KR970072384A - 정전기 보호 회로 및 소자 - Google Patents

정전기 보호 회로 및 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR970072384A
KR970072384A KR1019960011912A KR19960011912A KR970072384A KR 970072384 A KR970072384 A KR 970072384A KR 1019960011912 A KR1019960011912 A KR 1019960011912A KR 19960011912 A KR19960011912 A KR 19960011912A KR 970072384 A KR970072384 A KR 970072384A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
well
mos transistor
diode
node
Prior art date
Application number
KR1019960011912A
Other languages
English (en)
Inventor
함석헌
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019960011912A priority Critical patent/KR970072384A/ko
Publication of KR970072384A publication Critical patent/KR970072384A/ko

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 C-모스 회로의 N-모스 트랜지스터 소자를 이용한 정전기 보호 회로 및 소자에 관한 것으로, 특히, 면적을 차지하는 비율이 적고, 고속 회로에 사용가능하며, 주파수 대역을 줄이지 않는 정전기 보호 회로 및 소자에 관한 것이다.
본 발명은 정전기 보호 회로에 있어서, 정전기 보호 회로에 있어서, 패드와 내부 회로 사이의 노드에 게이트와 제1전류 전극이 연결되며, 접지에 제2전류 전극이 연결된 모스 트랜지스터; 상기 노드와 접지 사이에 역방향으로 연결된 다이오드; 상기 노드와 다이오드 사이에 연결된 제1저항; 및 상기 모드 트랜지스터의 제1전류 전극과 상기 노드 사이에 연결된 제2저항을 구비함을 특징으로 한다.
정전기 보호 소자에 있어서, 제1전도형의 반도체 기판; 상기 기판의 표면 근방에 형성된 제1전도형의 웰; 상기 웰 상부에 형성된 필드 산화막; 상기 웰의 표면 근방에 고농도로 불순물이 주입/형성된 제1전도형 불순물 영역; 상기 웰의 표면 근방에 형성된 모스 트랜지스터의 제2전도형 소오스 영역; 상기 불순물 영역에 형성된 다이오드의 에노우드 영역; 및 상기 불순물 영역과 상기 웰에 형성된 다이오드의 캐소드 영역 겸 모스 트랜지스터의 드레인 영역을 포함하여 이루어진다.

Description

정전기 보호 회로 및 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 정전기 보호 회로도.

Claims (4)

  1. 패드와 내부 회로 사이의 노드에 게이트와 제1전류 전극이 연결되며, 접지에 제2전류 전극이 연결된 모스 트랜지스터; 상기 노드와 접지 사이에 역방향으로 연결된 다이오드; 상기 노드와 다이오드 사이에 연결된 제1저항; 및 상기 모스 트랜지스터의 제1전류 전극과 상기 노드 사이에 연결된 제2저항을 구비함을 특징으로 하는 정전기 보호 회로.
  2. 정전기 보호 소자에 있어서, 제1전도형의 반도체 기판; 상기 기판의 표면 근방에 형성된 제1전도형의 웰; 상기 웰 상부에 형성된 필드 산화막; 상기 웰의 표면 근방에 고농도로 불순물이 주입/형성된 제1전도형 불순물 영역; 상기 웰의 표면 근방에 형성된 모스 트랜지스터의 제1전도형 소오스 영역; 상기 불순물 영역에 형성된 다이오드의 에노우드 영역; 및 상기 불순물 영역과 상기 웰에 형성된 다이오드의 캐소드 영역 겸 모스 트랜지스터의 드레인 영역을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 정전기 보호 소자.
  3. 제2항에 있어서, 상기 다이오드의 캐소드 영역과 모스 트랜지스터의 드레인 영역을 분리 구성한 것을 특징으로 하는 정전기 보호 소자.
  4. 제2항에 있어서, 상기 다이오드의 캐소드 영역은 상기 불순물 영역에, 상기 모스 트랜지스터의 드레인 영역은 상기 웰의 표면 근방에 형성한 것을 특징으로 하는 정전기 보호 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960011912A 1996-04-19 1996-04-19 정전기 보호 회로 및 소자 KR970072384A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960011912A KR970072384A (ko) 1996-04-19 1996-04-19 정전기 보호 회로 및 소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960011912A KR970072384A (ko) 1996-04-19 1996-04-19 정전기 보호 회로 및 소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970072384A true KR970072384A (ko) 1997-11-07

Family

ID=66223052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960011912A KR970072384A (ko) 1996-04-19 1996-04-19 정전기 보호 회로 및 소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970072384A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920008834A (ko) 박막 반도체 장치
KR970705836A (ko) 정전기 방전 보호회로(electrostatic discharge protection circult)
KR900004039A (ko) 복합 mos 트랜지스터 및 그의 프리휠 다이오드로의 응용
KR880004578A (ko) 래치업 방지회로를 가진 cmos 집적회로 장치
KR950010112A (ko) 반도체 보호회로 및 그 장치
KR900005595A (ko) 역전압으로부터 모놀리딕 구조를 보호하는 활성 다이오드
US5744840A (en) Electrostatic protection devices for protecting semiconductor integrated circuitry
KR880004579A (ko) 래치업 방지회로를 cmos 직접회로 장치
KR880004589A (ko) 기판바이어스 전압발생기를 구비한 상보형 집적회로 배열
KR960036028A (ko) 정전 방전 현상에 의한 손상을 방지할 수 있는 반도체 장치
JP3559075B2 (ja) Cmos技術の集積電子回路用の極性反転保護装置
US5517048A (en) Pad structure with parasitic MOS transistor for use with semiconductor devices
KR0149226B1 (ko) 반도체 회로를 위한 정전기 보호장치
JPH0738434B2 (ja) 相補性回路技術による集積回路
KR970072384A (ko) 정전기 보호 회로 및 소자
KR970024166A (ko) DRAM 및 로직 회로의 DRAM 전원 및 SCR용 바이모덜 ESD 보호 회로 (Bimodal ESD Protection for DRAM Power Supplies and SCRs for DRAMs and Logic Circuits)
JP3283736B2 (ja) 半導体集積回路装置
EP0921619A3 (en) A power source circuit of a semiconductor integrated circuit
KR960006088A (ko) 정전방전(esd) 보호 트랜지스터
KR970055446A (ko) 입력 보호 회로 및 보호 소자
KR970072389A (ko) 정전기 방전 보호장치
KR0158626B1 (ko) 전원단자의 정전기 보호회로
KR100226741B1 (ko) 정전기보호회로
JPH0219979B2 (ko)
JP2002176347A (ja) 過電流制限型半導体素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application