KR960036128A - 실리콘 탄화물 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 - Google Patents

실리콘 탄화물 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 Download PDF

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KR960036128A
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이.웨이첼 찰스
바트나가 모히트
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빈센트 비.인그라시아
모토로라 인코포레이티드
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Abstract

실리콘 탄화물 MOSFET(10)가 높은 항복전압을 갖도록 형성된다. 항목 강화층(20)은 채널 영역(14)과 드리프트층(12)사이에 형성된다. 항복 강화층(20)은 게이트 절연기(17) 부근의 공핍 영역(24)의 폭을 증가시키는 낮은 도우핑 농도를 갖는다.
증가된 공핍 영역의 폭은 항복전압을 개량한다.

Description

실리콘 탄화물 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터의 확대 단면도.

Claims (3)

  1. 실리콘 탄화물 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터에 있어서, 제1도우핑 농도를 가진 제1도체형의 실리콘 탄화물기판(11)과,제1도체형을 가지며 제1도우핑 농도보다 적은 제2도우핑 농도를 갖는 기판상의 드리프트층(12)과, 표면과, 제1도체형과,제2도우핑을 농도보다 작은 제3도우핑 농도를 가진 드리프트층상의 항복 강화를 (20)과, 제1도체형과 제2도우핑을 농도보다 작은 제4도우핑 농도를 가지며, 항복 강화층상에 있으며, 항복 강화층의 표면위에 연장되는 채널 영역(14)과, 게이트 절연기가 항복 강화층과 경계면을 갖는 채널 영역의 측부(26)상의 게이트 절연기(17)를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화물 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  2. 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터에 있어서, 제1도우핑 농도를 가진 제1도체형의 채널 영역(14)과 상기 채널 영역상의 게이트 절연기(17)와 제1도체형과 제1도우핑 농도보다 작지 않은 제2도우핑 농도를 가진 게이트 절연기 아래에 있는 항복 강화층(20)과, 제1도체형을 가지며, 제1 및 제2도우핑 농도보다 큰 제3도우핑 농도를 갖는 항복 강화층 아래에 있는 드리프트층(12)을 포함하는 것을 특징으로 하는금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  3. 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터의 형성방법에 있어서, 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터의 게이트 절연기(17)와 드리프트층(12)사이에 항복 강화층(20)을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 항복 강화층은 제1도체형과 제1도우핑 농도를 가지며, 상기 드리프트층은 제1도체형과 제1도우핑 농도보다 큰 제2도우핑 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터의 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960005641A 1995-03-30 1996-02-29 실리콘 탄화물 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 KR960036128A (ko)

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