KR920022506A - 정전기 파괴에 대한 높은 내성을 갖는 출력 버퍼 - Google Patents

정전기 파괴에 대한 높은 내성을 갖는 출력 버퍼 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

정전기 파괴에 대한 높은 내성을 갖는 출력 버퍼
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 제1실시예의 출력 버퍼의 회로도.
제4도는 반도체 기판 상에 본 발명에 따른 제1실시예의 구성을 도시한 평면도.

Claims (4)

  1. 제1및 제1전원 공급원(Vcc, Vss), 게이트가 제1출력 데이타 제어 신호(D31, D51)을 수신하고, 소오스와 드레인 중 하나가 상기 제1전원 공급원에 접속되며, 그 나머지가 공통 접합 노드(X3, X5)에 접속되는 제1MOSFET(M31, M51), 게이트가 제2출력 데이타 제어 신호(D32, D52)를 수신하고, 소오스와 드레인 중의 하나가 제2전원 공급원(Vss)에 접속되며, 그나머지가 공통 접합 노드에 접속되는 제2MOSFET(M32, M52) 및 소오스와 드레인 중 하나가 상기 공통 접합 노드에 접속되고, 그 나머지가 데이타 출력 단자(PAD)에 접속되며, 언제나 전도 상태가 되도록 제어되는 제3MOSFET(M33)을 포함하는 것을 특징으로 하는 출력 버퍼.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1내지 제3MOSFET(M31, M32, M33)이 n채널형이고, 상기 제1MOSFET(M31)이 상대적으로 높은 고 전위의 상기 제1전원 공급원(Vcc)에 접속된 드레인 및 상기 공통 접합 노드(X3)에 접속된 소오스를 갖고 있으며, 상기 제2MOSFET(M32)가 상대적으로 낮은 전위의 상기 제2전원 공급원 (Vss)에 접속된 소오스 및 상기 공통 접합 노드에 접속된 드레인을 갖고 있고, 상기 제3MOSFET(M33) 이 상기 접합 노드에 접속된 드레인, 상기 제1전원 공급원에 접속된 게이트 및 상기 데이타 출력 단자(PAD)에 접속된 소오스를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 출력 버퍼.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1MOSFET(M51)이 p채널형이고, 상기 제2MOSFET(M52)가 n채널형이며, 상기 제3MOSFET(M53)이 n채널 공핍 모드이고, 상기 제1MOSFET(M51)이 상대적으로 높은 전원의 상기 제1전원 공급원(Vcc)에 접속된 소오스 및 상기 공통 접합 노드 (X5)에 접속된 드레인을 갖고 있으며, 상기 제1MOSFET(M52)가 상기 제2전원 공급원(Vss)에 접속된 소오스 및 상기 공통 접합 노드에 접속된 드레인을 갖고 있고, 상기 제3MOSFET(M53)이 공통 접합 노드에 접속된 드레인, 상기 제1전원 공급원에 접속된 게이트 및 상기 데이타 출력 단자(PAD)에 접속된 소오스를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 출력 버퍼.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제3MOSFET(M53, M53)이 반도체 기판 상에 소오스 및 드레인 영역을 각각 형성하는 제1확산층(323)을 갖고 있고, 상기 제2전원 공급원(Vss)에 접속되고, 전도형이 상기 제3MOSFET의 상기 제1확산층과 반대인 제2확산층(331, 332)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 출력버퍼.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920007442A 1991-05-02 1992-05-01 정전기 파괴에 대한 높은 내성을 갖는 출력 버퍼 KR960002098B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980038052A (ko) * 1996-11-23 1998-08-05 김영환 정전기 방지용 트랜지스터를 구비한 반도체 소자

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3151329B2 (ja) * 1993-04-07 2001-04-03 株式会社東芝 データ出力回路
JP3229164B2 (ja) * 1994-07-28 2001-11-12 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ラッチ回路
US6137144A (en) * 1998-04-08 2000-10-24 Texas Instruments Incorporated On-chip ESD protection in dual voltage CMOS
JP4024762B2 (ja) * 2004-01-16 2007-12-19 ユーディナデバイス株式会社 高周波スイッチ
US20090184395A1 (en) * 2008-01-23 2009-07-23 Che-Yuan Jao Input/output (i/o) buffer

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4647798A (en) * 1985-04-15 1987-03-03 Ncr Corporation Negative input voltage CMOS circuit
US4733111A (en) * 1985-07-17 1988-03-22 CSELT--Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni S.p.A. Sequential-logic basic element in CMOS technology operating by a single clock signal
US4958091A (en) * 1988-06-06 1990-09-18 Micron Technology, Inc. CMOS voltage converter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980038052A (ko) * 1996-11-23 1998-08-05 김영환 정전기 방지용 트랜지스터를 구비한 반도체 소자

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