KR960026739A - 반도체 소자의 정전기 방지회로 - Google Patents

반도체 소자의 정전기 방지회로 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자가 정전기 방전(Electrostatic Discharge)등에 직접 노출되었을 때 소자가 파괴되는 현상을 막기 위한 정전기 방지회로에 관한 것으로 트랜지스터(Q1,Q2)의 게이트를 패드에 직렬로 연결하여 플로팅 파우어 라인으로 전하들이 유기되는 현상이 사라짐으로써 정전기에 대한 좀더 높은 신뢰성을 갖는 소자를 제작할 수 있다.

Description

반도체 소자의 정전기 방지회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의해 제조된 정전기 방지용 회로를 도시한 회로도, 제3도는 본 발명에 의해 구비되는 정전기 방지용 회로를 반도체기판 상부에 구비한 단면도.

Claims (5)

  1. 반도체 소자의 정전기 방지회로에 있어서, 트랜지스터 Q1의 게이트와 트랜지스터 Q2의 게이트와 드레인이 패드에 접속되고, 트랜지스터 Q1, Q2의 소오스가 Vss가 접속되고, 트랜지스터 Q1의 드레인이 Vcc에 접속되고, 상기 Q1의 드레인은 Vcc에 접속되고, 상기 패드에 저항을 통해 접속된 상기 내부회로와 Vcc와 Vss에 각각 접속된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 정전기 방지회로.
  2. 제1항에 기재된 반도체소자의 정전기 방지회로를 반도체 기판상에 형성할 때 상기 트랜지스터 Q1과 Q2의 소오스가 반도체기판에 형성되는 확산영역을 공통으로 사용토록 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 정전기 방지회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 트랜지스터 Q1과 Q2의 게이트는 폴리실리콘이 길게 연장되어 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 정전기 방지회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 트랜지스터 Q1과 Q2는 NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 정전기 방지회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 내부회로 입력단과 Vss 사이에 트랜지스터 Q3가 구비되고, 트랜지스터의 Q3의 게이트는 Vss에 접속된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 정전기 방지회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940039206A 1994-12-30 1994-12-30 반도체 소자의 정전기 방지회로 KR0172231B1 (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980058496A (ko) * 1996-12-30 1998-10-07 김영환 반도체 소자의 정전기 방전 회로
KR100443510B1 (ko) * 2001-12-22 2004-08-09 주식회사 하이닉스반도체 정전기 보호 회로
KR100876894B1 (ko) * 2007-07-03 2009-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치의 내부 회로 보호 장치

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KR19980058496A (ko) * 1996-12-30 1998-10-07 김영환 반도체 소자의 정전기 방전 회로
KR100443510B1 (ko) * 2001-12-22 2004-08-09 주식회사 하이닉스반도체 정전기 보호 회로
KR100876894B1 (ko) * 2007-07-03 2009-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치의 내부 회로 보호 장치

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