KR920010770A - 필드 산화막 제조방법 - Google Patents

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KR
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oxide film
field oxide
film manufacturing
initial
growing
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KR1019900018189A
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한정수
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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내용 없음

Description

필드 산화막 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 공정의 단면도,
제2도는 본 발명의 공정단면도,
제3도와 제4도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 단면도.

Claims (2)

  1. 기판위에 초기산화막을 성장시키고 P/R을 사용하여 필드 산화막이 형성될 부분을 한정한 후 이온주입하는 공정과, P/R 제거후 초기 산화막을 성장시켜 필드 산화막을 형성하고 P/R을 사용하여 필드 산화막을 선택적 건식식각하는 공정과, 필드 산화막을 습식식각하고 선택적 에피택시를 실시하는 공정을 차례로 실시함을 특징으로 하는 필드 산화막 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 필드 산화막을 성장시키기 위하여 초기산화막을 1000Å이상 성장시킴을 특징으로 하는 필드 산화막 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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