KR960036028A - 정전 방전 현상에 의한 손상을 방지할 수 있는 반도체 장치 - Google Patents
정전 방전 현상에 의한 손상을 방지할 수 있는 반도체 장치 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 기판(SUB), 제1 및 제2 외부 단자(1,8), 제1 외부단자에 접속된 제1 불순물 확산 영역(2), 및 MIS 트랜지스터(Q1)을 형성하는 제2 및 제3 불순물 확산영역(4,5)를 포함하는 반도체 장치에 있어서, 제1 불순물 영역에 대향하는 제2 및 제3 불순물 확산 영역들 중의 한 영역은 제2 및 제3 불순물 확산 영역들 중의 한 영역은 제2 외부 단자에 접속된다. 제1 확산 영역과 MIS 트랜지스터 사이의 거리(DⅠ′)는 소정값(Dcf)보다 작다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 제7도의 라인 Ⅷ-Ⅷ를 따라 절취하여 도시한 단면도.
Claims (15)
- 반도체 장치에 있어서, 제1 도전형의 반도체 기판(SUB); 상기 반도체 기판 상에 형성된 제1 및 제2 외부 단자(1, 8); 및 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형이고 상기 반도체 기판 내에 형성된 제1, 제2 및 제3 불순물 확산 영역(2, 4, 5)를 포함하고; 상기 제1 불순물 확산 영역이 상기 제1 외부단자에 접속되며, 상기 제2 및 제3 불순물 확산 영역이 MIS 트랜지스터(Q1)의 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하고, 상기 제1 불순물 확산 영역에 대향하는 상기 제2 및 제3 불순물 확산 영역들 중의 한 영역이 상기 제2 외부 단자에 접속되고, 상기 제1 불순물 확산 영역과 상기 MIS(D1′)가 소정값(Dcr)보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 외부 단자는 접지 전압 단자인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 외부 단자는 전원 전압 단자인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 외부 단자들 중의 한 단자는 접지 전압 단자이고, 상기 제1 및 제2 외부 단자들 중의 다른 한 단자는 전원 전압 단자인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 MIS 트랜지스터는 LDD 구성을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 반도체 장치에 있어서, 제1 도전형의 반도체 기판(SUB); 상기 반도체 기판 상에 형성된 제1 및 제2 외부 단자(18, 28); 및 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형이고 상기 반도체 기판 내에 형성된 제1, 제2, 제3 및 제4 불순물 확산 영역(14, 15, 24, 25)를 포함하고; 상기 제1 및 제2 불순물 확산 영역이 제1 MIS 트랜지스터 (Q11)의 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하며, 상기 제3 및 제4 불순물 확산 영역이 제2 MIS 트랜지스터(Q12)의 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하고, 상기 제2 MIS 트랜지스터에 대향하는 상기 제1 및 제2 불순물 확산 영역들 중의 한 영역이 상기 제1 외부 단자에 접속되며, 상기 제1 MIS 트랜지스터에 대향하는 상기 제3 및 제4 불순물 확산 영역들 중의 한 영역이 상기 제2외부 단자에 접속되고, 상기 제1 과 제2 MIS 트랜지스터 사이의 거리(D2′)가 소정값(Dcr)보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2 외부 단자는 접지 전압 단자인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2 외부 단자는 전원 전압 단자인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제6항에 잇어서, 상기 제1 및 제2 외부 단자들 중의 한 단자는 접지 전압 단자이고, 상기 제1 및 제2 외부 단자들 중의 다른 한 단자는 전원 전압 단자인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2 MIS 트랜지스터 각각은 LDD 구성을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 반도체 장치에 있어서, 제1 도전형의 반도체 기판(SUB); 상기 반도체 기판 상에 형성된 제1 및 제2 외부 단자; 및 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형이고 상기 반도체 기판 내에 형성된 제1, 제2, 제3, 제4, 제5, 제6 및 제7 불순물 확산 영역(14, 15, 25, 25)를 포함하고; 상기 제1 및 제2 불순물 확산 영역이 제1 MIS 트랜지스터(Q31)의 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하며, 상기 제3 및 제4 불순물 확산 영역 이 제2 MIS 트랜지스터(Q31)의 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하고, 상기 제5, 제6 및 제7 불순물 확산 영역은 상기 제1과 제2 MIS 트랜지스터 사이에 배열된 제3 MIS 트랜지스터(Q33)의 제1 소스 영역. 드레인 영역 및 제2 소스 영역을 형성하며, 상기 제3 MIS 트랜지스터에 대향하는 상기 제1 및 제2 불순물 확산 영역들 중의 한 영역이 상기 제1 외부 단자에 접속되며, 상기 제3MIS 트랜지스터에 대향하는 상기 제3 및 제4 불순물 확산 영역들 중의 한 영역이 상기 제2 외부 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제1 및 제2 외부 단자는 접지 전압 단자인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제1 및 제2 외부 단자는 전원 전압 단자인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제1 및 제2 외부 단자들 중의 한 단자는 접지 전압 단자이고, 상기 제1및 제2 외부 단자들 중의 다른 한 단자는 전원 전압 단자인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3 MIS 트랜지스터 각각은 LDD 구성을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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