KR890012398A - Mos형 반도체장치의 입력보호회로 - Google Patents

Mos형 반도체장치의 입력보호회로 Download PDF

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KR890012398A
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도루 요시다
야스오 가와하라
후미나리 다나카
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

내용 없음.

Description

MOS형 반도체장치의 입력보호회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 제1실시예의 회로도,
제4도는 제1실시예의 회로에서 제1보호소자로 사용되는 소자의 단면도,
제5도는 제1실시예의 회로에서 제2보호소자로 사용되는 소자의 단면도.

Claims (10)

  1. 입력패드(11)와, 이 입력패드(11)의 신호가 게이트에 공급되는 입력단 MOS트랜지스터(13, 50, 56), 상기 입력패드(11)와 상기 입력단 MOS트랜지스터(13, 50, 56)게이트를 접속하는 배선 (12, 25, 41, 45, 46), 상기 입력패드(11) 근방에 설치되어 그 일단이 상기 배선에 접속된 제1보호소자(14, 16, 17, 18) 및 상기 입력단 MOS트랜지스터(13, 50, 56) 게이트 근방에 설치되어 그 일단이 상기 배선(12, 25, 41, 46)에 접속된 제2보호소자(15, 19)로 구성된 것을 특징으로 MOS형 반도체 장치의 입력보호회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2보호소자(15, 19)가 보호링영역(55)으로 둘러싸이면서 상기 입력단 MOS트랜지스터(13, 50, 56)가 형성되어 있는 회로블럭(54)내에 형성된 것을 특징으로 하는 MOS형 반도체 장치의 입력보호회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1보호소자(14, 16, 17, 18)가 1개의 바이폴러 트랜지스터(14)로 구성된 것을 특징으로 하는 MOS형 트랜지스터의 입력보호회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1보호소자(14, 16, 17, 18)가 2개의 다이오드(16, 17)로 구성된 것을 특징으로 하는 MOS형 트랜지스터의 입력보호회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1보호소자(14, 16, 17, 18)가 2개의 바이폴러 트랜지스터(14, 18)로 구성된 것을 특징으로 하는 MOS형 트랜지스터의 입력보호회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2보호소자(15,19)가 다이오드(15)인 것을 특징으로 하는 MOS형 트랜지스터의 입력보호회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2보호소자(15,19)가 소오스와 드레인이 상기 배선(12)에 공통접속된 MOS 트랜지스터(19)인 것을 특징으로 하는 MOS형 트랜지스터의 입력보호회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 MOS형 트랜지스터(19)의 게이트가 접지전위(Vss)에 접속된 것을 특징으로 하는 MOS형 트랜지스터의 입력보호회로.
  9. 제7항에 있어서, 상기 MOS형 트랜지스터(19)의 게이트가 전원전위(Vcc)에 접속된 것을 특징으로 하는 MOS형 트랜지스터의 입력보호회로.
  10. 제1항에 있어서, 상기 배선(12, 25, 41, 45, 46)도중에 저항(R)이 직렬로 연결되어진 것을 특징으로 하는 MOS형 트랜지스터의 입력보호회로.
    ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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