KR900019165A - 선택적 산화막고립 에피텍시 성장을 이용한 소오스콘텍트의 이원화방법 - Google Patents
선택적 산화막고립 에피텍시 성장을 이용한 소오스콘텍트의 이원화방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가)내지 (마)는 본 발명 소오스 콘택트의 이원화에 대한 제조공정도.
Claims (4)
- P판(11)위에 P에피텍설층(12)을 키운후 산화막으로 절연막(13)을 키우고, 상기 절연막(13)을 부분적으로 제거한 후 선택적 에피텍설층을 성장하여 매립절연막(14)을 형성하는 것을 특징으로 하는 선택적 산화막고립 에피텍시성장을 이용한 소오스콘텍트의 이원화방법.
- 제1항에 있어서, 상기 매립절연막(14)을 소오스콘텍트영역에 매립하는 것을 특징으로 하는 선택적 산화막고립 에피텍시성장을 이용한 소오스콘텍트의 이원화방법.
- 제1항에 있어서, 상기 매립절연막(14)의 두께를 100A-300A으로 하는 것을 특징으로 하는 선택적 산화막고립 에피텍시성장을 이용한 소오스콘텍트의 이원화방법.
- 제1항에 있어서, 상기 매립절연막(14)으로 산화막/질화막/산화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 선택적 산화막고립 에피텍시성장을 이용한 소오스콘텍트의 이원화방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890007032A KR0121179B1 (ko) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 선택적 산화막고립 에피텍시 성장을 이용한 소오스콘텍트의 이원화방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR900019165A true KR900019165A (ko) | 1990-12-24 |
| KR0121179B1 KR0121179B1 (ko) | 1997-11-10 |
Family
ID=19286480
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019890007032A KR0121179B1 (ko) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 선택적 산화막고립 에피텍시 성장을 이용한 소오스콘텍트의 이원화방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR0121179B1 (ko) |
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1989
- 1989-05-25 KR KR1019890007032A patent/KR0121179B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|
| KR0121179B1 (ko) | 1997-11-10 |
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