KR900015454A - 유도성 부하상의 파워 mos 트랜지스터 제어회로 - Google Patents

유도성 부하상의 파워 mos 트랜지스터 제어회로 Download PDF

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KR900015454A
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르 투스 제라르
바루 미셀
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삐에르 올리비에
에스지에스-톰슨 마이크로일렉트로닉스 에스. 에이.
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Abstract

내용 없음.

Description

유도성 부하상의 파워 MOS 트랜지스터 제어회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 4도는 본 발명에 따라 파워MOS트랜지스터를 통해 유도성 부하를 공급하는 회로를 보인 도면

Claims (4)

  1. 파워MOS트랜지스터, 논리적 MOS트랜지스터와 양극 트랜지스터를 동일한 집적회로 칩 내에 통합시키는 기술에 따라 형성되고, 접지기판은, 한편으로 파워MOS트랜지스터내에서 캐소드가 드레인으로 형성되는 다이오드의 애노드로 구성되고, 다른 한편으로는, 양극 트랜지스터 내에서 캐소드가 콜렉터로 형성되는 다이오드의 애노드로 구성되며, 파워MOS트랜지스터의 게이트(GP)는 한편으로 전압부스터회로(3)에 접속되고 다른 한편으로 논리적 MOS트랜지스터(ML)의 드레인(DL)에 접속되며, 드레인(DP)에 의해 전원소오스의 제 1단자(1)에 접속되고 소오스(SP)에 의해 자유단자가 전원소오스의 제2단자(2)에 접속되는 유도성부하(L)에 접속되는 파워MOS트랜지스터(MP)와, 전원소오스에서 전압을 공급받고 논리적 MOS트랜지스터의 게이트(GL)에 접속되는 출력부(63)을 구비하며 사실상의 전압강하를 견디는 보조접속부를 통해 논리적 MOS트랜지스터의 소오스(SL)에 접속되는 제어회로(56)과, 제어회로가 전원소오스로부터 이용가능한 전압으로 논리적 MOS트랜지스터의 스위칭을 제어할 수 있도록, 전원전압(VCC)에서 파워MOS트랜지스터가 도전될 때 결정되는 임계전압을 뺀 값보다 낮은 전압으로 논리적 MOS트랜지스터의 전원전압을 제한하는 수단으로 구성됨을 특징으로 하는 파워MOS트랜지스터 제어 회로.
  2. 제1항에 있어서, 논리적 MOS트랜지스터의 소오스전압을 제한하는 상기 수단이, -콜렉터(71)가 전원소오스의 제1단자(1)에 접속되고, 에미터(72)가 파워MOS트랜지스터(MP)의소오스(SP)에 접속되며, 베이스(73)는 논리적 MOS트랜지스터(ML)의 소오스(SL)에 접속되는 NPN양극 트랜지스터(TB)와, -에미터(75)가 논리적 MOS트랜지스터의 소오스에 접속되고, 콜렉터(76)가 전원소오스의 제2단자(2)에 접속되는 제1PNP양극 트랜지스터(Q1)와, -콜렉터(78)가, 한편으로, 제1PNP양극 트랜지스터에 직접 접속되고 다른한편으로는 전류소오스(79)를 통해 전원소오스의 제2단자에 접속되는 제1PNP 양극 트랜지스터의 베이스(77)에 베이스(77-1)가 접속되고, 에미터(80)는 제1제너다이오드(81)를 통해 전원소오스의 제1단자에 접속되며, 제2제너 다이오드(82)는 NPN양극 트랜지스터(TB)의 베이스와 논리적MOS트랜지스터(ML)의 게이트간에 접속되는 제2PNP양극 트랜지스터(Q2)로 구성되는 클램핑 전압회로(70)로 이루어짐을 특징으로 하는 파워 MOS트랜지스터 제어회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 임계전압이 논리적 MOS트랜지스터의 드레인과 소오스 사이에서 그 이하에서는 논리적 MOS트랜지스터가 차단되는 임계전압임을 특징으로 하는 파워MOS트랜지스터 제어회로.
  4. 제1항에 있어서, NPN양극 트랜지스터(TB)가 10보다 낮은 이득을 가짐을 특징으로 하는 파워MOS트랜지스터 제어회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900003294A 1989-03-15 1990-03-12 유도성 부하상의 파워 mos 트랜지스터 제어회로 KR900015454A (ko)

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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5265003A (en) * 1990-07-25 1993-11-23 Power Trends Miniaturized switching power supply with programmed level gate drive
JPH04170815A (ja) * 1990-11-05 1992-06-18 Nissan Motor Co Ltd ハイサイド・スイッチ回路及び半導体装置
IT1248607B (it) * 1991-05-21 1995-01-19 Cons Ric Microelettronica Circuito di pilotaggio di un transistore di potenza con una corrente di base funzione predeterminata di quella di collettore
US5347169A (en) * 1992-09-08 1994-09-13 Preslar Donald R Inductive load dump circuit
EP0627807B1 (en) * 1993-05-27 1998-08-12 Fujitsu Limited Power line connection circuit and power line switch IC for the same
US5420532A (en) * 1993-08-20 1995-05-30 Texas Instruments Incorporated Synchronous rectifying circuit
SE502429C2 (sv) * 1994-02-21 1995-10-16 Ellemtel Utvecklings Ab Signalmottagande och signalbehandlande krets
SE503568C2 (sv) * 1994-03-23 1996-07-08 Ericsson Telefon Ab L M Signalmottagande och signalbehandlande enhet
DE4410560A1 (de) * 1994-03-26 1995-09-28 Philips Patentverwaltung Schaltungsanordnung zum Liefern eines Signalwechselstromes
JP3123337B2 (ja) * 1994-03-31 2001-01-09 富士電機株式会社 電圧駆動型半導体素子用のゲート駆動用回路装置
GB9424666D0 (en) * 1994-12-07 1995-02-01 Philips Electronics Uk Ltd A protected switch
US5672992A (en) * 1995-04-11 1997-09-30 International Rectifier Corporation Charge pump circuit for high side switch
US5592117A (en) * 1995-04-11 1997-01-07 International Rectifier Corporation Integrated MOSgated power semiconductor device with high negative clamp voltage and fail safe operation
US5822141A (en) * 1996-03-27 1998-10-13 International Business Machines Corporation High speed FET write driver for an inductive head
US5812006A (en) * 1996-10-29 1998-09-22 Texas Instruments Incorporated Optimized power output clamping structure
US5959494A (en) * 1997-08-22 1999-09-28 Exar Corporation High-voltage switch control
US5999034A (en) * 1998-01-28 1999-12-07 Sun Microsystems, Inc. Pull-down driver circuit for 3.3V I/O buffer using 1.9V fabrication process
IT1313850B1 (it) * 1999-11-25 2002-09-24 St Microelectronics Srl Circuito "high side" ad alta efficienza.
US6392463B1 (en) * 2000-07-07 2002-05-21 Denso Corporation Electrical load driving circuit with protection
US6707275B2 (en) * 2000-09-07 2004-03-16 Denso Corporation Automative generator control apparatus
DE10147311C2 (de) * 2001-09-26 2003-07-31 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer Last
JP4390515B2 (ja) * 2003-09-30 2009-12-24 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 出力ｍｏｓトランジスタの過電圧保護回路
US6975146B1 (en) * 2004-01-02 2005-12-13 Sauer-Danfoss Inc. High side NFET gate driving circuit
JP4401183B2 (ja) * 2004-02-03 2010-01-20 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路
US7849336B1 (en) * 2007-04-17 2010-12-07 Nvidia Corporation Boost voltage generation
JP5438470B2 (ja) * 2009-11-05 2014-03-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電力供給制御回路
DE102014112760A1 (de) * 2013-09-20 2015-03-26 Maxim Integrated Products, Inc. Systeme und Verfahren zum Entladen von Induktivitäten mit Temperaturschutz
JP2021034839A (ja) * 2019-08-22 2021-03-01 株式会社オートネットワーク技術研究所 スイッチ装置
JP2021034838A (ja) * 2019-08-22 2021-03-01 株式会社オートネットワーク技術研究所 出力装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8302092A (nl) * 1983-06-13 1985-01-02 Philips Nv Halfgeleiderinrichting bevattende een veldeffekttransistor.
US4603269A (en) * 1984-06-25 1986-07-29 Hochstein Peter A Gated solid state FET relay
FR2571178B1 (fr) * 1984-09-28 1986-11-21 Thomson Csf Structure de circuit integre comportant des transistors cmos a tenue en tension elevee, et son procede de fabrication
US4599555A (en) * 1985-01-22 1986-07-08 Eaton Corporation Solid state DC power control system
US4728826A (en) * 1986-03-19 1988-03-01 Siemens Aktiengesellschaft MOSFET switch with inductive load
IT1216481B (it) * 1988-02-29 1990-03-08 Sgs Thomson Microelectronics Potenza. dispositivo circuitale a basso assorbimento per comandare in accensione un transistore di
FR2630276B1 (fr) * 1988-04-14 1992-07-03 Bendix Electronics Sa Circuit de commande d'une charge inductive

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Publication number Publication date
DE69027240T2 (de) 1997-01-23
FR2644651B1 (fr) 1991-07-05
FR2644651A1 (fr) 1990-09-21
US5028811A (en) 1991-07-02
JP2959030B2 (ja) 1999-10-06
DE69027240D1 (de) 1996-07-11
EP0388329B1 (fr) 1996-06-05
JPH02268512A (ja) 1990-11-02
EP0388329A1 (fr) 1990-09-19

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