KR910001881A - 고속용 바이폴라 트랜지스터 제조방법

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내용 없음

고속용 바이폴라 트랜지스터 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도의 (가) 내지 (사)는 본발명 고속용 바이폴라 트랜지스터의 제조공정도,

제3도는 본 발명 고속용 바이폴라 트랜지스터의 단면도.

매입층(1), 에피텍셜층(2), 산화분리막(3)을 형성한 상태에서 산화막(4)을 증착한후 마스크를 통해 콜렉터영역(13)을 증착한후 마스크를 통해 콜렉터영역(13)을 형성하고, B+ 이온 주입에 의한 P+ 포울리 실리콘(5), 산화막(7), Si₃N₄(8)을 증착한후 식각하여 액티브영역을 형성하고, P+ 포울리 실리콘의 증착후 식각을 통해 P+ 포울리 실리콘 사이드벽(9)을 형성하여 베이스콘텍트(10)를 형성하고, 산화막의 증착후 식각을 통해 산화막사이드벽(11)을 형성하여 메이터영역(14)을 형성하고, 상기 Si₃N₄(8)를 제거한후 분리용 N+ 포울리 실리콘(12)을 증착하는 것을 특징으로 하는 고속용 바이폴라 트랜지스터 제조방법.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.