JPH0468576A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0468576A JPH0468576A JP18375990A JP18375990A JPH0468576A JP H0468576 A JPH0468576 A JP H0468576A JP 18375990 A JP18375990 A JP 18375990A JP 18375990 A JP18375990 A JP 18375990A JP H0468576 A JPH0468576 A JP H0468576A
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- resin
- diffusion
- electric field
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- semiconductor integrated
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Links
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止パッケージの半導体装置の中で、高電
圧（例えば−３５Ｖ程度）を印加することが可能である
端子を有する電源電流が低いｃ数μＡ以下）半導体装置
に関するものである。
圧（例えば−３５Ｖ程度）を印加することが可能である
端子を有する電源電流が低いｃ数μＡ以下）半導体装置
に関するものである。
第２図は半導体集積回路に従来一般的に多く用いられる
Ｐチャネル［０８）ヲンジスタの断面図で、図において
、（５）はＰ＋拡散領域、（６）はゲート電極、（７）
はゲート酸化膜、（８）はＨ基板で、２つのＰ＋拡散領
域６）の内の１つをソース、他方をドレインと呼ぶ。
Ｐチャネル［０８）ヲンジスタの断面図で、図において
、（５）はＰ＋拡散領域、（６）はゲート電極、（７）
はゲート酸化膜、（８）はＨ基板で、２つのＰ＋拡散領
域６）の内の１つをソース、他方をドレインと呼ぶ。
第３図は第２図のＭＯＳ）フンジスタを何層かの保護膜
で保護し、樹脂封止された半導体装置の断面図を示す。
で保護し、樹脂封止された半導体装置の断面図を示す。
図において、（１）は樹脂、（２）はパッシベーション
膜、（３）は層間絶縁膜、（４）はフィールド酸化膜、
（５）はＰ＋拡散領域、（８）はＮ型基板、（１１）ａ
フルミ配線、（１２）はポリシリコン配線を示している
。
膜、（３）は層間絶縁膜、（４）はフィールド酸化膜、
（５）はＰ＋拡散領域、（８）はＮ型基板、（１１）ａ
フルミ配線、（１２）はポリシリコン配線を示している
。
第２図の動作について説明する。Ｎ型基板（８）とノー
ス（５）を電源に接続し、ゲート電極（６）に電源電圧
以下の電圧を加えると、ゲート電極（６）とＮ型基板（
８）の間に電界が形成される。この電界により、ゲート
電極（６）の下の基板部分（９）にチャネルと呼ばれる
導通層が形成され、ドレインとブースを導通する。この
時の導通率は電界に依存するので、結局ゲート電極（６
）へ加えた電圧でチャネルの電導度が変化する。
ス（５）を電源に接続し、ゲート電極（６）に電源電圧
以下の電圧を加えると、ゲート電極（６）とＮ型基板（
８）の間に電界が形成される。この電界により、ゲート
電極（６）の下の基板部分（９）にチャネルと呼ばれる
導通層が形成され、ドレインとブースを導通する。この
時の導通率は電界に依存するので、結局ゲート電極（６
）へ加えた電圧でチャネルの電導度が変化する。
次に第３図の動作について説明する。第３図に示すよう
な構造を持った半導体集積回路内には、フィールド酸化
膜（４）により、本来分離されているはずの２本の拡散
領域（５）が、フィールド酸化膜（４）をゲート酸化膜
として、トランジスタ０働きをする場合がある５ （以
下、このトランジスタを寄生トランジスタと記す）例え
ば、高温下で長時間高電圧（−３５Ｖｇ度以上）を印加
する場合、この半導体集積回路を覆っている樹脂（１）
内に分極が生じ、この分極によって作られる電界の作用
により、寄生トランジスタのソースとドレイン間のしき
い値電圧を越える丸めに、拡散領域間でリーク電流が発
生するという現象が確認されている。
な構造を持った半導体集積回路内には、フィールド酸化
膜（４）により、本来分離されているはずの２本の拡散
領域（５）が、フィールド酸化膜（４）をゲート酸化膜
として、トランジスタ０働きをする場合がある５ （以
下、このトランジスタを寄生トランジスタと記す）例え
ば、高温下で長時間高電圧（−３５Ｖｇ度以上）を印加
する場合、この半導体集積回路を覆っている樹脂（１）
内に分極が生じ、この分極によって作られる電界の作用
により、寄生トランジスタのソースとドレイン間のしき
い値電圧を越える丸めに、拡散領域間でリーク電流が発
生するという現象が確認されている。
従来の半導体装置は以上のように構成されていたので、
パッケージ材料として樹脂を用いた半導体装置に高温下
で長時間電圧を印加する場合、使用条件によっては樹脂
内に分極が起こり固定電荷が発生し、この固定電荷が作
る電界の作用により、拡散層−拡散層間のリーク電流ｃ
以下フィールドｈｖ−りと記す）が生じるという問題点
があった。
パッケージ材料として樹脂を用いた半導体装置に高温下
で長時間電圧を印加する場合、使用条件によっては樹脂
内に分極が起こり固定電荷が発生し、この固定電荷が作
る電界の作用により、拡散層−拡散層間のリーク電流ｃ
以下フィールドｈｖ−りと記す）が生じるという問題点
があった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、パッケージ材料として樹脂を用い死生導体装置
に対し、樹脂内に固定電荷が発生することにより生じる
フィールドＴｒリーク電流を防止した半導体装置を得る
ことを目的とする。
もので、パッケージ材料として樹脂を用い死生導体装置
に対し、樹脂内に固定電荷が発生することにより生じる
フィールドＴｒリーク電流を防止した半導体装置を得る
ことを目的とする。
本発明に係る半導体装置は、半導体装置内の樹脂と半導
体集積回路との間に電位が固定された導電膜を形成する
ことにより、樹脂内に発生した固定電荷が作る電界を遮
断し、その電程の作用によす起こるフィールドＴｒリー
クの発生を防止したものである。
体集積回路との間に電位が固定された導電膜を形成する
ことにより、樹脂内に発生した固定電荷が作る電界を遮
断し、その電程の作用によす起こるフィールドＴｒリー
クの発生を防止したものである。
本発明における導電膜は、樹脂と半導体集積回路との閲
に形成され、例えば、電源電位あるいはアース電位など
の固定された電位に保たれ、半導体集積回路の静電シー
ルドの役割を果し、例えば、樹脂内に生じた固定電荷が
作る電界による影響を半導体集積回路が受けないように
する。
に形成され、例えば、電源電位あるいはアース電位など
の固定された電位に保たれ、半導体集積回路の静電シー
ルドの役割を果し、例えば、樹脂内に生じた固定電荷が
作る電界による影響を半導体集積回路が受けないように
する。
［１！施例］
以下、本発明の一実施例を図について説明す＆第１図は
本発明の一実施例である半導体装置の断面図で、図は従
来より行われている２層アルミ配線の応用として実現し
たものである。図において、（１）は半導体集積回路を
保護する樹脂、Ｃ２）はバッシベーＶヨン膜、（３）は
層間絶縁膜、（４）はトランジスタ間を分離するフィー
ルド酸化膜、（５）はＰ＋拡散領域、（８）はＮ型基板
、（１０）はＰ＋拡散−Ｐ＋拡散間を覆うように積まれ
アース電位に保たれたアルミ層、（１１）はアルミ配線
、（１２）はポリシリコン＆Ｍである。
本発明の一実施例である半導体装置の断面図で、図は従
来より行われている２層アルミ配線の応用として実現し
たものである。図において、（１）は半導体集積回路を
保護する樹脂、Ｃ２）はバッシベーＶヨン膜、（３）は
層間絶縁膜、（４）はトランジスタ間を分離するフィー
ルド酸化膜、（５）はＰ＋拡散領域、（８）はＮ型基板
、（１０）はＰ＋拡散−Ｐ＋拡散間を覆うように積まれ
アース電位に保たれたアルミ層、（１１）はアルミ配線
、（１２）はポリシリコン＆Ｍである。
次に動作について説明する。図に示すような半導体装置
ＫＷし、高温下で長時間電圧を印加する場合、パッケー
ジ材料である樹脂（１）に固定電荷が生じることがある
。この固定電荷が作る電界の影響が半導体集積回路に及
ぶと、Ｐ＋拡散−戸拡散間のしきい値電圧を越えてフィ
ールドＴｒリークを発生することがある。
ＫＷし、高温下で長時間電圧を印加する場合、パッケー
ジ材料である樹脂（１）に固定電荷が生じることがある
。この固定電荷が作る電界の影響が半導体集積回路に及
ぶと、Ｐ＋拡散−戸拡散間のしきい値電圧を越えてフィ
ールドＴｒリークを発生することがある。
しかし、樹脂（１）と半導体集積回路との間にアース電
位に固定されたアルミ層（１０）を、Ｐ＋拡散−Ｐ＋拡
散間を覆うよう忙形成することにょ抄、樹脂（１）内に
生じた固定電荷が作る電界の影響が半導体集積回路に及
ばないようにすることができ、フィールドＴｒリークの
発生を防止することができる。
位に固定されたアルミ層（１０）を、Ｐ＋拡散−Ｐ＋拡
散間を覆うよう忙形成することにょ抄、樹脂（１）内に
生じた固定電荷が作る電界の影響が半導体集積回路に及
ばないようにすることができ、フィールドＴｒリークの
発生を防止することができる。
以上のように本発明によれば、パッケージ材料として樹
脂を用いた半導体装置に対し、高温下で長時間電圧を印
加した場合において、樹脂内に固定電荷が発生し、それ
が作る電界の作用により生じるフィールドＴｒリークの
防止を半導体集積回路と樹脂の間に導電膜を形成し、そ
の導電膜を電源電位あるいはアース電位に保持するだけ
で可能となる。
脂を用いた半導体装置に対し、高温下で長時間電圧を印
加した場合において、樹脂内に固定電荷が発生し、それ
が作る電界の作用により生じるフィールドＴｒリークの
防止を半導体集積回路と樹脂の間に導電膜を形成し、そ
の導電膜を電源電位あるいはアース電位に保持するだけ
で可能となる。
第１図は本発明の一実施例である半導体装置の断面図、
第２図は従来の半導体集積回路に多く用いられるＭ０８
トランジスタの断面図、第３図は従来の半導体装置の断
面図である。 図において、（１）は樹脂、（２）はパッシベーション
膜、（３）は層関絶健膜、（４）はフィールド酸化膜、
（５）は拡散領域、（８）はＮ型基板、（１０）は導電
層、（１１）はアルミ配線、 （１２）はポリ シリ ン配線を示す。 なお、 図中、 同一符号は同一、 または相当部分 を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 第２図 すｖ＊ｔし 第１図 ポリシリコシ凸こ繰 第３図
第２図は従来の半導体集積回路に多く用いられるＭ０８
トランジスタの断面図、第３図は従来の半導体装置の断
面図である。 図において、（１）は樹脂、（２）はパッシベーション
膜、（３）は層関絶健膜、（４）はフィールド酸化膜、
（５）は拡散領域、（８）はＮ型基板、（１０）は導電
層、（１１）はアルミ配線、 （１２）はポリ シリ ン配線を示す。 なお、 図中、 同一符号は同一、 または相当部分 を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 第２図 すｖ＊ｔし 第１図 ポリシリコシ凸こ繰 第３図
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体集積回路において、拡散層により形
成された配線間上を全面に覆う固定電位の導電性膜をパ
ッケージ樹脂との間に形成したことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18375990A JPH0468576A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18375990A JPH0468576A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0468576A true JPH0468576A (ja) | 1992-03-04 |
Family
ID=16141481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18375990A Pending JPH0468576A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0468576A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353444A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2006222210A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2010249655A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁気センサ |
| JP2015008222A (ja) * | 2013-06-25 | 2015-01-15 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-07-09 JP JP18375990A patent/JPH0468576A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353444A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2006222210A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2010249655A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁気センサ |
| JP2015008222A (ja) * | 2013-06-25 | 2015-01-15 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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