KR970060479A - 반도체장치 - Google Patents

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다께시 후꾸다
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가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

SUB 배선이 칩의 외주상에 형성된 공통방전선의 외주상에서 후부에 평행하게 설치된다. 전압 클램프소자 및 다이오드소자 만이 정전보호소자로서 공통방전선에 접속된다. 공통방전선은 부유상태에 놓여 내전압을 상승시킨다. 반면에, SUB 배선, 트랜지스터로 이루어지는BBG 회로와 같은 부가회로 등이 접속되어 후부를 기판에 접속한다. 이러한 두 개의 배선으로, 공통방전선의 폭이 좁아져서 칩면적의 증가를 억제할 수 있다. 이에 의해, 정전파괴에 대한 내전압이 상승되며 칩영역의 증가가 억제될 수 있다.

Description

반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 반도체장치의 바람직한 실시예의 회로도.

Claims (6)

  1. 반도체기판상에 형성된 반도체 집적회로에 접속된 복수개의 단자, 보호소자로서 일방이 상기 각 단자의 일방에 각각 접속된 복수개의 전압 클램프소자 및 복수개의 다이오드소자, 상기 전압 클램프소자 및 상기 다이오드소자의 타방에 공통접속되며, 금속배선으로 형성되며, 상기 반도체 기판에 대해 부유상태에 있는 공통방전선, 상기 반도체기판에 역바이어스를 인가시키는 역바이어스 발생회로를 포함하는 부가회로, 및 터널배선을 통해 상기 역바이어스 발생회로를 포함하는 상기 부가회로에 접속되며, 상기 공통방전선과는 독립한 금속배선의 SUB 배선을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공통방전선 및 상기 SUB 배선은 서로 병렬로 배선되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 SUB 배선은 상기 역바이어스 발생회로와 같은 상기 부가회로에만 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 공통방전선 및 상기 SUB 배선은 상기 전압 클램프소자, 상기 복수개의 다이오드소자, 및 복수개의 단자의 외측에 및 칩의 외주를 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 SUB 배선은 상기 공통방전선의 외측에 평행하게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. 반도체기판상에 형성된 반도체 집적회로에 접속된 복수개의 단자, 보호소자로서 일방이 상기 각 단자의 일방에 각각 접속된 복수개의 전압 클램프소자 및 복수개의 다이오드소자, 상기 전압 클램프소자 및 상기 다이오드소자의 타방에 공통접속되며, 금속배선으로 형성되며, 상기 반도체 기판에 대해 부유상태에 있는 공통방전선, 상기 반도체기판에 역바이어스를 인가시키는 역바이어스 발생회로를 포함하는 부가회로, 및 터널배선을 통해 상기 역바이어스 발생회로를 포함하는 상기 부가회로에 접속되며, 상기 공통방전선의 외측에 평행하게 놓이며, 상기 공통방전선과는 독립한 금속배선의 SUB 배선을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970001017A 1996-01-17 1997-01-15 반도체장치 KR100263866B1 (ko)

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