KR920022570A - 제너다이오드 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 (a)-(b)는 본발명에 따른 열처리 공정을 이용한 제너다이오드 제조를 설명하기 위한 공정단면도 이다.
Claims (2)
- n형 반도체 기판상에 배리어 산화막을 성장시키고 제너 영역의 상기 배리어 산화막을 제거한후 붕소를 이온주입하는 공정과, 전면에 질화막을 도포하고 필드영역의 상기 질화막을 제거하는 공정과, 질소가스 분위기하에서 열처리하고 상기 필드영역에 필드산화막을 성장시킨후 남아있는 상기 질화막을 제거하는 공정으로 이루어진 제너다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질소가스 분위기 하에서의 열처리는 700℃에서 1시간 이상 실시하고 계속해서 970℃에서 30분 이상 실시함을 특징으로 하는 제너 다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|
| KR1019910008226A KR100215907B1 (ko) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | 제너다이오드제조방법 |
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| KR100215907B1 KR100215907B1 (ko) | 1999-08-16 |
Family
ID=19314718
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR100215907B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100249183B1 (ko) * | 1997-06-09 | 2000-03-15 | 김영환 | 격리막 형성 방법 |
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1991
- 1991-05-22 KR KR1019910008226A patent/KR100215907B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR100249183B1 (ko) * | 1997-06-09 | 2000-03-15 | 김영환 | 격리막 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100215907B1 (ko) | 1999-08-16 |
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