KR920003496A - 반도체장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 관한 반도체장치의 개략도,
제5도는 본 발명의 제3실시예에 관한 반도체장치의 개략도,
제8도는 본 발명의 제6실시예에 관한 반도체장치의 개략도.
Claims (14)
- 복수의 회로(22,23)와, 상기 각 회로에 대응되게 설치되어 제1전위를 공급하기 위한 복수의 패드(27,29) 및, 각기 다른 회로의 패드간을 접속시키기 위해 설치된 저항소자(31)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1전위는 전원전위이고, 상기 복수의 패드는 전원패드인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 저항소자는 1Ω이상, 100Ω이하의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 저항소자는 상기 복수의 패드의 온갖 조합에 대해 그 사이에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 복수의 회로(22,23,40)와, 상기 각 회로에 대응되게 설치되어 각 회로에 전원전위를 공급하기 위한 복수의 전원패드(27,29,41), 상기 각 회로에 대응되게 설치되어 각 회로를 접지시키기 위한 복수의 접지패드(28,30,42),각기 다른 회로의 각 전원패드간을 접속시키기 위해 설치된 저항소자(31)및, 각기 다른 회로의 각 접지패드간을 접속시키기 위해 설치된 저항소자(31)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 저항소자는 1Ω이상, 100Ω이하의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제5항에 있어서, 상기 저항소자는 각기 다른 회로간의 각 전원패드의 온갖 조합에 대해 그 사이에 설치되고 , 각기 다른 회로간의 각 접지패드의 온갖 조합에 대해 그 사이에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 복수의 회로(22,23)와, 상기 각 회로에 대응되게 설치되어 각 회로에 전원전위를 공급하기 위한 복수의 전원패드(27,29), 상기 각 회로에 대응되게 설치되어 각 회로를 접지시키기 위한 복수의 접지패드(28,30), 각기 다른 회로의 각 전원패드간과 각기 다른 회로의 각 접지패드간을 접속시키기 위해 설치된 제1보호회로(50)및, 동일한 회로의 전원패드와 접지패드간을 접속시키기 위해 설치된 제2보호회로(51)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제8항에 있어서, 상기 제1, 제2보호회로는 피일드 트랜지스터 혹은 통상상태에서 턴오프되는 트랜지스터인것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제8항에 있어서, 상기 제1보호회로는 1Ω이상, 100Ω이하의 값을 가지는 저항소자(31)인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 복수의 회로(22,23)와, 상기 각 회로에 대응되게 설치되어 각 회로에 전원전위를 공급하기 위한 복수의 전원패드(27,29), 상기 각 회로에 대응되게 설치되어 각 회로를 접지시키기 위한 복수의 접지패드(28,30), 각기 다른 회로의 각 전원패드간과 각기 다른 회로의 각 접지패드간을 접속시키기 위해 설치된 제1보호 회로(50),동일한 회로의 전원패드와 접지패드간을 접속시키기 위해 설치된 제2보호회로(51) 및 각기 다른 회로의 전원패드와 접지패드간을 접속시키기 위해 설치된 제3보호회로(52)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3보호회로는 피일드 트랜지스터 혹은 통상상태에서 턴오프되는 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제1보호회로는 1Ω이상, 100Ω이하의 값을 가지는 저항소자(31)인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제11항에 있어서, 상기 각 보호회로는 복수의 회로에 설치된 전원패드와 접지패드의 온갖 조합에 대해 그 사이를 접속시키기 위해 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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