KR920000072A - 반도체 집적회로 - Google Patents

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도시로 다까하시
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미다 가쓰시게
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 관한 반도체집적회로의 전원계통에 착안한 전체블럭도,
제2도는 입출력회로에 포함되는 출력버퍼회로의 제1예의 논리 회로도,
제3도는 1도의 반도체집적회로에서의 칩의 1예의 개략적인 배치도

Claims (10)

  1. 제1의 외부전원전압단자, 제2의 외부전원전압단자, 상기 제1의 외부전원전압단자에 그 제1의 전원전압단자가 결합되는 기준전압 발생회로, 상기 제2의 외부전원전압단자에 그 제1의 전원전압단자가 결합되고, 상기 기준 전압 발생회로의 출력 신호에 따라서 내부 전원전압을 형성하는 내부 전원전압형성회로 및 상기 내부전원전압이 그 전원전압단자에 결합되는 내부회로를 포함하는 반도체 집적회로.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 내부전원전압형성회로는 상기 제2의 외부전원전압단자에 공급되는 외부전원전압을 이 외부전원전압의 값과 다른 내부 전원전압으로 변환하는 수단을 갖는 반도체 집적회로.
  3. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 또 상기 기준전압발생회로의 제2의 전원전압단자와 상기 내부 전원전압형성회로의 제2의 전원전압단자에 결합되는 제3의 외부전원전압단자를 포함하고, 상기 제1의 외부전원전압단자와 상기 제2의 외부전원전압단자는 고레벨측 전원전압을 받는데 적용되고, 상기 제3의 외부전원전압단자는 저레벨측 전원전압을 받는데 적용되는 반도체 집적회로.
  4. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 변환수단은 상기 제2의 외부전원전압 단자에 공급되는 외부전원전압을 이 외부전원전압보다 낮은 내부전원전압으로 변환하는 반도체 집적회로
  5. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 또 상기 기준전압발생회로의 제2의 전원전압단자와 상기 내부 전원전압형성회로의 제2의 전원전압단자에 결합되는 제3의 외부전원전압단자를 포함하고, 상기 제1의 외부전원전압단자와 상기 제2의 외부전원전압단자는 저레벨측 전원전압을 받는데 적용되고, 상기 제3의 외부전원전압단자는 고레벨측 전원전압을 받는데 적용되는 반도체 집적회로.
  6. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 변환수단은 상기 제2의 외부전원전압단자에 공급되는 외부전원전압을 이 외부전원전압보다 높은 내부전원전압으로 변환하는 반도체 집적회로
  7. 반도체 칩위에 형성되는 마이크로컴퓨터에 있어서, 제1의 외부전원전압단자와, 제2의 외부전원전압단자, 상기 제1의 외부전원전압단자에 그 제1의 전원전압단자가 결합되는 기준전압 발생회로, 상기 제2의 외부전원전압단자에 긔 제1의 전원전압단자가 결합되고, 상기 기준전압 발생회로의 출력신호에 따라서 내부 전원전압을 형성하는 내부전원전압형성회로 및 상기 내부전원전압이 그 전원전압단자에 결합되는 내부회로를 포함하는 마이크로컴퓨터.
  8. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 내부전원전압형성회로는 상기 제2의 외부전원전압단자에 공급되는 외부전원전압을 이 외부전원전압의 값과 다른 내부 전원전압으로 변환하는 수단을 갖는 마이크로컴퓨터.
  9. 특허청구의 범위 제8항에 있어서, 또 상기 기준전압발생회로의 제2의 전원전압단자와 상기 내부 전원전압형성회로의 제2의 전원전압단자에 결합되는 제3의 외부전원전압단자를 포함하고, 상기 제1의 외부전원전압단자와 상기 제2의 외부전원전압단자는 고레벨측 전원전압을 받는데 적용되고, 상기 제3의 외부전원전압단자는 저레벨측 전원전압을 받는데 적용되는 마이크로컴퓨터.
  10. 특허청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 변환수단은 상기 제2의 외부전원전압단자에 공급되는 외부전원전압을 이 외부전원전압보다 낮은 내부전원전압으로 변환하는 마이크로 컴퓨터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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