KR960016139A - 반도체 정전기 보호를 위한 출력버퍼회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 정전기에 의한 반도체 디바이스에 파괴현상을 방지하기 위한 출력버퍼회로에 있어서 정전기 보호 회로에 관한 것이다.
이를 위하여 다수의 트랜지스터들로 구성된 출력버퍼수단 및 트랜지스터로 구성된 정전기 보호수단에 있어서 정전기 보호수단을 구성하는 트랜지스터의 게이트 길이를 출력버퍼수단을 구성하는 트랜지스터의 게이트 길이 보다 작게하여 항복전압을 낮추어 정전기 보호수단의 트랜지스터로 먼저 방전하도록 하는 정전기 보호회로이다.

Description

반도체 정전기 보호를 위한 출력버퍼회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 정전기 보호회로를 위한 일실시예의 구성도,
제4도는 본 발명에 따라 반도체 정전기 보호회로를 위한 다른 실시예의 구성도이다.

Claims (8)

  1. 패드외부의 인터페이스 회로를 드라이브 하기 위한 트랜지스터로 구성된 출력버퍼수단 및 정전기 보호수단을 구비하는 출력버퍼 회로에 있어서, 상기의 정전기 보호수단은 상기의 출력버퍼수단을 구성하는 트랜지스터의 항복전압보다 낮은 항복전압을 갖는 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 정전기 보호회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기의 항복전압을 낮추기 의하여 상기의 정전기 보호수단의 트랜지스터의 게이트 길이가 상기의 출력버퍼수단의 트랜지스터의 게이트 길이보다 작게 하는 것을 특징으로 하는 정전기 보호회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기의 정전기 보호수단은 게이트, 제1드레인/소스 및 제2드레인/소스를 가지고 있는 트랜지스터로 구성되어 있으며 게이트와 제1드레인/소스가 제1전압에 연결되어 있고 제2드레인/소스는 상기의 출력버퍼수단의 출력에 연결된 것을 특징으로 하는 정정기 보호회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기의 트랜지스터는 P형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 정전기 보호회로.
  5. 제3항에 있어서, 상기의 트랜지스터는 n형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 정전기 보호회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기의 정전기 보호수단은 게이트, 제1드레인/소스 및 제2드레인/소스를 가지고 있고, 제1, 제2트랜지스터로 구성되어 있으며 상기의 제1트랜지스터의 게이트와 제1드레인/소스는 제1전압에 연결되어 있고 상기의 제2트랜지스터의 게이트와 제1드레인/소스는 제2전압에 연결되어 있고 상기의 제1트랜지스터의 제2트레인/소스와 상기의 제2트랜지스터의 제2드레인/소스는 상기의 출력버퍼수단의 출력에 공통으로 연결된 것을 특징으로 하는 정전기 보호회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기의 제1, 제2트랜지스터는 P형과 N형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 정전기 보호 회로.
  8. 제1항에 있어서, 상기의 정전기 보호수단은 게이트, 제1드레인/소스 및 제2드레인/소스를 가지고 있는 다수의 P형 트랜지스터들과 n형 트랜지스터들로 구성되어 있으며 상기의 P형 트랜지스터들의 게이트와 제1드레인/소스는 제1전압에 연결되어있고 상기의 n형 트랜지스터들의 게이트와 제1드레인/소스는 제2전압에 연결되어 있고 상기의 P형, N형 트랜지스터들의 제2드레인/소스는 상기의 출력버퍼수단의 출력에 공통으로 연결된 것을 특징으로 하는 정전기 보호회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940026195A 1994-10-13 1994-10-13 반도체정전기보호를위한출력버퍼회로 KR100312621B1 (ko)

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