JP3151329B2 - データ出力回路 - Google Patents

データ出力回路

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JP3151329B2
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    • H03K19/017Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
    • H03K19/01707Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
    • H03K19/01721Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits by means of a pull-up or down element

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はデータ出力回路に係わ
り、特に単一の低電圧電源で駆動させるのに好適なデー
タ出力回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のデータ出力回路の構成を図7に示
す。半導体チップに内蔵された内部回路1の出力端に、
Pチャネルトランジスタ11及びNチャネルトランジス
タ12から成る出力バッファが接続されている。内部回
路1から、この出力バッファを駆動するための駆動信号
d及びd´が出力される。この信号d及びd´は同位相
であって、Pチャネルトランジスタ11とNチャネルト
ランジスタ12のゲートにそれぞれ入力される。Pチャ
ネルトランジスタ11及びNチャネルトランジスタ12
は、電源電圧VDD端子と接地電圧Vss端子との間に直列
に接続され、それぞれのドレインには出力端子Dout が
共通接続されている。
【0003】内部回路1から駆動信号d及びd´が出力
され、Pチャネルトランジスタ11及びNチャネルトラ
ンジスタ12のゲートにそれぞれ入力されて、いずれか
一方がオンしてハイレベル又はロウレベルの信号が出力
端子Dout より出力される。
【0004】しかし、このような従来のデータ出力回路
では、電源電圧VDDよりも高い電圧が出力端子Dout に
印加されると、出力端子Dout からPチャネルトランジ
スタ11を介して電源電圧VDD端子へ貫通電流I1 が流
れる。
【0005】図9に、このデータ出力回路の一部の縦断
面構造を示す。p型半導体基板71の表面にnウエル7
2が形成され、nウエル72内にp+ 型不純物領域から
成るソース領域73とドレイン領域74とが形成されて
いる。ここで、上述した貫通電流I1 は、出力端子Dou
t からドレイン領域74を介してnウエル72へと流れ
る。
【0006】さらに、ハイレベルの信号を出力する時
は、出力端子Dout をPチャネルトランジスタ11によ
り充電する必要がある。しかし、Pチャネルトランジス
タはNチャネルトランジスタよりも電流駆動能力が小さ
いので、出力速度の低下を招く。
【0007】図8に他の従来のデータ出力回路の構成を
示す。この回路は、図7に示された回路におけるPチャ
ネルトランジスタ11をNチャネルトランジスタ21に
置き換えたものに相当する。これに伴い、内部回路2か
らは逆相の駆動信号d及び/dが出力されて、Pチャネ
ルトランジスタ21及びNチャネルトランジスタ12の
ゲートにそれぞれ出力される。
【0008】このデータ出力回路によれば、上述したよ
うな貫通電流I1 やデータ出力速度に関する問題は解決
される。
【0009】しかし、図8に示された回路では、出力さ
れるハイレベルの信号の電圧は、最大でも、Nチャネル
トランジスタ21のゲートに印加される電源電圧VDDか
らこのトランジスタ21の閾値電圧を引いた電圧しか得
られない。よって、電源電圧VDDが3.3Vといった低
電圧電源を単一に用いているような場合には、不十分な
出力レベルしか得られない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のデ
ータ出力回路は、単一の低電圧電源を用いた場合に貫通
電流が基板に流れたり、データ出力速度の低下を招いた
り、あるいは十分なハイレベルの出力が得られないとい
った問題があった。
【0011】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、貫通電流の発生や出力速度の低下を防止し、十分な
ハイレベルの出力を得ることができるデータ出力回路を
提供することを目的とする。
【0012】本発明のデータ出力回路は、駆動信号を出
力する内部回路と、第1の電源電圧端子に一端が接続さ
れ、外部出力端子に他端が接続され、ゲートに前記駆動
信号を入力される第1のNチャネルトランジスタと、前
記外部出力端子に一端が接続され、第2の電源電圧端子
に他端が接続され、前記駆動信号が反転された反転駆動
信号をゲートに入力される第2のNチャネルトランジス
タと、前記第1の電源電圧端子に一端が接続され、ゲー
トに前記反転駆動信号を入力されるPチャネルトランジ
スタと、前記Pチャネルトランジスタの他端に一端が接
続され、前記外部出力端子に他端が接続され、第1の電
源電圧端子にゲートが接続され第3のNチャネルトラン
ジスタとを備え、前記第3のNチャネルトランジスタの
閾値電圧は、前記第1及び第2のNチャネルトランジス
タの閾値電圧よりも低く、前記駆動信号がハイレベルに
なると前記第1のNチャネルトランジスタ及びPチャネ
ルトランジスタがオンし前記第2のNチャネルトランジ
スタがオフし、前記第3のNチャネルトランジスタはオ
ン状態にあり、これにより、前記Pチャネルトランジス
タ及び前記第3のNチャネルトランジスタによって前記
外部出力端子の電圧が上昇し、第1の電源電圧端子から
供給されたハイレベルの電圧が前記第1のNチャネルト
ランジスタを介して前記外部出力端子から出力されるこ
とを特徴としている。ここで、第3のNチャネルトラン
ジスタは、ゲートが第1の電源電圧端子に接続されてい
る替わりに、駆動信号を入力されてもよい。
【0013】
【作用】ハイレベルの駆動信号が内部回路から出力さ
れ、外部出力端子からハイレベルの信号が出力されると
きは、第1の電源電圧端子から出力されたハイレベルの
電圧がPチャネルトランジスタ及び第3のNチャネルト
ランジスタを介して外部出力端子に供給される。このた
め、外部出力端子に第1の電源電圧端子の電圧よりも高
い電圧が印加されたとしても、第3のNチャネルトラン
ジスタが第1の電源電圧端子と外部出力端子との間に存
在することにより、外部出力端子から第1の電源電圧端
子へ電流が流れ込むことが防止される。また、第3のN
チャネルトランジスタの閾値電圧は、他の第1、第2の
Nチャネルトランジスタの閾値電圧よりも低く設定され
ているので、ハイレベルの信号を出力する時にもハイレ
ベルとして十分な高さのレベルを確保することができ
る。さらに、ハイレベルの信号を出力する時に、外部出
力端子を充電するのはPチャネルトランジスタよりも電
流駆動能力が高い第3のNチャネルトランジスタである
ため、高速度で充電することが可能であり、出力速度の
低下が防止される。
【0014】
【実施例】以下、本発明と関連する参考例、及び本発明
の実施例について図面を参照して説明する。先ず、第1
の参考例としてのデータ出力回路の構成を図1に示す。
内部回路1の出力側に、Pチャネルトランジスタ31と
Nチャネルトランジスタ32及び33から成る出力バッ
ファが設けられている。Pチャネルトランジスタ31と
Nチャネルトランジスタ32が、電源電圧VDD端子と接
地電圧Vss端子との間に直列に接続されており、それぞ
れのゲートには内部回路1より同相の駆動信号d及びd
´が印加される。
【0015】Pチャネルトランジスタ31及びNチャネ
ルトランジスタ32のドレインには、Nチャネルトラン
ジスタ33の一端が接続され、他端が出力端子Dout に
接続されている。
【0016】ここで、Nチャネルトランジスタ33のゲ
ートには電源電圧VDDが印加されており、この閾値電圧
はNチャネルトランジスタ32の閾値電圧よりも低く設
定されている。
【0017】内部回路1から出力される駆動信号d及び
d´が、ハイレベルからロウレベルへと変化すると、N
チャネルトランジスタ32がオンからオフ状態へと切り
替わり、Pチャネルトランジスタ31はオフからオン状
態へ切り替わる。また、Nチャネルトランジスタ33
は、ノーマリオンの状態にある。これにより、ハイレベ
ルの信号が、電源電圧VDD端子からPチャネルトランジ
スタ31とNチャネルトランジスタ33とを介して出力
端子Dout が充電されることで出力される。ここで、N
チャネルトランジスタ33の閾値電圧は低く設定されて
いるため、電源電圧が3.3Vと低い場合にも十分なレ
ベルが得られる。
【0018】また、Pチャネルトランジスタ31のドレ
インがNチャネルトランジスタ33を介して出力端子D
out に接続されている。このため、出力端子Dout に電
源電圧VDDより高い電圧が印加されても、出力端子Dou
t から電源電圧VDDへ電流が流れたり、あるいは出力端
子Dout からPチャネルトランジスタ31のドレイン領
域を介して半導体基板へ電流が流れることが防止され
る。
【0019】図2に、第2の参考例によるデータ出力回
路の構成を示す。この回路では、電源電圧VDD端子と接
地電圧Vss端子との間に、Pチャネルトランジスタ4
4、Nチャネルトランジスタ41及びNチャネルトラン
ジスタ42が直列に接続されている。Nチャネルトラン
ジスタ41及び42のゲートに、内部回路2より逆相の
駆動信号d及び/dが入力される。Pチャネルトランジ
スタ44のゲートには、駆動信号dがインバータ43に
より反転されてノードaを介して印加される。ここで、
Nチャネルトランジスタ41の閾値電圧は、Nチャネル
トランジスタ42の閾値電圧よりも低く設定されてい
る。
【0020】ハイレベルの信号の出力は、駆動信号dが
ハイレベルであり、インバータ43によりこの駆動信号
dが反転されたロウレベルの信号がノードaに出力され
た時に、Pチャネルトランジスタ44とNチャネルトラ
ンジスタ41がオンすることで行われる。この場合に、
Nチャネルトランジスタ41の閾値電圧は低く設定され
ているので、出力端子Dout からは十分なハイレベルの
信号が出力される。
【0021】ところで、上述した第1の参考例では、ハ
イレベルの出力はPチャネルトランジスタ31とNチャ
ネルトランジスタ33を介して出力端子Dout が充電さ
れることで行われる。ロウレベルの出力は、Nチャネル
トランジスタ33とPチャネルトランジスタ32とを介
して出力端子Dout が放電されることで行われる。この
ように、いずれのデータを出力するためにも充放電が必
要である。
【0022】これに対し、第2の参考例ではロウレベル
の信号を出力する場合、出力端子Dout をNチャネルト
ランジスタ42のみを介して放電すればよく高速化され
る。
【0023】本発明の第1の実施例について、図3を参
照して説明する。電源電圧VDD端子と接地電圧Vss端子
との間にNチャネルトランジスタ51及び52が直列に
接続され、それぞれのゲートには内部回路2から出力さ
れる駆動信号d及び/dが入力される。電源電圧VDD端
子と出力端子Dout との間に、Pチャネルトランジスタ
53及びNチャネルトランジスタ54が直列に接続され
ている。Pチャネルトランジスタ53のゲートには、駆
動信号dがインバータ55で反転されてノードaを介し
て入力され、Nチャネルトランジスタ54のゲートには
電源電圧VDDが入力される。
【0024】ハイレベルの信号が出力される時は、ハイ
レベルの駆動信号dによりNチャネルトランジスタ51
がオンし、出力端子Dout が充電される。Nチャネルト
ランジスタ51のみの充電によるハイレベルの信号は、
最大で電源電圧VDDからNチャネルトランジスタ51の
閾値電圧を引いたレベルとなる。しかし、この実施例で
はPチャネルトランジスタ53がロウレベルの信号をゲ
ートに入力されてオンし、このトランジスタ53とノー
マリオン状態のNチャネルトランジスタ54とを介して
出力端子Dout を充電する。そして、Nチャネルトラン
ジスタ54は閾値電圧が低く設定されているため、出力
端子Dout からは十分なレベルを持つハイレベルの信号
が出力される。またPチャネルトランジスタより電流駆
動能力の大きいNチャネルトランジタ51を介しての充
電によりハイレベル出力が高速化される。
【0025】ここで、この時の駆動信号d及び/dの出
力波形と、Pチャネルトランジスタ53のゲートに入力
されるノードaの電位のタイミング波形とを、図4
(a)に示す。ここでは、駆動信号dはロウレベルから
ハイレベルへと変化し、駆動信号/dはハイレベルから
ロウレベルへ変化している。ノードaの電位は、駆動信
号dよりも所定時間遅延された状態で反転する。
【0026】次に、駆動信号dがハイレベルからロウレ
ベルへ変化し、駆動信号/dがロウレベルからハイレベ
ルへと変化する時の出力波形を図4(b)に示す。駆動
信号dがロウレベルになりNチャネルトランジスタ51
がオフした後、ノードaの電位がハイレベルになり、P
チャネルトランジスタ53がオフする前に、Nチャネル
トランジスタ52がオンすることになる。これにより、
図4(b)において図示された期間t1 に渡って、電源
電圧VDD端子からPチャネルトランジスタ53、Nチャ
ネルトランジスタ54及び52を介して貫通電流I3
流れる。このような事態を防止するためには、図4
(c)に示されたように、ノードaの電位がハイレベル
に上がった後に、駆動信号/dがハイレベルになるよう
にタイミングマージンを設定する必要がある。しかし、
このように設定するためには回路ディメンジョン等の設
定が困難になる上に、データ出力の速度が遅延すること
になる。
【0027】図5に示された第2の実施例では、上記第
1の実施例において発生していた貫通電流を防止するこ
とができる。本実施例では、第1の実施例におけるNチ
ャネルトランジスタ54の替わりに、ゲートに駆動信号
dを入力されるNチャネルトランジスタ61を設けた点
に特徴がある。
【0028】第2の実施例における駆動波形を図6
(a)及び(b)に図示する。図6(a)のように、駆
動信号dがロウレベルで駆動信号/dがハイレベルのと
きは、ノードaの電位はハイレベルである。Nチャネル
トランジスタ51及び61とPチャネルトランジスタ5
3はオフし、Nチャネルトランジスタ52はオンして出
力端子Dout からはロウレベルの信号が出力される。
【0029】駆動信号dがハイレベルに、駆動信号/d
がロウレベルに、ノードaの電位がその後ロウレベルに
変化すると、Nチャネルトランジスタ52がオフし、他
のトランジスタは全てオンしてハイレベルの信号が出力
される。ここで、Nチャネルトランジスタ61は、第1
の実施例におけるNチャネルトランジスタ54と同様
に、閾値電圧が他のNチャネルトランジスタよりも低く
設定されているため、十分なハイレベルの信号が出力さ
れる。
【0030】次に、図6(b)のように駆動信号dがハ
イレベルからロウレベルに変化し、駆動信号/dがロウ
レベルからハイレベルに変化すると、その後ノードaの
電位がロウレベルからハイレベルへ変化する。Nチャネ
ルトランジスタ51及び61とPチャネルトランジスタ
53がオフし、Nチャネルトランジスタ52がオンし、
出力端子Dout からはロウレベルの信号が出力される。
この時、Nチャネルトランジスタ52がオンするより
も、Nチャネルトランジスタ61が先にオフすること
で、電源電圧VDD端子からトランジスタ53、61及び
52を介して接地電圧Vss端子へ貫通電流が流れるのが
防止される。よって、本実施例では第1の実施例と異な
り、ノードaの電位がロウレベルからハイレベルへ変化
した後に駆動信号/dがロウレベルからハイレベルへ変
化するように信号のタイミングを設定する必要はない。
このため、回路ディメンジョン等の設定は容易でデータ
出力を高速化することができる。
【0031】上述した第1、第2の実施例は一例であ
り、図3、図5にそれぞれ示された回路に限定されるこ
となく、本発明は種々の変形が可能である。例えば、駆
動信号を出力する内部回路は、実施例のように相補的な
二つの信号を共に出力するものである必要はなく、一つ
の駆動信号のみを出力し他の手段で反転させてもよい。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のデータ出
力回路は、外部出力端子からハイレベルの信号が出力さ
れるときは、第1の電源電圧端子から出力された電圧が
Pチャネルトランジスタ及び第3のNチャネルトランジ
スタを介して外部出力端子に供給されるため、外部出力
端子に第1の電源電圧端子の電圧よりも高い電圧が印加
された場合にも、第3のNチャネルトランジスタが第1
の電源電圧端子と外部出力端子との間に存在することに
より、外部出力端子から第1の電源電圧端子へ電流が流
れ込むことが防止される。また、この第3のNチャネル
トランジスタの閾値電圧は、他の第1、第2のNチャネ
ルトランジスタの閾値電圧よりも低く設定されているの
で、ハイレベルの信号を出力する時にも十分な高さのレ
ベルを確保することができる。さらに、ハイレベルの信
号を出力する時に、外部出力端子を充電するのはPチャ
ネルトランジスタよりも電流駆動能力が高い第3のNチ
ャネルトランジスタであるため、高速度で充電すること
が可能であり、出力速度の低下が防止される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明と関連する第1の参考例によるデータ出
力回路の構成を示した回路図。
【図2】本発明と関連する第2の参考例によるデータ出
力回路の構成を示した回路図。
【図3】本発明の第1の実施例によるデータ出力回路の
構成を示した回路図。
【図4】同実施例における駆動信号の波形を示したタイ
ムチャート。
【図5】本発明の第2の実施例によるデータ出力回路の
構成を示した回路図。
【図6】同実施例における駆動信号の波形を示したタイ
ムチャート。
【図7】従来のデータ出力回路の構成を示した回路図。
【図8】他の従来のデータ出力回路の構成を示した回路
図。
【図9】図7に示されたデータ出力回路の素子構造を示
した縦断面図。
【符号の説明】
1,2 内部回路 31,44,53 Pチャネルトランジスタ 32,33,41,42,51,52,54,61 N
チャネルトランジスタ 43,55 インバータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野 上 一 孝 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 株式 会社東芝 多摩川工場内 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03K 19/0175

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】駆動信号を出力する内部回路と、 第1の電源電圧端子に一端が接続され、外部出力端子に
    他端が接続され、ゲートに前記駆動信号を入力される第
    1のNチャネルトランジスタと、 前記外部出力端子に一端が接続され、第2の電源電圧端
    子に他端が接続され、前記駆動信号が反転された反転駆
    動信号をゲートに入力される第2のNチャネルトランジ
    スタと、 前記第1の電源電圧端子に一端が接続され、ゲートに前
    記反転駆動信号を入力されるPチャネルトランジスタ
    と、 前記Pチャネルトランジスタの他端に一端が接続され、
    前記外部出力端子に他端が接続され、第1の電源電圧端
    子にゲートが接続され第3のNチャネルトランジスタと
    を備え、 前記第3のNチャネルトランジスタの閾値電圧は、前記
    第1及び第2のNチャネルトランジスタの閾値電圧より
    も低く、前記駆動信号がハイレベルになると前記第1の
    Nチャネルトランジスタ及びPチャネルトランジスタが
    オンし前記第2のNチャネルトランジスタがオフし、前
    記第3のNチャネルトランジスタはオン状態にあり、こ
    れにより、前記Pチャネルトランジスタ及び前記第3の
    Nチャネルトランジスタによって前記外部出力端子の電
    圧が上昇し、第1の電源電圧端子から供給されたハイレ
    ベルの電圧が前記第1のNチャネルトランジスタを介し
    て前記外部出力端子から出力されることを特徴とするデ
    ータ出力回路。
  2. 【請求項2】駆動信号を出力する内部回路と、 第1の電源電圧端子に一端が接続され、外部出力端子に
    他端が接続され、ゲートに前記駆動信号を入力される第
    1のNチャネルトランジスタと、 前記外部出力端子に一端が接続され、第2の電源電圧端
    子に他端が接続され、前記駆動信号が反転された反転駆
    動信号をゲートに入力される第2のNチャネルトランジ
    スタと、 前記第1の電源電圧端子に一端が接続され、ゲートに前
    記反転駆動信号を入力されるPチャネルトランジスタ
    と、 前記Pチャネルトランジスタの他端に一端が接続され、
    前記外部出力端子に他端が接続され、ゲートに前記駆動
    信号を入力される第3のNチャネルトランジスタとを備
    え、 前記第3のNチャネルトランジスタの閾値電圧は、前記
    第1及び第2のNチャネルトランジスタの閾値電圧より
    も低く、前記駆動信号がハイレベルになると前記第1及
    び第3のNチャネルトランジスタ及びPチャネルトラン
    ジスタがオンし前記第2のNチャネルトランジスタがオ
    フし、これにより、前記Pチャネルトランジスタ及び前
    記第3のNチャネルトランジスタによって前記外部出力
    端子の電圧が上昇し、第1の電源電圧端子から供給され
    たハイレベルの電圧が前記第1のNチャネルトランジス
    タを介して前記外部出力端子から出力されることを特徴
    とするデータ出力回路。
JP08086793A 1993-04-07 1993-04-07 データ出力回路 Expired - Fee Related JP3151329B2 (ja)

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KR1019940007219A KR0159324B1 (ko) 1993-04-07 1994-04-07 데이터 출력회로
EP94105379A EP0619652A3 (en) 1993-04-07 1994-04-07 Data output circuit.

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148986A (ja) * 1994-11-21 1996-06-07 Mitsubishi Electric Corp 出力バッファ回路
US5546019A (en) * 1995-08-24 1996-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacture Company CMOS I/O circuit with 3.3 volt output and tolerance of 5 volt input
JPH09205356A (ja) * 1996-01-29 1997-08-05 Fujitsu Ltd 出力回路
US6118302A (en) 1996-05-28 2000-09-12 Altera Corporation Interface for low-voltage semiconductor devices
US6255850B1 (en) 1997-10-28 2001-07-03 Altera Corporation Integrated circuit with both clamp protection and high impedance protection from input overshoot
US6265926B1 (en) 1998-05-27 2001-07-24 Altera Corporation Programmable PCI overvoltage input clamp
JP2006025071A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Mitsubishi Electric Corp 駆動回路
KR100930414B1 (ko) 2008-05-08 2009-12-08 주식회사 하이닉스반도체 데이터 출력 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3072118D1 (en) * 1979-12-26 1988-09-22 Toshiba Kk A driver circuit for charge coupled device
JPS5891680A (ja) * 1981-11-26 1983-05-31 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS5952497A (ja) * 1982-09-17 1984-03-27 Nec Corp デコ−ダ回路
US4565932A (en) * 1983-12-29 1986-01-21 Motorola, Inc. High voltage circuit for use in programming memory circuits (EEPROMs)
JPS6238615A (ja) * 1985-08-14 1987-02-19 Fujitsu Ltd 半導体回路
JPS6376472A (ja) * 1986-09-19 1988-04-06 Fujitsu Ltd トランスフアゲ−ト回路
DE3729926A1 (de) * 1987-09-07 1989-03-23 Siemens Ag Cmos-ausgangsstufe
JPH0716158B2 (ja) * 1988-05-13 1995-02-22 日本電気株式会社 出力回路およびそれを用いた論理回路
JP2566064B2 (ja) * 1991-01-17 1996-12-25 株式会社東芝 入出力バッファ回路
JPH04332160A (ja) * 1991-05-02 1992-11-19 Nec Corp 出力バッファ
US5296801A (en) * 1991-07-29 1994-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Bias voltage generating circuit
US5274276A (en) * 1992-06-26 1993-12-28 Micron Technology, Inc. Output driver circuit comprising a programmable circuit for determining the potential at the output node and the method of implementing the circuit
US5389842A (en) * 1992-08-10 1995-02-14 Nippon Steel Semiconductor Corporation Latch-up immune CMOS output driver

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