KR970008471A - 반도체소자 제조방법 - Google Patents

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    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
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    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
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Abstract

본 발명은 반도체소자 제조방법에 관한 것으로, 바이폴라 소자의 매몰층을 정확하게 한정하고, 매몰층에 발생되는 결정결합을 완전히 제거하기 위한 것이다.
본 발명은 실리콘기판위에 초기 산화막을 1000Å 정도로 얇게 형성하는 공정과, 상기 초기 산화막위에 질화막 1000Å 정도의 두께로 얇게 형성하는 공정, 상기 질화막 및 산화막을 선택적으로 제거하여 기판 소정 부분을 노출시키는 공정, 상기 노출된 기판 부위상에 보호 산화막을 형성하는 공정, 상기 노출된 기판 부위에 매몰층을 형성을 위한 불순물 이온을 주입하는 공정, 열처리를 행하여 상기 주입된 불순물 이온을 확산시켜 매몰층을 형성하는 공정, 상기 질화막 및 산화막을 제거하는 공정, 및 기판상에 에피층을 성장시키는 단계를 포함하는 반도체소자 제조방법을 제공한다.

Description

반도체소자 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2e도 내지 제2h도는 본 발명에 의한 바이폴라 소자의 매몰층 형성방법을 도시한 공정순서도.

Claims (1)

  1. 실리콘기판위에 초기 산화막을 1000Å 정도로 얇게 형성하는 공정과, 상기 초기 산화막위에 질화막 1000Å 정도의 두께로 얇게 형성하는 공정, 상기 질화막 및 산화막을 선택적으로 제거하여 기판 소정 부분을 노출시키는 공정, 상기 노출된 기판 부위상에 보호 산화막을 형성하는 공정, 상기 노출된 기판 부위에 매몰층을 형성을 위한 불순물 이온을 주입하는 공정, 열처리를 행하여 상기 주입된 불순물 이온을 확산시켜 매몰층을 형성하는 공정, 상기 질화막 및 산화막을 제거하는 공정, 및 기판상에 에피층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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