KR930017034A - 비휘발성메모리 장치의 고전압 방전 회로 - Google Patents
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Abstract
전원전압 보다 높은 고전압이 인가되고 기생용량이 큰 배선에 드레인이 연결되고, 소오스가 접지되고 게이트에 방전 제어신호가 결합되는 고전압 방전용 MOS트랜지스터를 구비한 반도체 장치의 고전압 방전회로에 있어서, 상기 배선과 상기 고전압 방전용 MOS트랜지스터를 보호하기 위한 전압강하수단을 개재한 것을 특징으로 하는 고전압 방전회로에 의하면 정보의 기록동작 모드에서 고전압방전시 전압강하수단에 의해 방전소자가 스냅백영역에서 동작하는 것을 방지하여 방전소자의 게이트 산화막이 파괴되는 것을 방지 할 수 있으며, 나아가 반도체 장치의 신뢰성을 크게 향상 시킬 수 있음은 물론이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4A도 내지 제4C도는 본 발명에 의한 고전압 방전수단의 실시예들을 구체적인 회로로 나타낸다.
Claims (6)
- 전원전압 보다 높은 고전압이 인가되고 기생용량이 큰 배선에 드레인이 연결되고, 소오스가 접지되고 게이트 방전 제어신호가 결합되는 고전압 방전용 MOS트랜지스터를 구비한 반도체 장치의 고전압 방전회로에 있어서, 상기 배선과 상기 고전압 방전용 MOS트랜지스터를 보호하기 위한 전압강하수단을 개재한 것을 특징으로 하는 고전압 방전회로.
- 제1항에 있어서, 상기 전압강하수단은 게이트에 전원전압이 공급되고 드레인이 상기 배선에 연결되고 소오스가 상기 고전압 방전용 MOS트랜지스터의 드레인에 연결된 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 고전압 방전회로.
- 제2항에 있어서, 상기 MOS트랜지스터가 증가형 MOS트랜지스터인 것을 특징으로 하는 고전압 방전회로.
- 제2항에 있어서, 상기 MOS트랜지스터가 공핍형 MOS트랜지스터인 것을 특징으로 하는 고전압 방전회로.
- 제2항에 있어서, 상기 MOS트랜지스터가 네이티브형 MOS트랜지스터인 것을 특징으로 하는 고전압 방전회로.
- 제1항에 있어서, 상기 배선은 비 휘발성 메모리장치의 비트라인 또는 워드라인 인 것을 특징으로 하는 고전압 방전회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920000056A KR960016497B1 (ko) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 비휘발성메모리 장치의 고전압 방전 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920000056A KR960016497B1 (ko) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 비휘발성메모리 장치의 고전압 방전 회로 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930017034A true KR930017034A (ko) | 1993-08-30 |
| KR960016497B1 KR960016497B1 (ko) | 1996-12-12 |
Family
ID=19327564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920000056A KR960016497B1 (ko) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 비휘발성메모리 장치의 고전압 방전 회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960016497B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481826B1 (ko) * | 1997-05-09 | 2005-07-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체메모리장치의비트라인디스챠아지회로 |
| KR20210155224A (ko) | 2020-06-15 | 2021-12-22 | 삼성전자주식회사 | 고전압 스위칭 회로를 포함하는 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
-
1992
- 1992-01-06 KR KR1019920000056A patent/KR960016497B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960016497B1 (ko) | 1996-12-12 |
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