KR900015163A - 불휘발성 반도체 메모리 - Google Patents

불휘발성 반도체 메모리 Download PDF

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KR900015163A
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마코토 요시자와
가츠아키 모리
다케시 나카시로
다다시 마루야마
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
다케다이 마사다카
도시바 마이크로 일렉트로닉스 가부시키가이샤
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    • G—PHYSICS
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Abstract

내용 없음.

Description

불휘발성 반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 불휘발성 반도체메모리에 사용된 메모리셀 소자의 구성을 나타낸 단면도,
제2도는 제1도에 도시된 소자의 등가회로도,
제3도는 제1도에 도시된 메모리셀의 각 동작모드에서의 전압을 집계한 표,
제4도는 제1도의 메모리셀을 이용한 본 발명의 불휘발성 반도체메모리의 독출계 회로를 개략적인 구성으로 나타낸 회로도.

Claims (5)

  1. 제1도전형의 반도체기판(10)과 이 기판내에 설치된 제2도전 형의 제1확산층(11), 제2확산층(12) 및 제3확산층(13), 상기 제1확산층(11)과 제2확산층(12)간에 설치된 제1채널영역(14)과 상기 제2확산층(12)과 제3확산층(13)간에 설치된 제2채널영역(20), 상기 제1채널영역(14)의 상부 및 이것과 인접한 상기 제2확산층(12)의 상부에 연속하여 설치된 제1의 절연막(15)을 매개로 설정된 부유게이트전극(16), 이 부유게이트전극(16)의 상부에 적어도 일부의 막 두께가 상기 제1의 절연막(15)보다 얇은 제2의 절연막(17)을 매개하여 설정된 제어게이트전극(19), 상기 제2채널영역(20)의 상부에 제1의 절연막(15)과 등가로 된 두께의 제3의 절연막(21)을 매개하여 설치된 선택게이트전극(22), 데이터의 기록, 소거시에 상기 제어게이트전극에 소정전압을 공급하는 제어게이트선(CG), 데이터의 기록, 소거 및 독출시에 상기 선택게이트선(SG)과 상기 제1확산층(11)에 소정의 전압을 공급하는 소오스선(S), 데이터의 기록, 소거 및 독출시에 상기 제3확산층(13)에 소정의 전압을 공급하는 비트선(BL)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성반도체메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 비트선(BL)이 부하회로(31)를 매개하여 전원에 접속되어 있고 상기 비트선의 신호를 감지증폭회로(32)에서 검출하도록 된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  3. 제2항에 있어서, 상기 부하회로(31)가 항상 도통하고 있는 MOS트랜지스터(33)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  4. 제2항에 있어서, 상기 부하회로(31)가 클럭펄스신호(φp)에 기인하여 일시적으로 도통상태로 되도록 제어되는 MOS트랜지스터(33)로 구성되고, 또한 상기 선택게이트선(SG)에는 상기 클럭펄스신호(φp)에 의해 동작이 제어되며 어드레스를 입력으로 하는 조합회로(34)의 출력신호가 공급되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  5. 제2항에 있어서, 상기 감지증폭회로(32)가MOS트랜지스터로 구성된 인버트회로(36)인 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900003603A 1989-03-17 1990-03-17 불휘발성 반도체메모리 KR930000816B1 (ko)

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