KR970030774A - 출력버퍼 esd 보호회로 - Google Patents

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KR970030774A
KR970030774A KR1019950042651A KR19950042651A KR970030774A KR 970030774 A KR970030774 A KR 970030774A KR 1019950042651 A KR1019950042651 A KR 1019950042651A KR 19950042651 A KR19950042651 A KR 19950042651A KR 970030774 A KR970030774 A KR 970030774A
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KR
South Korea
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protection circuit
output buffer
esd protection
pull
transistor
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Application number
KR1019950042651A
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English (en)
Inventor
박태수
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

출력버퍼 트랜지스터의 특성을 고려하지 않고 보호회로를 제작할 수 있는 출력버퍼 ESD 보호회로를 개시한다. 반도체 장치의 출력 버퍼에 있어서, 옵션 보호회로로 사용한 NMOS트랜지스터가 출력 버퍼 풀다운 NMOS트랜지스터보다 작은 게이트 길이(length)를 갖는 것을 특징으로 하는 ESD 보호회로를 제공한다. 상기 옵션 보호회로 NMOS트랜지스터 게이트 길이가 출력버퍼 풀다운 트랜지스터 게이트의 80% 이하를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 출력버퍼 트랜지스터의 특성을 고려하지 않고 ESD보호회로를 제작할 수 있다.

Description

출력버퍼 ESD 보호회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 본 발명에 의하여 설계된 ESD보호회로의 출력버퍼 NMOS와 옵션 보호회로로 NMOS트랜지스터의 레이아웃이다.

Claims (6)

  1. 반도체 장치의 출력 버퍼의 ESD에 있어서, 옵션 보호회로로 사용한 NMOS트랜지스터가 출력 버퍼 풀다운 NMOS트랜지스터보다 작은 게이트 길이(length)를 갖는 것을 특징으로 하는 ESD보호회로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 옵션 보호회로 NMOS트랜지스터 게이트 길이가 출력버퍼 풀다운 트랜지스터 게이트의 80%이하를 갖는 것을 특징으로 하는 ESD보호회로.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 옵션 보호회로로 사용한 NMOS트랜지스터의 레이아웃이 사다리 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 ESD보호회로.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 출력버퍼 풀다운 트랜지스터의 레이아웃이 사다리 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 ESD보호회로.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 출력버퍼회로의 풀업 및 풀다운 트랜지스터가 모두 NMOS로 구성된 것을 특징으로 하는 ESD보호회로.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 출력 버퍼 회로의 풀업 회로의 풀업 트랜지스터는 PMOS, 풀 다운 트랜지스터는 NMOS로 구성된 것을 특징으로 하는 ESD보호회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950042651A 1995-11-21 1995-11-21 출력버퍼 esd 보호회로 KR970030774A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100314647B1 (ko) * 1998-10-27 2001-12-12 박종섭 반도체소자의방전보호회로

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