KR950010049A - 전원노이즈감소를 위한 전원라인구조를 가지는 반도체칩 - Google Patents

전원노이즈감소를 위한 전원라인구조를 가지는 반도체칩 Download PDF

Info

Publication number
KR950010049A
KR950010049A KR1019930017783A KR930017783A KR950010049A KR 950010049 A KR950010049 A KR 950010049A KR 1019930017783 A KR1019930017783 A KR 1019930017783A KR 930017783 A KR930017783 A KR 930017783A KR 950010049 A KR950010049 A KR 950010049A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power supply
voltage line
line
supply voltage
constant temperature
Prior art date
Application number
KR1019930017783A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970005691B1 (ko
Inventor
한용주
배명호
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019930017783A priority Critical patent/KR970005691B1/ko
Priority to US08/291,943 priority patent/US5535152A/en
Publication of KR950010049A publication Critical patent/KR950010049A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR970005691B1 publication Critical patent/KR970005691B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0214—Particular design considerations for integrated circuits for internal polarisation, e.g. I2L
    • H01L27/0218—Particular design considerations for integrated circuits for internal polarisation, e.g. I2L of field effect structures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

전원전압라인과 접지전압라인을 가지는 반도체칩에 있어서, 상기 전원전압라인과 상기 접지전압라인사이에 배치되고 적어도 상기 전원전압의 전위와 상기 접지전압의 전위사이의 전위를 가지는 정온전압이 공급되는 정온정원라인과, 상기 정온전원라인 및 상기 전원전압라인사이와 상기 접지라인 및 상기 정온전원라인사이에 각각 연결된 커플링수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체칩.

Description

전원노이즈감소를 위한 전원라인구조를 가지는 반도체칩
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체칩에서 전원노이즈를 감소시키기 위한 전원라인 구조의 일실시예를 개략적으로 보여주는 도면.
제2A도는 제2도에서 사용된 전용전원발생기의 실시예를 보여주는 회로도.
제2B도는 제2도에 따른 전원라인의 구조가 반도체칩에 실제적으로 설게된 경우를 보여주는 도면.
제3도는 본 발명에 따른 반도체칩에서 전원노이즈를 감소시키기 위한 전원라인 구조의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면.
제3A도는 제3도에 따른 전원라인의 구조가 반도체칩에 실제적으로 설계된 경우를 보여주는 도면.

Claims (7)

  1. 전원전압라인과 접지전압라인을 가지는 반도체칩에 있어서, 상기 전원전압라인과 상기 접지전압라인사이에 배치되고 적어도 상기 전원전압의 전위와 상기 접지전압의 전위를 가지는 정온전압이 공급되는 정온정원라인과, 상기 정온전원라인 및 상기 전원전압라인사이와 상기 접지전압라인 및 상기 정온전원라인사이에 각각 연결된 커플링수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체칩.
  2. 제1항에 있어서, 상기 커플링수단이 씨모오스제조공정에 의해 형성된 캐피시터임을 특징으로 하는 반도체칩.
  3. 전원전압라인과 접지전압라인을 가지는 반도체칩에 있어서, 상기 전원전압의 전위와 동일한 전위의 전압이 공급되는 정온전원전압라인과, 상기 접지전압과 동일한 전위의 전압이 공급되는 정온접지전압라인과, 상기 정온전원전압라인과 상기 접지전압라인사이에 연결된 접지전압케플링수단과, 상기 전원전압라인과 상기 정온접지전압라인사이에 전원전압커플링수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체칩.
  4. 제3항에 있어서, 상기 커플링수단들이 씨모오스제조공정에 의해 형성된 캐피시터임을 특징으로 하는 반도체칩.
  5. 제3항에 있어서, 정온전원전압라인과 상기 전원전압라인이 상기 반도체칩내에 구비된 하나의 전원전압패드에 연결되고, 상기 정온접지전압라인과 상기 접지전압라인이 상기 반도체칩내에 구비된 하나의 접지전압패드에 연력됨을 특징으로 하는 반도체칩.
  6. 메모리어레이에 전원을 공급하기 위한 메모리어레이용 전원전압라인 및 접지전압라인과 주변회로들에 전원을 공급하기 위한 주변회로용전원전압라인 및 접지전압라인을 가지는 반도체칩에 있어서, 적어도 상기 주변회로용 전원전압의 전위와 상기 주변회로용접지전압의 전위사이의 전위를 가지는 정온전압이 공급되는 정온전원라인과 상기 전원전압라인 및 상기 주변회로용전원전압라인사이와 상기 주변회로용접지전압라인 및 상기 정온전원라인사이에 연결된 커플링수단을 적어도 구비함을 특징으로 하는 반도체칩.
  7. 메모리어레이에 전원을 공급하기 위한 메모리어레이용전원전압라인 및 접지전압라인과 주변회로들에 전원을 공급하기 위한 주변회로용전원전압라인 및 접지전압라인을 가지는 반도체칩에 있어서, 상기 주변회로용전원전압의 전위와 동일한 전위의 전압이 공급되는 정온전원전압라인과, 상기 주변회로용접지전압과 동일한 전위의 전압이 공급되는 정온접지전압라이노가, 상기 정온전원전압라인과 상기 주변회로용접지전압라인사이에 연결된 접지전압커플링수단과, 상기 주변회로용 전원전압라인과 상기 정온접지전압라인사이에 연결된 전원전압커플링 수단을 적어도 구비함을 특징으로 하는 반도체칩.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930017783A 1993-09-06 1993-09-06 전원노이즈감소를 위한 전원라인구조를 가지는 반도체칩 KR970005691B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930017783A KR970005691B1 (ko) 1993-09-06 1993-09-06 전원노이즈감소를 위한 전원라인구조를 가지는 반도체칩
US08/291,943 US5535152A (en) 1993-09-06 1994-08-17 Semiconductor chip having a low-noise power supply arrangement

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930017783A KR970005691B1 (ko) 1993-09-06 1993-09-06 전원노이즈감소를 위한 전원라인구조를 가지는 반도체칩

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950010049A true KR950010049A (ko) 1995-04-26
KR970005691B1 KR970005691B1 (ko) 1997-04-18

Family

ID=19362951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930017783A KR970005691B1 (ko) 1993-09-06 1993-09-06 전원노이즈감소를 위한 전원라인구조를 가지는 반도체칩

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5535152A (ko)
KR (1) KR970005691B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010008439A (ko) * 1998-12-30 2001-02-05 김영환 전자노이즈 감소 회로

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08195083A (ja) * 1995-01-17 1996-07-30 Toshiba Microelectron Corp 半導体記憶装置
KR0170906B1 (ko) * 1995-11-01 1999-03-30 김주용 반도체 기억장치의 파워라인 커플링 방지 회로
JP3556388B2 (ja) * 1996-04-23 2004-08-18 株式会社 沖マイクロデザイン 半導体メモリ装置
US5942951A (en) * 1997-03-11 1999-08-24 Stmicroelectronics, Inc. Method and apparatus for reducing a noise differential in an electronic circuit
US6730989B1 (en) 2000-06-16 2004-05-04 Infineon Technologies Ag Semiconductor package and method
US20060077002A1 (en) * 2004-10-08 2006-04-13 White Richard T Apparatus and methods for saving power and reducing noise in integrated circuits

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4855613A (en) * 1987-05-08 1989-08-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wafer scale integration semiconductor device having improved chip power-supply connection arrangement
KR910008099B1 (ko) * 1988-07-21 1991-10-07 삼성반도체통신주식회사 메모리 칩의 파워 및 시그널라인 버싱방법
JP2894635B2 (ja) * 1990-11-30 1999-05-24 株式会社東芝 半導体記憶装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010008439A (ko) * 1998-12-30 2001-02-05 김영환 전자노이즈 감소 회로

Also Published As

Publication number Publication date
KR970005691B1 (ko) 1997-04-18
US5535152A (en) 1996-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920000072A (ko) 반도체 집적회로
KR950024339A (ko) 반도체 집적회로장치
KR920001541A (ko) 반도체 집적 회로장치
KR910019048A (ko) 반도체 집적 회로 장치
KR920003654A (ko) 반도체 집적회로장치
KR960039338A (ko) 반도체 집적회로장치
TW288117B (en) Semiconductor integrated circuit device
KR880009447A (ko) 레치업 방지회로를 가진 c-mos 집적회로장치
KR960039231A (ko) 칩면적을 줄일수 있는 패드구조를 가지는 반도체 메모리장치
KR950010049A (ko) 전원노이즈감소를 위한 전원라인구조를 가지는 반도체칩
KR960043164A (ko) 내부회로가 받는 노이즈의 영향을 적제하는 반도체장치
KR910019236A (ko) 반도체장치
KR920010906A (ko) 반도체 기억장치
KR920022670A (ko) 자체에 바이어스 회로를 갖는 복수의 이산형 ic에 대한 공통 바이어스 회로
KR900017165A (ko) 스탠다드셀방식의 반도체집적회로
KR970013737A (ko) 반도체 메모리장치의 데이타 출력 드라이버
KR930009056A (ko) 제1전압 부스팅 회로를 가진 집적 회로
KR930001218A (ko) 2중 포트 기억장치
KR920003496A (ko) 반도체장치
KR970060479A (ko) 반도체장치
KR960043146A (ko) 본딩패드옵션을 구비한 집적회로장치와 본딩패드옵션의 실행방법
KR880010503A (ko) 반도체 장치
KR900019214A (ko) 반도체장치
EP0329100A3 (en) Semiconductor device comprising a logic circuit and a memory
KR930001392A (ko) 반도체 메모리 장치의 전원 접지선 배선방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110729

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee