KR890007424A - 반도체집적회로 - Google Patents

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KR890007424A
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요이치 스즈키
마고토 세가와
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 관한 반도체 집적회로를 도시해 놓은 회로도.
제4도는 제3도에 도시된 반도체 집적회로의 동작을 도시해 놓은 전압파형도.
제5도는 본 발명의 제1실시예에 관한 반도체 집적회로를 도시해 놓은 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 입력버퍼회로 2 : 출력버퍼회로
3 : 반도체칩 4,5,10,11 : 본딩패드
6 : 인버터회로 7 : 출력버퍼회로의 제어회로
20 : 다이패드부 21∼23 : 내부리이드
31∼34 : 본딩배선 40 : 패키지의 아웃라인
100 : 접지레벨 200,300,400 : 배선
T1,T7: 부하구동형 N채널 MOS트랜지스터 T2: P챈널 MOS트랜지스터
T3∼T5: N챈널 MOS트랜지스터 LEX: 인덕턴스

Claims (10)

  1. 입력접속점(N5)을 갖추면서 입력신호를 수신하기 위한 입력회로수단(1)과, 출력신호를 출력시키기 위한 출력회로수단(2), 상기 출력회로수단(2)의 출력신호에 응답해서 변동되는 제1기준전압(VSS)을 수신하기 위한 입력회로수단(1)의 제1단자수단(4,32), 상기 출력회로수단(2)의 출력신호에 응답해서 변동되는 제2기준전압(VSS')을 수신하기 위한 출력회로수단(2)의 제2단자수단(11,31) 및, 상기 입력회로수단(1)의 입력접속점(N5)과 제1단자수단(4,32)사이의 전압변동을 보상시키기 위해 상기 입력회로수단(1)의 접속점에 제2기준전압(VSS')을 접속시키기 위한 접속수단(C)을 갖추어서 반도체칩 상에 형성되도록 된 반도체 집적회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접속수단이 캐패시터(C)로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  3. 제2항에 있어서, 입력신호를 수신하기 위한 입력단자수단(5)과, 이 입력단자수단(5)에 입력회로수단(1)의 입력접속점(N5)을 접속시키기 위한 저항수단(R)이 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 입력회로수단이 슈미트 트리거회로(T2∼T5)로 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 반토체 집적회로.
  5. 제4항에 있어서, 출력회로수단이 제2단자수단(11,31)에 접속된 소오스전극을 갖는 MOS트랜지스터(T1)로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  6. 제1항에 있어서, 제1단자수단이 반도체칩 상에 형성된 제1본딩패드(4)로 이루어지고, 제2단자수단이 반도체칩 상에 형성된 제1본딩패드(11)로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  7. 출력신호에 응답해서 변동되는 제1기준전압(VSS)을 수신하기 위한 제1패드수단(4,32)과, 출력신호에 응답해서 변동되는 제2기준전압(VSS')을 수신하기 위한 제2패드수단(11,31), 입력접속점을 갖추면서 제1기준전압(VSS)이 공급되도록 된 입력회로수단(1), 제2기준전압(VSS')이 공급되도록 된 출력회로수단(2) 및, 입력접속점과 제1패드수단(4,32)사이의 전압변동을 보상시키기 위해 입력접속점에 제2기준전압(V′SS)이 접속되는 접속수단(C)을 갖추어서 부하캐패시터(C1)로 출력신호를 출력시키도록 된 반도체 집적회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 입력회로수단(1)이, 전원전압이 공급되는 소오스전극과 드레인전극을 갖춘 제1도전형 제1MOS트랜지스터(T2)와, 상기 제1패드수단(4,32)에 접속되는 소오스전극과 상기 제1MOS트랜지스터(T2)의 드레인전극에 접속되는 드레인전극을 갖춘 제2도전형 제2MOS트랜지스터(T5)로 이루어지도록 된 반도체 집적회로.
  9. 제8항에 있어서, 출력회로수단(2)이 제2패드수단(11,31)에 접속되는 소오스전극과 부하캐패시터(C1)에 접속되는 드레인전극을 갖춘 제2도전형 제3MOS트랜지스터(T1)로 이루어지도록 된 반도체 집적회로.
  10. 제9항에 있어서, 입력신호를 수신하기 위한 제3패드수단(5)과, 이 제3패드수단(5)으로 입력회로수단(1)의 입력접속점(N5)을 접속하기 위한 저항수단(R)이 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880013878A 1987-10-28 1988-10-24 반도체 집적회로 KR910010188B1 (ko)

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JP272111 1987-10-28
JP62-272111 1987-10-28

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