims (12)

  1. 반도체기판(21)과, 이 반도체기판(21)상에 제공되고, 제1단자(17)에 연결된 제1소오스영역과 출력단자(16)에 연결된 제1드레인영역 및 입력단자(15)에 연결된 제1게이트전극을 갖추며, 상기 출력단자(16)가 워드선에 접속된 PMOS트랜지스터(11), 상기 반도체기판(21)상에 제공되고, 제2단자에 연결된 제2소오스영역과 제2드레인영역 및 상기 입력단자(15)에 연결된 제2게이트전극을 갖춘 NMOS트랜지스터(12), 상기 출력단자(16)에 부전위를 인가하기 위한 회로(14)및, 상기 제1드레인영역과 상기 제2드레인영역 사이에 연결되면서 상기 부전위가 상기 출력단자(16)를 통해 상기 워드선에 인가되는 경우 상기 회로(14)로부터 상기 제2드레인영역을 전기적으로 분리하기 위한 수단을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수단이 다이오드(13,18)인 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 다이오드(13)가 PN접합 다이오드인 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  4. 제2항에 있어서 상기 다이오드(18)가 쇼트키배리어 다이오드인 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  5. 제2항에 있어서, 상기 다이오드(13,18)가 상기 회로(14)로부터 상기 제2드레인 영역을 전기적으로 분리하기 위해 역바이어스되는 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 회로(14)가 부전위발생회로인 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  7. 반도체기판(21)과, 출력단자(16)에 부전위를 인가하기 위한 회로(14), 이 반도체기판(21)상에 제공되고 제1단자(17)에 연결된 제1소오스영역과 출력단자(16)에 연결된 제1드레인영역 및 입력단자(15)에 연결된 제1게이트전극을 갖추며, 상기 출력단자(16)가 워드선에 접속된 PMOS트랜지스터(11) 및, 상기 반도체기판(21)상에 제공되고, 제2단자에 연결된 제2소오스영역(22)과 제2드레인영역(25) 및 상기 입력단자(15)에 연결된 제2게이트 전극을 갖춘 NMOS트랜지스터(12)를 구비하여 구성되고, 상기 제2드레인영역(25)이 N형 저농도 도우프영역(23)을 포함하면서 상기 부전위가 상기 출력단자(16)를 통해 상기 워드선에 인가되는 경우 상기 회로(14)로부터 상기 제2드레인영역을 전기적으로 분리하기 위해 상기 N형 저농도 도우프영역(23)에 다이오드부가 형성된 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 회로(14)가 부전위발생회로인 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  9. 제7항에 있어서, 상기 다이오드부가 상기 회로(14)로부터 상기 제2드레인영역을 전기적으로 분리하기 위해 역바이어서되는 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  10. 제7항에 있어서, 상기 다이오드부가 상기 N형 저농도 도우프영역(23)에 형성된 P+형 영역(24)을 포함하면서 애노드로 이용되는 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  11. 제7항에 있어서, 상기 다이오드부가 그 사이에 쇼키어배리어를 제공하도록 상기 N형 저농도 도우프영역(23)상에 형성된 고융점금속층(241)을 포함하는 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
  12. 제7항에 있어서, 상기 N형 저농도 도우프영역(23)이 P+형 가아드링(242)을 갖춘 것을 특징으로 하는 워드선 구동회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930005640A 1992-04-03 1993-04-03 워드선 구동회로 KR960003966B1 (ko)

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