KR950002866Y1

KR950002866Y1 - 신호입력 레벨 검출회로

Info

Publication number: KR950002866Y1
Application number: KR2019890003673U
Authority: KR
Inventors: 허동현
Original assignee: 금성일렉트론 주식회사; 문정환
Priority date: 1989-03-30
Filing date: 1989-03-30
Publication date: 1995-04-15
Also published as: KR900017930U

Abstract

내용 없음.

Description

신호입력 레벨 검출회로

제1도는 종래의 신호 입력 레벨 검출 회로도.

제2도는 본 고안에 따른 신호 입력 레벨 검출 회로도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

Q₁∼Q₁: 트랜지스터 ZD₁: 제너다이오드

D₁, D₂: 다이오드 R₁∼R₇: 저항

본 고안은 입력전압의 크기를 검출하는 회로에 관한 것으로, 특히 전화기의 리잉(Rining) 신호를 검출하는데 적당하도록 한 신호입력 레벨 검출회로에 관한 것이다.

종래 신호 입력 레벨 회로의 구성 및 동작상태를 설명하면 다음과 같다.

먼저 제1도에서 그 구성을 보면 Vcc 전원 입력라인에 트랜지스터(Q₅, Q₆)의 에미터 및 트랜지스터(Q₁)의 콜렉터와 저항(R₄, R₅)의 한측단과 다이오드(D₁)의 애노우드가 연결되고 트랜지스터(Q₅, Q₆)의 각 베이스는 접속되어 트랜지스터(Q₆)의 콜렉터와 다이오드(D₂)의 애노우드에 동시 연결되며 트랜지스터(Q₅)의 콜렉터는 트랜지스터(Q₇)의 에미터와 연결되고 트랜지스터(Q₇)의 베이스는 다이오드(D₂)의 캐소우드와 연결되고, 그 콜렉터는 트랜지스터(Q₁₀)의 베이스와 다이오드(D₃)의 캐소우드에 동시 연결되고 트랜지스터(Q₁₀)의 에미터는 출력(Out)단과 연결되는 동시에 저항(R₆)을 거쳐 트랜지스터(Q₂)의 베이스와 연결되며 다이오드(D₃)의 애노우드는 트랜지스터(Q₄, Q₈)의 콜렉터와 트랜지스터(Q₈, Q₉)의 베이스에 동시 연결되고 트랜지스터(Q₈)의 에미터는 접지되고 트랜지스터(Q₉)의 에미터는 저항(Q₇)을 거쳐 접지로 연결된다.

트랜지스터(Q₂)의 에미터는 접지되고 그 콜렉터는 트랜지스터(Q₃)의 베이스와 트랜지스터(Q₁)의 콜렉터에 동시 연결되고 트랜지스터(Q₁)의 에미터는 저항(R₄)과 연결되고 트랜지스터(Q₁)의 베이스는 다이오드(D₁)의 캐소우드와 저항(R₁)에 동시 연결되며 트랜지스터(Q₃)의 에미터는 접지되고 그 콜렉터는 저항(R₂, R₃)의 접속단과 제너다이오드(ZD₁)의 애노우드에 동시 연결되고 제너다이오드(ZD₁)의 캐소우드는 트랜지스터(Q₄)의 베이스와 저항(R₅)과 동시 연결되고 트랜지스터(Q₄)의 에미터는 저항(R₁, R₂)의 접속점에 연결되는 구성이다.

상기 구성회로의 동작상태를 보면, 전원전압(Vcc)이 어느전압 이상으로 상승하면 제너다이오드(ZD₁)가 제너항복(ZENER BREAK DOWN)을 일으키므로 트랜지스터(Q₄)의 베이스로 '로우' 전원이 인가되어 트랜지스터(Q₄)가 '턴온'하게 되고 트랜지스터(Q₄)가 '온'되면 트랜지스터(Q₈, Q₉)의 베이스로 '하이' 전원이 인가되어 트랜지스터(Q₈, Q₉)도 '턴온'하게되고 트랜지스터(Q₉)가 '턴온'되면 트랜지스터(Q₅∼Q₇)도 '턴온'되며 트랜지스터(Q₇)가 '턴온'되면 트랜지스터(Q₁₀)의 베이스도 '하이'전위가 인가되어 트랜지스터(Q₁₀)가 '턴온'하게 된다. 그 결과 트랜지스터(Q₁₀)의 에미터에는 일정전압이 나타나게 되고 다시 이 전압은 트랜지스터(Q₂)의 베이스로 인가되어 트랜지스터(Q₂)를 '턴온'시키므로 트랜지스터(Q₃)의 베이스로 '로우' 전위가 인가되어 트랜지스터(Q₃)가 '오프'되어 제너다이오드(ZD₁)를 개방한다.

그러나 트랜지스터(Q₈-Q₉-Q₅-Q₅)의 전류원은 제너다이오드(ZD₁)의 제너항복이 중지될때 계속 동작하게 된다.

그런데 종래 신호 입력레벨 검출회로는 저항을 많이 사용하므로 집적회로의 면적이 넓어지고 또 동작이 개시되는 전압을 조절할수 없는 단점이 있었다.

본 고안은 이러한 단점을 해결하기 위해 안출된 것으로서 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

첨부도면 제2도에서 그 구성을 보면, 전원전압(Vcc)라인에 트랜지스터(Q₁₁)의 콜렉터와 트랜지스터(Q₆, Q₇)의 에미터 및 저항(R₃)의 한측단과 트랜지스터(Q₃)의 에미터와 제너다이오드(ZD₁)의 캐소우드단이 연결되고, 트랜지스터(Q₆, Q₇)의 베이스는 접속되어 트랜지스터(Q₇)의 콜렉터와 다이오드(D₁)의 애노우드에 동시 연결되며, 트랜지스터(Q₆)의 콜렉터는 트랜지스터(Q₈)의 에미터와 연결되고 트랜지스터(Q₈)의 베이스는 다이오드(D₁)의 캐소우드와 트랜지스터(Q₁₀)의 콜렉터와 동시 연결되고 트랜지스터(Q₈)의 콜렉터는 트랜지스터(Q₁₁)의 베이스 및 다이오드(D₂)의 캐소우드에 동시 연결되며 다이오드(D₂)의 애노우드는 트랜지스터(Q₅, Q₈)의 콜렉터와 트랜지스터(Q₉, Q₁₀)의 배이스에 동시 연결되고 트랜지스터(Q₈)의 에미터는 접지되고 트랜지스터(Q₁₀)의 에미터는 저항(R₅)을 거쳐 접지된다.

트랜지스터(Q₅)의 에미터는 저항(R₃)의 나머지 한측단에 연결되고 트랜지스터(Q₅)의 베이스는 트랜지스터(Q₃)의 베이스와 접속되어 트랜지스터(Q₃)의 콜렉터 및 트랜지스터(Q₄)의 콜렉터와 동시 연결되고 트랜지스터(Q₄)의 에미터는 저항(R₂)을 거쳐 접지로 연결되고 그 베이스는 트랜지스터(Q₁)의 베이스와 접속되어 트랜지스터(Q₁, Q₂)의 콜렉터와 저항(R₁)의 한측단에 동시 연결되며 저항(R₁)의 다른 한측단은 제너 다이오드(ZD₁)의 애노우드와 연결되고 트랜지스터(Q₁, Q₂)의 에미터는 접지되며 트랜지스터(Q₂)의 베이스는 저항(R₄)을 거쳐 트랜지스터(Q₁₁)의 에미터와 연결되는 구성이다.

상기 구성회로의 동작상태를 설명하면, 전원전압(Vcc)이 상승하여 어느 일정전압 이상이 되면 제너 다이오드(ZD₁)가 제너항복을 일으키면 트랜지스터(Q₁, Q₄)의 베이스로 '하이' 전압이 인가되므로 트랜지스터(Q₁, Q₄)는 턴－온 하게되고 트랜지스터(Q₄)가 '온'됨으로 인하여 트랜지스터(Q₃, Q₅)도 '온'하게 되어 트랜지스터(Q₁－Q₄－Q₃－Q₅)의 전류원이 동작을 시작하고 이로인해 트랜지스터(Q₆－Q₇－Q₈－Q₉－Q₁₀) 및 다이오드(D₁, D₂)의 전류원이 동작된다. 그 결과 트랜지스터(Q₁₁)의 베이스로 '하이'전압이 인가되어 트랜지스터(Q₁₁)도 턴온하게 되어 트랜지스터(Q₁₁)의 에미터에는 일정전압이 출력되고 이때 이 전압은 트랜지스터(Q₂)이 베이스로 인가되어 트랜지스터(Q₂)를 턴온시켜 트랜지스터(Q₁, Q₄)의 전류원을 차단한다.

그러나 트랜지스터(Q₁₁)의 에미터에는 제너다이오드(ZD₁)의 제너항복이 중단될때 까지 전압이 계속 나온다.

따라서 본 고안은 저항을 줄여 집적회로의 면적을 줄일수 있고 저항(R₁, R₃)을 조절해서 전류 래치의 개시 전류의 크기를 조절함으로써 동작개시 전압을 조절할수 있는 효과가 있다.

Claims

전원전압 증가로 인해 제너항복을 일으키는 제너다이오드(ZD₁)와, 상기 제너다이오드(ZD₁)가 제너항복을 일으킬때 동작되는 트랜지스터(Q₁, Q₄)와, 상기 트랜지스터(Q₄)의 동작에 따라 동작되는 트랜지스터(Q₃, Q₅)와, 상기 트랜지스터(Q₅)의 동작에 따라 동작하는 트랜지스터(Q₆∼Q₁₀) 다이오드(D₁, D₂)와, 상기의 트랜지스터(Q₈)와 다이오드(D₂)의 접속단에 연결되어 그 에미터로 출력을 뽑아내는 트랜지스터(Q₁₁)와, 상기 트랜지스터(Q₁₁)의 에미터 전압에 의해 동작하여 트랜지스터(Q₁, Q₄)의 전류원을 차단하는 트랜지스터(Q₂)와, 동작개시 전압을 조절할수 있는 저항(R₁, R₃)을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 신호 입력 레벨 검출회로.