KR960012464A - 트랜지스터 보호회로 - Google Patents

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KR960012464A
KR960012464A KR1019950030094A KR19950030094A KR960012464A KR 960012464 A KR960012464 A KR 960012464A KR 1019950030094 A KR1019950030094 A KR 1019950030094A KR 19950030094 A KR19950030094 A KR 19950030094A KR 960012464 A KR960012464 A KR 960012464A
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KR1019950030094A
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신이찌 후쿠자코
야스히로 후쿠다
Original Assignee
가나미야지 준
오끼뎅끼 고오교오 가부시끼가이샤
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Abstract

바이폴라 트랜지스터에서 되는 반도체 집적회로에 대한 외부에서의 정전기서지에 대하여 충분한 크램프 특성이 얻게 되도록 한 트랜지스터 보호회로를 제공한다.
바이폴라 트랜지스터에 있어서 트랜지스터 보호회로(10)는 입력단자(1)와 전원전위 Vcc의 사이에 접속된 다이오드(3)와 입력단자(1)와 접지전위 Vee과의 사이에 접속된 다이오드(5)와 다이오드(3)(5) 각각의 기생저항인 저항(2)(6)과 바이폴라 트랜지스터(8)의 E-B접합간에 해당 E-B접합의 방향이 역으로 되도록한 방향으로 접속된 보호소자인 다이오드(7)로 된다.

Description

트랜지스터 보호회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1의 실시예를 나타내는 트랜지스터 보호회로,
제2도는 본 발명의 제2의 실시예를 나타내는 트랜지스터 보호회로,
제3도는 본 발명의 제3의 실시예에 의한 크램프 특성의 향상을 표시하는 비교도.

Claims (10)

  1. 적어도 하나 이상의 단자를 구비하는 바이폴라 트랜지스터로 있어 해당단자에 외부에서의 정전기 서지가 가하게 되는 경우 에미터 베이스 접합이 역바이어스로 되도록한 상기 바이폴라 트랜지스터를 보호하는 트랜지스터 보호회로에 있어서, 상기 에미터 ·베이스 접합간에 배치 접속한 보호소자를 설치한 것을 특징으로 하는 트랜지스터 보호회로.
  2. 적어도 하나 이상의 단자를 구비하는 바이폴라 트랜지스터로 있어 해당 단장 외부에서의 정전기 서지가 가하게 되는 경우 에미터 ·베이스 접합이 역바이어스로 되도록한 상기 바이폴라 트랜지스터를 보호하는 트랜지스터 보호회로에 있어서, 상기 에미터·베이스 접합간에 배치 접속한 보호소자와, 상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스와, 상기 보호소자와의 사이에 배치 접속한 저항을 설치한 것을 특징으로 하는 트랜지스터 보호회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 보호소자는 다이오드 혹은 트랜지스터 PN 접합인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 보호회로.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 보호소자는 상기 에미터·베이스 접합간과 역의 극성을 가지는 PN 접합인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 보호회로.
  5. 베이스가 입력에 접속되어 해당입력에 정전기 서지가 걸린 경우에 에미터 ·베이스 접합이 역바이어스로 되도록한 바이폴라 트랜지스터를 보호하는 트랜지스터 보호회로에 있어서, 상기 에미터 ·베이스 접합간에 배치 접속한 보호소자를 설치한 것을 특징으로 하는 트랜지스터 보호회로.
  6. 베이스가 입력에 접속되어 행당 입력에 정전기 서지가 걸린 경우에 에미터 ·베이스 접합이 역바이어스로 되도록한 바이폴라 트랜지스터를 보호하는 트랜지스터 보호회로에 있어서, 상기 에미터 ·베이스 접합간에 배치 접속한 보호소자와 상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 상기 보호소자와의 배치 접속한 제1의 저항체과를 설치한 것을 특징으로 하는 트랜지스터 보호회로.
  7. 베이스가 입력에 접속되어 해당입력에 정전기 서지가 걸린 경우에 에미터 ·베이스 접합이 역바이어스로 되도록한 바이폴라 트랜지스터를 보호하는 트랜지스터 보호회로에 있어서, 상기 에미터 ·베이스 접합간에 배치 접속한 보호소자와 상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 상기 보호소자과의 사이에 배치 접속한 제1의 저항체와 입력단자와 상기 보호소자과의 사이에 재치 접속한 제2의 저항체과를 설치한 것을 특징으로 하는 트랜지스터 보호회로.
  8. 제5항에 있어서, 입력단자와 상기 보호소자과의 사이에 배치 접속한 제2의 저항체를 설치한 것을 특징으로 하는 트랜지스터 보호회로.
  9. 제5항에 있어서, 상기 보호소자는 다이오드 혹은 트랜지스터 PN접합인 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 보호회로.
  10. 제5항에 있어서, 상기 보호소자는 상기 에미터 ·베이스 접합과 역의 극성을 가지는 PN 접합인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 보호회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950030094A 1994-09-14 1995-09-14 트랜지스터 보호회로 KR960012464A (ko)

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JP94-219943 1994-09-14
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