JP4017187B2 - 静電放電保護回路 - Google Patents
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Description
NMOSトランジスタは、P型伝導性のチャネル領域の対抗する側にN型伝導性のソース領域およびドレイン領域を有する電界効果トランジスタである。伝導性ゲートはチャネル領域を覆い、二酸化シリコンのような絶縁材料の層によってチャネル領域から絶縁されている。NMOS出力デバイスに対する静電気の放電(ESD)による損傷は、NMOSトランジスタを含む集積回路(IC)の使用する時によくある出来事である。少なくとも2500[nm]のゲート酸化膜厚を持ち、少なくとも1.5[μm]のゲート長を有するNMOSトランジスタでは、損傷はソース−ドレインのスナップ−バックおよびチャネル領域にわたる2次降伏によるものが通常であり、結果としてソースとドレイン間の短絡となる。トランジスタのバイポーラスナップ−バックのメカニズムを利用することによって、ESDの相応なレベルに耐えるNMOS出力トランジスタを設計することが可能である。しかしながら、結局、2次降伏によって故障が起こる。ICの幾何学的な配置およびゲート酸化膜の縮小として、ゲートに対するドレインは損傷を受けやすくなり、ESD損傷に関して主な弱点となりうる。1000[nm]未満のゲート酸化膜厚を有するNMOSトランジスタでは、ゲート酸化膜に対するドレインのブレイクダウンは主な故障の機構である。これは、ホットキャリア効果をできる限り少なくするNMOSトランジスタの設計の必要性を生じさせ、しばしばゲート酸化膜ブレイクダウンの電圧を越えるスナップ−バック電圧およびNMOSのソース−ドレインブレインダウン電圧に帰着する。
横型バイポーラトランジスタは、P型領域によって間隔を置いて配置された一対のN型領域を備えるという点で、NMOSトランジスタに構造的に似ている。このようなNPNバイポーラトランジスタは、特にP型領域の幅が非常に小さいときに、ESDに関してNMOSトランジスタと似た問題を有する。
本発明は、ソース、ドレインおよびゲートを有するNMOSを含む電気回路へ向けられる。ツェナーダイオードは、NMOSトランジスタをESDから保護するために、NMOSトランジスタのドレインとゲート間に電気的に接続される。
本発明は、P型伝導体の少なくとも一部分と表面とを有する半導体材料のサブストレートを含むICへ向けられる。間隔を置いて配置されたN型伝導体の一対の第1の領域は、サブストレートのP型部分内であってサブストレートの表面にある。第1の領域はNMOSトランジスタのソースおよびドレインを形成し、NMOSトランジスタはその間にNMOSトランジスタのチャネル領域を形成するサブストレートの部分を持つ。伝導性材料のゲートはNMOSトランジスタのチャネルに沿ってサブストレートの表面を覆い、この表面から絶縁されている。N型伝導体の第2の領域はサブストレート内にあって、その表面にある。P+型伝導体の領域は、サブストレート内にあって、その表面にあり、第2の領域を用いてツェナーダイオードのPNジャンクションを形成する。手段はNMOSトランジスタのドレインに第2の領域を電気的に接続し、手段はNMOSトランジスタのゲート領域にP+型領域を接続する。
図1は、本発明のESD保護を持つNMOSトランジスタを有するCMOS回路の回路図である。
図2は、本発明のESD保護の別の形式を有するNMOSトランジスタの回路図である。
図3は、本発明のESD保護を有するNPNバイポーラトランジスタの回路図である。
図4は、図2の回路に示されたESD保護の形式を含むCMOSのIC装置の平面図である。
図5は、図4の5−5線に沿う断面図である。
図6は、図4の6−6線に沿う断面図である。
図1では、CMOS回路10は、ドレイン14、ソース16およびゲート18を有するPMOSトランジスタ12と、ソース22、ドレイン24およびゲート26を有するNMOSトランジスタ20を備える。トランジスタ12のドレイン14はトランジスタ20のドレイン24に接続され、トランジスタ12のゲート18とトランジスタ20のゲート26は相互に接続される。トランジスタ12のソース16はVDDに接続され、トランジスタ20のソース22はVSSに接続される。ESDからトランジスタ20を保護するために、ツェナーダイオード28はトランジスタ20のドレイン24とゲート26との間に接続される。ダイオード28のアノード30はトランジスタ20のゲート26に接続され、ダイオード28のカソード32はトランジスタ20のドレイン24に接続される。
ESDを受けるとき、ダイオード28はトランジスタ20のゲート−ドレインのブレイクダウンを解決するために役立つ。ダイオード28は、ESDの結果として、ゲートとドレイン間の電圧がツェナーブレイクダウン電圧を越えるときは常に、トランジスタ20のゲート26をハイに引き上げる。トランジスタ20のゲート26をハイに引き上げることによって、ドレイン−ゲートのブレイクダウンは回避される。ダイオード28のサイズは、トランジスタ20のゲート26に対する駆動力に依存する。つまり、ダイオード28は、ダイオード28に流れる電流が如何なるNMOSプリドライバの引き下げ電流に打ち勝つようなサイズを持たなければならない。NMOSトランジスタおよびツェナーダイオードがIC内に組み込まれるとき、NMOSトランジスタが形成されるP型伝導性のサブストレートから電気的に分離するために、ツェナーダイオードはN型伝導性のウエル内に製造されなければならない。
図2には、電源供給ピンのためのESD保護を提供するためにNMOSトランジスタ36を有するIC34の回路図が示されている。トランジスタ36はソース38、ドレイン40およびゲート42を含む。ソース38はVSSに電気的に接続され、ドレイン40は電気的にVDDに接続される。ツェナーダイオード44は、トランジスタ36のゲート42とドレイン40との間に接続される。ゲート42はダイオード44のアノード46へ接続され、ドレイン40はダイオード44のカソード48へ電気的に接続される。抵抗体50はVSSとトランジスタ36のゲート42との間に与えられる。IC34では、抵抗体50はIC34が形成される半導体サブストレートの抵抗によって与えられてもよい。
NMOSトランジスタはICの電源供給ピンに対するESD保護のために使用されてきた。NMOSトランジスタのゲートは、ESD保護をするためにソースに電気的に接続される。このような回路では、ESD保護を与えるのはNMOSトランジスタそれ自身よりも、むしろNMOSトランジスタによって形成される寄生NPNバイポーラトランジスタである。NMOSトランジスタのゲートは、(バイポーラトランジスタのコレクタを形成する)ドレインと(バイポーラトランジスタのエミッタを形成する)ソースとの間に間隔を形成するためにのみ使用されている。電源供給保護のために大きなNMOSトランジスタを使用に関して最も大きな問題の一つは、NMOSの小さな領域および初期不良に電流が集中することを避けてNPNバイポーラトランジスタの一様なターン−オンを確実にすることである。ダイオード44により、スナップ−バックへのNPNトランジスタの一様なトリガーが与えられ、その装置の十分なエネルギの取扱い能力を十分に利用する。しかしながら、(一般にはシリコン酸化膜層である)ゲートの絶縁体がICの構成要素のサイズの縮小と共に薄くなるにつれて、NMOSがスナップ−バックして低電圧の伝導状態になる前に、NMOSトランジスタのゲートとドレインとの間にわたるブレイクダウンが起こりうる。IC34においてこの問題を克服するために、ダイオード44のアノード46がトランジスタ36のゲート42に近接して配置されて、トランジスタ36のゲート42は、トランジスタ36のソース38へ直接に接続されるよりも、ダイオード44のアノード46へ接続される。ゲートがハイ状態の下に、ドレインに向かう静電気の放電のような一時的なパルスが装置のサブストレートとゲートを両方引き上げることが、この構造により確実になり、ドレインとゲートとサブストレートと間の電位差を最小にする。これによって、0.5[μm]未満のような小さい寸法を有するICにまでESD保護の役立つ範囲が広がる。
図3では、横型バイポーラトランジスタ136に対する保護回路134が示されている。トランジスタ136は、N型伝導性のエミッタ138、N型伝導性のコレクタ140およびP型伝導性のベース142を備える。トランジスタ136のエミッタ138は負の電源供給線Vssに接続され、コレクタ140は正の電源供給線Vddに接続される。ツェナーダイオード144は、トランジスタ136のコレクタ140とベース140との間に接続される。ダイオード144のアノード146はトランジスタ136のベース142に接続され、ダイオード144のカソード148はトランジスタ136のコレクタ140に接続される。抵抗体150はトランジスタ136のベース142と負の電源供給線Vssとの間に接続される。
横型NPNバイポーラトランジスタの構造は、NMOSトランジスタの構造に非常に類似しているということに注目すべきである。トランジスタのこれらの型では、共に間隔を置いて配置された一対のN型領域を備え、このN型領域の間にP型領域を有する。NPNバイポーラトランジスタでは、N型領域がエミッタおよびコレクタであるのに対し、NMOSトランジスタでは、N型領域がソースおよびドレインとなる。NPNバイポーラトランジスタでは、P型領域はベースであるのに対し、P型領域はチャネル領域である。NMOSトランジスタはP型領域を覆うと共に、P型領域から絶縁されたゲートを備える点に置いて、NMOSトランジスタはNPNバイポーラトランジスタと異なる。回路34および134では共に、ダイオード44(144)のアノード46(146)はトランジスタのP型領域に接続される。トランジスタ36では、ダイオード44のアノード46は、チャネル領域から絶縁されたゲート42を通してP型チャネル領域に電気的に接続される。トランジスタ136では、ダイオード144のアノード146はトランジスタ136のP型ベース領域142へ電気的に直接に接続される。
しかしながら、2つの型のトランジスタは、一時的な静電気の放電によって似たような影響を受ける。保護回路34(134)では、ダイオード44(144)は、ドレイン40(コレクタ140)とゲート42(ベース142)との間の電圧差を縮小するだけでなく、横型トランジスタ136のベース142にトリガーを与える。ツェナー電圧を越えるとき、図3に示された保護回路134は分路となるレギュレータ(regulator)を形成して、ツェナー電圧に1Vebを加えたところで、エミッタ電圧に対しコレクタ電圧を保持する。結局、トランジスタ136を通過する電流は、一時的な保護を与えるために必要なプラズマVceo低抵抗領域にトランジスタ136を引く込むには十分である。
IC内に横型NPNバイポーラトランジスタを形成するとき、しばしばNMOSトランジスタと同じ外観を有する。非常に狭いP型ベース領域を持つNPNバイポーラトランジスタを提供するために、メタルあるいはポリシリコンのマスク層がしばしばP型サブストレートの表面に覆って与えられると共に、P型サブストレートの表面から絶縁され、そして拡散あるいはイオン注入によって形成されるN型領域間に間隔を設ける(define)ために使用される。メタルあるいはポリシリコンの狭いマスクは、幅の狭いLOCOS領域よりも2個のN型領域間に間隔をより正確に設ける。しかしながら、横型バイポーラトランジスタでは、ツェナーダイオードからのメタルによる接続は、マスク層とその下の絶縁層を通してP型ベース領域へ直接に達する。
図4、図5および図6を参照して、図2に示される保護回路34を含むIC半導体装置50が示されている。装置50は、表面54を有するP型伝導性の単結晶シリコンのような半導体材料のサブストレート52を含む。間隔を置いて配置された第1の対のN+型伝導性の領域56および58は、サブストレート52内にあって、その表面54にある。N+型第1の領域56および58は、第1のNMOSトランジスタ60のソースおよびドレインを形成する。第1の領域56および58間のサブストレート52の部分62はトランジスタ60のチャネルを形成する。第2の対のN+型伝導性の領域64および66は、サブストレート52内にあって、その表面54にあり、第1の対である領域56および58に近接しているが間隔を置いて配置されている。第2の領域64および66は、第2のNMOSトランジスタ68のソースおよびドレインを形成する。第2の領域64および66は、第2の領域64および66の間にあるサブストレート52の部分70が第1の対の領域56および58間にあるサブストレート52の部分62に一列に並ぶように配置される。第2の領域64と66の間にあるサブストレート52の部分70はトランジスタ68のチャネルを形成する。
P+型伝導性の第3の領域72はサブストレート52内であって、その表面54にある。第3の領域72はトランジスタ60および68のチャネル領域62および70とほぼ一列に並ぶように配置される。N+型伝導性の領域74は、サブストレート52内であって、その表面54にある。N+領域74はドレイン領域58および68に近接し、第3の領域72に近接しているが第3の領域72から間隔を置いて配置されている。N型領域76は、P+第3領域72とN+領域74の間にあり、これらを接触させる(contact)。サブストレート52の表面54にある。N型領域76は、ツェナーダイオード78のアノードであるP+領域72とダイオード78のカソードであるN型領域76とを持つツェナーダイオード78をP+領域72を用いて形成する。N+領域74は、N型カソード領域のための高い導電性の接続領域を形成する。P+型伝導性のグランド領域80はサブストレート52内にあって、その表面54にある。グランド領域80は、トランジスタ60および68のソース領域56および64の境界から間隔を置いて配置される。
二酸化シリコンのような絶縁材料である第1の層82は、サブストレート52の表面54を覆い、サブストレート52内の領域を保護する(cover)。ドープされた多結晶シリコンような伝導性材料の独立したストリップ(strip)84および86は層82上にあり、チャネル領域62および70をそれぞれ覆って延びている。ストリップ84および86は、トランジスタ60および68のゲートを形成する。ストリップ84および86は、それぞれ第3の領域72から離れてそれらの境界において拡大された(enlarged)ターミナルパッド区域88および90を有する。
二酸化シリコンのような絶縁材料の第2層92は第1層82を覆い、ゲートのストリップ84および86を覆う。メタルのような伝導性材料の第1の接続用のストリップ94は、第2層92上にあり、ゲートのストリップ84および86のターミナルパッド区域88および90間に延びている。また、ストリップ94は、第3の領域72を覆って延び、層92内にある開口部96および98を通して電気的にターミナルパッド区域88および90を接続する。更に、ストリップ94は第1および第2絶縁層82および92内にそれぞれある開口部100および102を通して延び、電気的に第3の領域72を接続する。したがって、第1および第2のNMOSトランジスタ60および68のゲート84および86は、(ダイオード78のアノードである)第3の領域に72にストリップ94によって電気的に接続されている。
メタルのような伝導性材料の第2の接続用のストリップ104は、第2の絶縁材料の層92上にある。ストリップ104は、トランジスタ60および68のドレイン領域58および66の周辺領域(ends)を横切り、N+型領域74を横切り、更に第1および第2の絶縁材料の層82および92内にある開口部106および108を通して延びて、ドレイン領域58および66を接続する。また、ストリップ104は、層82および92内にある開口部110および112を通して延び、N+領域コンタクト領域74を接続する。したがって、トランジスタ60および68のドレイン58および66は、ストリップ104およびN+コンタクト領域74によってN領域76(ダイオード78のカソード)へ電気的に接続される。
第3の接続用のストリップ114は層92上にあり、グランド領域80を覆うと共に横切って延びている。また、ストリップ114は、トランジスタ60および68のソース領域56および64の周辺領域を覆い、層82および92内にある開口部116および118を通して延び、ソース領域56と64を接触させる。更に、ストリップ114は、層82および92内にある開口部120および122を通して延び、グランド領域80を接触させる。したがって、トランジスタ60および68のソース領域56および64は、ストリップ114を通してグランド領域80へ電気的に接続される。
したがって、装置50は2個のNMOSトランジスタ60および68によって形成された横型NPNトランジスタ提供する。ダイオード78はトランジスタ60および68のドレイン58および66とNMOSのトランジスタ60および68のゲート84および86との間にそれぞれ接続される。図2の回路図によって示されように、ゲート84および86はダイオード78のアノード72へ電気的に接続され、ドレイン58および66はダイオード78のカソード74へ電気的に接続される。また、図4に見ることができるように、望み通りにESDから保護するために、ダイオード78のアノード72はトランジスタ60および68のゲート84および86へ近接して配置される。
ストリップ104は2個のトランジスタ60と68から形成され、この間にダイオード78を持つものとし示されるが、装置50は単一のNMOSトランジスタから形成され、それに近接するツェナーダイオードを有してもよい。また、2本のストリップ84および86は伝導性材料の単一のストリップでもよい。加えて、トランジスタ60および68のドレイン領域58および66とダイオード78のN+接続領域74との間の電気的な接続は、伝導性の接続用のストリップ104よりもサブストレート52内にある高い伝導性の領域でもよい。同様に、トランジスタ60および68のソース領域56および64間の接続は、サブストレート52内の高い伝導性の領域でもよい。
したがって、回路のためのESD保護をするためにNMOS(NPN)トランジスタのドレイン(コレクタ)とチャネル(ベース)との間に電気的に接続されるツェナーダイオードを持つ狭いベースの横型NPNトランジスタを含む電気回路が本発明によって提供される。また、期待されるESDの保護を提供するために、ツェナーダイオードのアノードがNMOSトランジスタのゲートに近接して配置される電気回路を形成するICおよび電気回路が提供される。
Claims (1)
- 表面と少なくともP型伝導性の部分とを有する半導体材料のサブストレートと、
前記サブストレートの前記P型伝導性の部分内にあり、間隔を置いて前記表面に配置されるN型伝導性の第1の対の第1の領域であって、該第1の対の該第1の領域は第1のNMOSトランジスタのドレインおよびソースを形成し、該第1の対の該第1の領域の間に前記第1のNMOSトランジスタのチャネルを形成するサブストレートの部分を持つ、該第1の対の第1の領域と、
前記第1のNMOSトランジスタの前記チャネルに沿って前記サブストレートの表面から絶縁されると共に、前記NMOSトランジスタの前記チャネルに沿って前記サブストレートの前記表面を覆う伝導性材料の第1のゲートと、
前記サブストレートのP型部分内であって、前記表面にあるN型伝導性の第2の領域と、
ツェナーダイオードを形成するように前記N型の第2の領域と共にPN接合を形成し、且つ前記サブストレートのP型部分内であって、前記表面にあるP+型伝導性の領域と、
前記第1のNMOSトランジスタの前記ドレインであるN型領域へ前記N型伝導性の第2の領域を電気的に接続する手段と、
前記N型の領域のための接続領域を形成するために前記N型の領域に接するN+型の領域と、
前記サブストレートの前記P型伝導性の部分内にあり、間隔を置いて前記表面に配置されるN型伝導性の第2の対の第1の領域であって、該第2の対の該第1の領域は、第2のNMOSトランジスタのドレインおよびソースを形成し、前記サブストレートのうち前記第2の対の前記第1の領域の間に位置する部分は、前記第2のNMOSトランジスタのチャネルを形成する、該第2の対の第1の領域と、
前記第2のNMOSトランジスタの前記チャネルに沿って前記サブストレートの表面から絶縁されると共に、前記第2のNMOSトランジスタの前記チャネルに沿って前記サブストレートの前記表面を覆う伝導性材料の第2のゲートと、
前記第2のNMOSトランジスタの前記ドレインであるN型領域へ前記N型伝導性の第2の領域を電気的に接続する第2の手段と、
前記第1のゲート及び前記第2のゲートに前記P+型伝導性の領域を電気的に接続する第3の手段と、
を備え、
前記第1のゲートは一対の端部を有し、前記P+型伝導性の領域は前記ゲートの端部の一方に近接して配置され、
前記第1のゲートは、該ゲートの前記一対の端部の他方において拡大されたターミナルパッドを有し、伝導性の多結晶シリコンのストリップであり、
前記第2のゲートは一対の端部を有し、前記P+型伝導性の領域は前記第2のゲートの端部の一方に近接して配置され、
前記第2のゲートは、該第2のゲートの前記一対の端部の他方において拡大されたターミナルパッドを有する、伝導性の多結晶シリコンのストリップであり、
前記第2の対の前記第1の領域は、前記第2のNMOSトランジスタの前記チャンネルが前記第1のNMOSトランジスタの前記チャンネルと一列に並ぶように配置されており、
前記P+伝導性の領域は、前記第1のNMOSトランジスタの前記チャンネル及び前記第2のNMOSトランジスタの前記チャンネルと一列に並ぶように配置されており、
前記第3の手段は、前記第1のゲートの前記拡大されたターミナルパッドと前記第2のゲートの前記拡大されたターミナルパッドとの間に延び、前記P+型伝導性の領域を覆って延び、前記P+型伝導性の領域と前記第1のゲートの前記拡大されたターミナルパッド及び前記第2のゲートの前記拡大されたターミナルパッドとに接続するストリップである、
静電放電保護回路。
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