KR920010770A - 필드 산화막 제조방법 - Google Patents

필드 산화막 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR920010770A
KR920010770A KR1019900018189A KR900018189A KR920010770A KR 920010770 A KR920010770 A KR 920010770A KR 1019900018189 A KR1019900018189 A KR 1019900018189A KR 900018189 A KR900018189 A KR 900018189A KR 920010770 A KR920010770 A KR 920010770A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxide film
field oxide
film manufacturing
initial
growing
Prior art date
Application number
KR1019900018189A
Other languages
English (en)
Inventor
한정수
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019900018189A priority Critical patent/KR920010770A/ko
Publication of KR920010770A publication Critical patent/KR920010770A/ko

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

필드 산화막 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 공정의 단면도,
제2도는 본 발명의 공정단면도,
제3도와 제4도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 단면도.

Claims (2)

  1. 기판위에 초기산화막을 성장시키고 P/R을 사용하여 필드 산화막이 형성될 부분을 한정한 후 이온주입하는 공정과, P/R 제거후 초기 산화막을 성장시켜 필드 산화막을 형성하고 P/R을 사용하여 필드 산화막을 선택적 건식식각하는 공정과, 필드 산화막을 습식식각하고 선택적 에피택시를 실시하는 공정을 차례로 실시함을 특징으로 하는 필드 산화막 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 필드 산화막을 성장시키기 위하여 초기산화막을 1000Å이상 성장시킴을 특징으로 하는 필드 산화막 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900018189A 1990-11-10 1990-11-10 필드 산화막 제조방법 KR920010770A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900018189A KR920010770A (ko) 1990-11-10 1990-11-10 필드 산화막 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900018189A KR920010770A (ko) 1990-11-10 1990-11-10 필드 산화막 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR920010770A true KR920010770A (ko) 1992-06-27

Family

ID=67537751

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900018189A KR920010770A (ko) 1990-11-10 1990-11-10 필드 산화막 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR920010770A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910001971A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR920010770A (ko) 필드 산화막 제조방법
KR890001168A (ko) 반도체 장치에서의 절연산화물 형성방법 및 그 방법에 따라 제조된 반도체 장치
KR880013256A (ko) 헤테로접합형 바이폴라트랜지스터 및 그 제조방법
KR910001943A (ko) 바이포울러 씨모스의 제조방법
KR900007076A (ko) 바이플라 소자의 분리층 형성방법
KR880008479A (ko) 반도체레이저장치의 제조방법
KR0142866B1 (ko) 다결정 실리콘을 이용한 로코스공정
KR930014807A (ko) 반도체 기판의 불순물 제거방법
KR920017213A (ko) 반도체 장치의 소자격리 방법
KR920015615A (ko) 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
KR920015455A (ko) 반도체 소자의 에피택셜 성장공정
KR850005131A (ko) 에피택셜 성장 기술에 의한 메사 트랜지스터의 제작방법
KR920017212A (ko) 트렌치 형성방법
KR910001930A (ko) 자기정렬된 저도핑된 접합형성방법
KR910001881A (ko) 고속용 바이폴라 트랜지스터 제조방법
KR920001747A (ko) 바이폴라 트랜지스터의 디프콜렉터 제조방법
KR920013743A (ko) 열산화막 공정을 이용한 게이트 형성방법
KR890013726A (ko) 이온 주입에 의한 lto 경사 에칭 방법
KR920013668A (ko) 반도체 장치의 소자격리 방법
KR910017666A (ko) 트랜지스터 제조방법
KR910016091A (ko) 사이드월 제조방법
KR900019165A (ko) 선택적 산화막고립 에피텍시 성장을 이용한 소오스콘텍트의 이원화방법
KR920020606A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR920005295A (ko) Locos 격리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application