KR980006027A - 반도체소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 트랜지스터의 P+게이트 형성시 붕소(B)가 게이트산화막으로 침투되는 것을 방지하기 위한 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 게이트 산화막을 형성하는 단계와, Si를 함유한 가스와 Ge을 함유한 가스를 동시에 플로우시켜 상기 게이트산화막 표면에 Si1-xGex층을 형성하고, 상기 Ge을 포함한 가스의 공급을 중단하고 Si을 포함한 가스만을 플로우시켜 실리콘을 상기 Si1-xGex층상에 연속 중착하는 단계, 상기 실리콘층을 패터닝하여 게이트전극을 형성하는 단계, p형 불순물을 상기 게이트전극에 도핑하는 단계, 및 열처리를 행하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체소자 제조방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3a도 내지 제3c도는 본 발명에 의한 P+게이트 형성시의 붕소(B)의 게이트산화막으로의 침투를 방지하기 위한 방법을 도시한 공정순서도.
Claims (9)
- 반도체기판상에 게이트 산화막을 형성하는 단계와, Si를 함유한 가스와 Ge을 함유한 가스를 동시에 플로우시켜 상기 게이트산화막 표면에 Si1-xGex층을 형성하고, 상기Ge을 포함한 가스의 공급을 중단하고 Si을 포함한 가스만을 플로우시켜 실리콘을 상기 Si1-xGex층상에 연속 증착하는 단계, 상기 실리콘층을 패터닝하여 게이트전극을 형성하는 단계, p형 불순물을 상기 게이트전극에 도핑하는 단계, 및 열처리를 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Si를 함유한 가스로 SiH4를 사용하고, GeHSi4를 함유한 가스로 SiH4를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Si1-xGex층을 40Å내지 50Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘층은 폴리실리콘 또는 비정질실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트전극으로의 P형 불순물의 도핑은 이온 주입에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 P형 불순물의 이온주입에 의해 상기 게이트 전극이 도핑됨과 동시에 상기 게이트전극 양단의 기판부위에 P형 소오스 및 드레인이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 P형 불순물로 B 또는 BF2를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리단계에서 상기 게이트전극에 도핑된 P형 불순물의 농도가 균일하게 되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Si1-xGex층에 의해 상기 게이트전극에 도핑된 P형 불순물의 상기 게이트산화막으로의 침투가 방지되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960026519A KR980006027A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960026519A KR980006027A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006027A true KR980006027A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960026519A KR980006027A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006027A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100587053B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2006-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960026519A patent/KR980006027A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100587053B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2006-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
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