KR960009025A - 반도체장치 제조방법 - Google Patents
반도체장치 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960009025A KR960009025A KR1019940021065A KR19940021065A KR960009025A KR 960009025 A KR960009025 A KR 960009025A KR 1019940021065 A KR1019940021065 A KR 1019940021065A KR 19940021065 A KR19940021065 A KR 19940021065A KR 960009025 A KR960009025 A KR 960009025A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metal film
- film
- semiconductor device
- piq
- device manufacturing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체장치 제조방법에 관한 것으로, 금속막과 리드프레임의 결합력을 높이기 위해 보호막을 건식식각하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체기판상에 형성된 금속막위에 보호막으로서 PIQ막을 형성하는 공정과, 상기 PIQ막을 플라즈마 식각장치에 의해 SF6와 O2가스의 혼합가스를 사용하여 선택적으로 건식식각하여 상기 금속막의 소정부분을 노출시키는 공정으로 이루어지는 반도체장치 제조방법을 제공함으로써 금속막의 부식 및 금속막 표면에서의 폴리머의 생성을 방지하여 금속막과 후속공정에서 금속막과 연결되는 리드프레임과의 결합력을 좋게 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의해 식각된 PIQ막의 단면구조도.
Claims (1)
- 반도체기판상에 형성된 금속막위에 보호막으로서 PIQ막을 형성하는 공정과, 상기 PIQ막을 플라즈마 식각장치에 의해 SF6와 O2가스의 혼합가스를 사용하여 선택적으로 건식식각하여 상기 금속막의 소정부분을 노출시키는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940021065A KR960009025A (ko) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 반도체장치 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940021065A KR960009025A (ko) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 반도체장치 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960009025A true KR960009025A (ko) | 1996-03-22 |
Family
ID=66686646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940021065A KR960009025A (ko) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 반도체장치 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960009025A (ko) |
-
1994
- 1994-08-25 KR KR1019940021065A patent/KR960009025A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR880014662A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR960009025A (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| KR970023756A (ko) | 반도체장치의 스페이서 형성방법 | |
| KR950001908A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960026867A (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR960026210A (ko) | 미세콘택 형성방법 | |
| KR970024300A (ko) | 섀도우 마스크를 이용한 박막 트랜지스터 제조공정 | |
| KR970052723A (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| KR950021096A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970018028A (ko) | 반도체 장치의 금속 콘택 형성방법 | |
| KR970018072A (ko) | 미세 접촉창을 형성할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR970048997A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| KR950021389A (ko) | 반도체 소자의 필드산화막 형성 방법 | |
| JPS5617040A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR980005572A (ko) | 반도체 소자의 금속층 패턴 형성방법 | |
| KR970052836A (ko) | 더미 배선을 갖춘 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR980005619A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970052280A (ko) | 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법 | |
| KR930003254A (ko) | 반도체 장치의 금속배선 방법 | |
| KR930017109A (ko) | 화합물 반도체 소자의 식각방법 | |
| KR970052419A (ko) | 반도체 소자의 패드 형성 방법 | |
| KR910013526A (ko) | 배선용 콘택홀 형성방법 | |
| KR970054601A (ko) | 반도체 디바이스 제조공정의 금속층 패터닝(Patterning) 방법 | |
| KR960042946A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| KR940016694A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |