KR960002788A - 반도체 소자의 데이터 출력버퍼 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 데이터 출력버퍼(Data Output Buffer)에 관한 것으로, CMOS 데이터 출력 버퍼에 있어 NMOS 드레인으로부터 주입된 소수 캐리어(Minority Carrier)가 PMOS 의 N-웰 전압으로 사용되는 Vcc단자로 이동하는 것을 차단하는 N-웰 가드링(N-Well Guard Ring)을 데이터 입출력 패드(Data I/O Pad)아래부분까지 확장 구성하므로써, 소수 캐리어의 이동을 차단하게하여 래치-업(Latch-Up)을 방지할 수 있는 반도체 소자의 데이터 출력버퍼에 관해 기술된다.

Description

반도체 소자의 데이터 출력버퍼
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 데이터 출력버퍼의 레이아웃도.
제4도는 제3도의 X-X'선을 따라 절단한 절단면도.

Claims (4)

  1. 반도체 소자의 데이터 출력버퍼에 있어서, P형 기판(1)상에 형성된 P-웰(2)에 게이트 전극(21), 소오스 및 드레인 전극용 제1 및 2 N+영역(22 및 23)을 갖는 NMOS 트랜지스터와, 상기 P-웰(2)로부터 일정간격 이격되어 P형 기판(1)상에 형성된 N-웰(3)에 게이트 전극(31), 소오스 및 드레인 전극용 제1 및 2 P+영역(32 및 33)을 갖는 PMOS 트랜지스터와, 상기 NMOS 트랜지스터의 제2 N+영역(23)에 연결되고 상기 PMOS 트랜지스터의 제1 P+영역(32)에 연결되는 데이터 입출력 패드(5)와, 상기 P-웰(2) 및 N-웰(3) 주변을 감싸되 P-웰(2)과 N-웰(3) 사이의 이격공간부분 전체에 걸쳐 형성된 N-웰 가드링(4)으로 구성된 것을 특징으로 하는 데이터 출력버퍼.
  2. 제1항에 있어서, 상기 N-웰 가드링(4)은 NMOS 트랜지스터로부터 PMOS 트랜지스터로 이동하는 소수 캐리어를 차단하는 것을 특징으로 하는 데이터 출력버퍼.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 N-웰 가드링(4)의 가장자리부를 따라 Vcc 전원의 접합부로서 N+영역(41)이 형성되어짐을 특징으로 하는 데이터 출력버퍼.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 N+영역(22)은 일측단자가 접지되는 Vss 전원에 연결되고, 상기 제2 P+영역(33)은 인접하여 형성된 제3 N+영역(34)과 함께 Vcc 전원에 연결되는 것을 특징으로 하는 데이터 출력버퍼.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940013500A 1994-06-15 1994-06-15 반도체 소자의 데이터 출력버퍼 KR0131373B1 (ko)

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