KR880009379A - 불휘발성 반도체메모리 - Google Patents

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유키오 와다
도모히사 시게마츠
야소지 스즈키
마고토 요시자와
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
다케다이 마사다카
도시바 마이콤 엔지니어링 가부시키가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

불휘발성 반도체메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 불휘발성 반도체메모리에서 사용되는 메모리셀의 소자구조를 나타낸 단면도.
제2도는 제1도에 도시된 등가회로도.
제3도는 제1도에 도시된 셀의 각 동작모드에 대한 전압을 모아서 나타

Claims (7)

  1. 제1도 전형의 반도체기판(10)과, 상기 반도체기판(10)내에 설치된 제2도 전형의 제 1, 제 2, 제3확산층(11,12,13), 상기 제 1, 제2확산층(11,12) 상호간에 설치된 제 1 채널 영역(14), 상기 제 2, 제3 확산층(12,13) 상호간에 설치된 제 2 채널영역(20), 상기 제 1 채널영역(14) 상에 설치되어 일부가 얇은 절연막(17)을 통해 상기 제 2 확산층(12)과 포개지게 되는 플로팅케이트전극(16), 상기 플로팅게이트전극(16)상에 설치된 게이트전극(19), 상기 제 2 채널영역(20)상에 설치된 게이트전극(22), 데이터의 소거시와 기입시 및 독출시에 각각 소정전압을 상기 제어게이트전극(19)에 공급하는 제어게이트선(CG), 데이터의 소거시와 기입시 및 독출시에 각각 소정전압을 상기 게이트전극(22)에 공급하는 선택게이트선(SG), 데이터의 소거시와 기입시 및 독출시에 각각 소정전압을 상기 제 1 확산층(11)에 공급하는 독출선(RL)을 구비한 것을 특징으로 하는 하는 불휘발성 반도체메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어게이트선(CG)은 데이터의 소거시에 제 1 전압을, 데이터의 기입시와 독출시에는 상기 제 1 전압보다 낮은 제 2 전압을 각각 제어게이트 전극(19)에 공급하고, 선택게이트전극(SG)은 데이터의 소거시와 기입시에 제 1 전압을, 데이터의 독출시에는 상기 제 1 의 전압보다 낮고 또 상기 제 2 의 전압보다는 높은 제 3 전압을 각각 상기 게이트전극(22)에 공급하며, 기입선(WL)은 데이터의 소거시와 독출시에 제 2 전압을, 데이터의 기입시에는 제 1 전압을 각각 상기 제 3 확산층(13)에 공급하고, 독출선(RL)은 데이터의 소거시에 제 2 전압을, 데이터 기입시와 독출시에는 제 3 전압을 각각 상기 제 1 확산층(11)에 공급하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  3. 제1항에 있어서, 독출선(RL)이 부하회로를 통해 전원에 접속되어 있고, 이 독출선(RL)의 신호가 센스앰프회로(36)에 공급되도록 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  4. 제3항에 있어서, 부하회로가 평상시 도통되고 있는 MOS 트랜지스터(33)로 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  5. 제3항에 있어서, 부하회로가 클록신호에 기초하여 일시적으로 도통상태로 제어되는 MOS 트랜지스터(33)로 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  6. 제5항에 있어서, 선택게이트선(SG)의 전압을 클록신호로 동기시켜서 선택용 트랜지스터(32)의 게이트전극에 공급하도록 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
  7. 제3항에 있어서, 센스앰프회로(36)가 인버터회로로 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880000784A 1987-01-31 1988-01-29 불휘발성 반도체메모리 KR900009176B1 (ko)

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