KR900010794A - 불휘발성 반도체 메모리 - Google Patents

불휘발성 반도체 메모리 Download PDF

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마사미치 아사노
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

내용 없음

Description

불휘발성 반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 장치의 회로도, 제2도는 제1실시예장치의 각 모드에 또한 한 전위를 나타낸 표, 제3도는 메모리일괄소거형의 경우에 대한 장치의 회로구성도.

Claims (8)

  1. 반도체기판(601)내의 소오스영역(602) 및 드레인영역(603)과 상기 반도체기판(601)상의 부유게이트(604)와 소거게이트(605) 및 제어게이트(606)의 3층 구조게이트전극을 갖춘 셀트랜지스터를 이용한 전기적 소거·재기록이 가능한 불휘발성 반도체메모리셀이 행렬상으로 배열되어 이루어진 셀어레이를 갖춘 불휘발성 반도체메모리에 있어서, 소거시 소거게이트(605)에 고전위를 공급하는소거회로(EC)와, 셀소오스전위를 소정전위로 성정하는 셀소오스전위 발생회로(VG)를 구비해서 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀내의 소오스영역(602)과 소거게이트(605)가 교차하는 영역사이에 존재하는 절연막 중 다결정반도체층(623)이 존재하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  3. 반도체기판(601)내의 소오스영역(602) 및 드레인영역(603)과 상기 반도체기판(601)상의 부유게이트(604)와 소거게이트(605)및 제어게이트(606)의 3층 구조게이트전극을 갖춘 셀트랜지스터를 이용한 전기적 소거·재기록이 가능한 불휘발성 반도체메모리셀이 행렬상으로 배열되어 이루어진 셀어레이를 갖춘 불휘발성 반도체메모리에 있어서, 소거시 소거게이트(605)에 고전위를 공급하는 소거회로(EC)와, 셀소오스전위를 소정전위로 설정하는 셀소오스전위 발생회로(VG)를 갖추고서 상기 소거게이트전위와 상기 셀소오스전위의 전위차를 소거전위 이하의 일정전위로 유지하도록 된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  4. 제3항에 있어서, 상기 메모리셀내의 소오스영역(602)과 소거게이트(605)가 교차하는 영역사이에 존재하는 절연막중 다결정반도체층(623)이 존재하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  5. 반도체기판(601)내의 소오스영역(602) 및 드레인영역 (603)과 상기 반도체기판(601)상의 부유게이트(604)와 소거게이트(605) 및 제어게이트(606)의 3층 구조게이트전극을 갖춘 셀트랜지스터를 이용한 전기적 소거ㆍ재기록이 가능한 불휘발성 반도체메모리셀이 행렬상으로 배열되어 이루어진 셀어레이를 갖춘 불휘발성 반도체메모리에 있어서, 소거시 소거게이트(605)에 고전위를 공급하는 소거회로(EC)와 셀소오스전위를 소정정위로 설정하는 셀소오스전위 발생회로(VG)를 갖추고서 이 셀소오스전위발생회로(VG)가 방전능력이 작은 트랜지스터(413)와 방전능력이 큰 트랜지스터(416) 및 지연회로(417∼429)로구성되고, 상기 트랜지스터(413,416)를 상기 지연회로(417∼429)에 의해 소정시간만큼 지연시켜 동작하도록 된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  6. 제5항에 있어서, 상기 메모리셀내의 소오스영역(602)과 소거게이트(605)가 교차하는 영역사이에 존재하는 절연막중 다결정반도체층(623)이 존재하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  7. 반도체기판(601)내의 소오스영역(602) 및 드레인 영역(603)과상기 반도체기판(601)상의 부유게이트(604)와 소거게이트(605)및 제어게이트(606)의 3층 구조게이트전극을 갖춘 셀트랜지스터를 이용한 전기적 소거ㆍ재기록이 가능한 불휘발성 반도체메모리셀이 행렬상으로 배열되어 이루어진 셀어레이를 갗춘 불휘발성 반도체메모리에 있어서, 소거게이트(605)에 고전위를 공급하는 소거회로(EC)와 셀소오스전위를 소정전위를 설정하는 셀소오스전위 발생회로(VG) 및 소거전위검지회로(EVD)를 갖추고서, 상기 소거전위검지회로(EVD)에 의해 상기 셀소오스전위 발생회로(VG)를 구동하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  8. 제7항에 있어서, 상기 메모리셀내의 소오스영역(602)과 소거게이트(605)가 교차하는 영역사이에 존재하는 절연막중 다결정반도체층(623)이 존재하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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