KR960019703A - 반도체 집적회로 장치 - Google Patents
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Abstract
반도체 집적회로 장치는 다수의 전원계들을 각각 사용하는 다수의 회로 섹션을 포함한다. 정전 보호 회로 섹션은 다수의 회로 섹션들로서 동일한 칩상에 구비되고 다수의 전원계에 연결된다. 보호 회로 섹션은 일 이상의 공통 전위선을 포함하여 다수의 전원계들 사이에 정전기로 인하여 전류가 흐르게 한다. 보호 회로 섹션은 다이오드인 다수의 보호 소자들을 포함하고 다이오드가 접속되는 구개의 선들의 전위에 따라서 결정된 방향을 가지도록 구비된다. 보호 회로가 한개의 공통선을 포함할 경우, 공통 전위선은 전원제의 가장 높은 전위가 동일하거나 더 높은 전위, 또는 전원제의 가장 낮은 전위와 동일하거나 더 낮은 전위로 설정된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 접지 공통 단자 및 접지 공통선이 구비되어서 정전 보호 회로의 수가 종래의 반도체 집적회로와 비교하여 감소되는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 집적회로의 개략적인 블록선도이다.
Claims (20)
- 각각 다른 전원계들을 사용하는 다수의 회로 섹션들을 포함하는 반도체 집적회로, 공통 전위선, 및 상기 공통 전위선과 상기 다수의 각 회로 섹션들사이에 구비된 정전 보호 소자들을 포함하며, 상기 반도체 집적회로와 동일한 칩상에 구비된 정전 보호 회로로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 다수의 각 회로 섹션들의 상기 전원계가 둘 이상의 전원선을 포함하고, 상기 정전 보호 소자들 중의 하나의 소자가 상기 둘 이상의 각 전원선을 위해 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 다수의 각 회로 섹션들이 하나 이상의 신호선을 포함하며, 상기 정전 보호 회로가 상기 하나 이상의 신호선과 상기 둘 이상의 전원선들 각각의 사이에 구비된 정전 보호 소자를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 다수의 각 정전 보호 소자들이 다이오드이며 상기 다이오드가 접속되는 두개의 선들의 전위에 따라서 결정된 방향을 갖도록 구비되어, 정전기로 인한 전압 없이 상기 다이오드를 통하여 전류가 흐르지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 공통 전위선이 소정의 전위 레벨로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 공통 전위선이 상기 전원계의 최상위 전위와 동일하거나 더 높은 전위로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 공통 전위선이 상기 전원계의 최하위 전위와 동일하거나 더 낮은 전위로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 각각 다른 전원계를 사용하는 다수의 회로 섹션들을 포함하는 반도체 집적회로, 두개의 공통 전위선 및 상기 공통 전위선과 상기 다수의 회로 섹션 각각의 사이 그리고 상기 공통 전위선들 사이에 구비된 정전 보호 소자들을 포함하며, 상기 반도체 집적회로와 동일한 칩상에 제공된 정전 보호 회로로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 다수의 회로 섹션들 각각의 상기 전원계가 둘 이상의 전원선들을 포함하며, 상기 정전 보호 소자들 중의 하나가 상기 둘 이상의 각 전원선을 위해 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 다수의 각 회로 섹션들이 하나 이상의 신호선을 포함하며, 상기 정전 보호 회로가 상기 하나 이상의 신호선과 상기 둘 이상의 전원선들 각각의 사이에 구비된 정전 보호 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 각 정전 보호 소자들이 다이오드이며, 상기 다이오드가 접속되는 두개의 선들의 전위에 따라서 결정된 방향을 가지도록 구비되어, 정전기로 인한 전압 없이 상기 다이오드를 통하여 전류가 흐르지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제8항 내지 제11항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 공통 전위선이 상이한 소정의 전위 레벨로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 공통 전위선들중의 하나가 상기 전원계들의 최상위 전위와 동일하거나 더 높은 전위로 설정되고, 다른 하나는 상기 전원계들의 최하위 전위와 동일하거나 더 낮은 전위로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 다수의 전원계, 상기 다수의 전원계들 사이에 정전기로 인하여 전류가 흐를 수 있게 하는, 상기 다수의 전원계에 접속된 정전 보호 섹션으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제14항에 있어서, 상기 정전 보호 섹션이 공통 전위선 및 상기 공통 전위선과 상기 다수의 전원선들 각각의 사이에 구비된 정전 보호 소자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 공통 전위선이 소정의 전위 레벨로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제16항에 있어서, 상기 공통 전위선이 상기 전원계의 최상위 전위와 동일하거나 더 높은 전위로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제16항에 있어서, 상기 공통 전위선이 상기 전원계의 최하위 전위와 동일하거나 더 낮은 전위로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 정전 보호 섹션이 상이한 전위로 설정된 두개의 공통 전위선 및 상기 공통 전위선과 상기 다수의 회로 섹션들 각각의 사이 그리고 상기 공통 전위선들사이에 구비된 정전 보호 소자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
- 제19항에 있어서, 상기 공통 전위선들 중의 하나가 상기 전원계의 최상위 전위와 동일하거나 더 높은 전위로 설정되고 다른 하나는 상기 전원제의 최하위 전위와 동일하거나 더 낮은 전위로 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019990000047U KR200188465Y1 (en) | 1994-11-22 | 1999-01-07 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP94-287751 | 1994-11-22 | ||
| JP6287751A JP2616721B2 (ja) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960019703A true KR960019703A (ko) | 1996-06-17 |
Family
ID=17721296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950041699A KR960019703A (ko) | 1994-11-22 | 1995-11-16 | 반도체 집적회로 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5693973A (ko) |
| JP (1) | JP2616721B2 (ko) |
| KR (1) | KR960019703A (ko) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19743240C1 (de) * | 1997-09-30 | 1999-04-01 | Siemens Ag | Integrierte Halbleiterschaltung mit Schutzstruktur zum Schutz vor elektrostatischer Entladung |
| WO2000028594A1 (en) * | 1998-11-09 | 2000-05-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Over-voltage protection for integrated analog and digital circuits |
| JP2002270693A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置とそのパターンレイアウト方法 |
| JP2005150248A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
| WO2005088701A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Rohm Co., Ltd | 半導体装置 |
| JPWO2007013145A1 (ja) * | 2005-07-27 | 2009-02-05 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路 |
| JP4947994B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2012-06-06 | 株式会社リコー | 半導体装置 |
| JP5198785B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2013-05-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| GB2451439A (en) * | 2007-07-30 | 2009-02-04 | Toumaz Technology Ltd | Electrostatic discharge prevention circuit |
| BRPI1011202A2 (pt) | 2009-06-09 | 2016-03-15 | Sharp Kk | dispositivo semicondutor |
| EP2320569A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-11 | ST-Ericsson SA | Electrostatic discharge protection |
| JP6514949B2 (ja) * | 2015-04-23 | 2019-05-15 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | オンチップノイズ保護回路を有する半導体チップ |
| JP7020280B2 (ja) * | 2018-05-01 | 2022-02-16 | 日本精工株式会社 | ラッチアップ防止回路 |
| JP7052972B2 (ja) * | 2018-08-27 | 2022-04-12 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体集積回路 |
-
1994
- 1994-11-22 JP JP6287751A patent/JP2616721B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-11-03 US US08/552,821 patent/US5693973A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-16 KR KR1019950041699A patent/KR960019703A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5693973A (en) | 1997-12-02 |
| JPH08148650A (ja) | 1996-06-07 |
| JP2616721B2 (ja) | 1997-06-04 |
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|---|---|---|---|
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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