KR950007146A - 바이폴라트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 바이폴라트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 에미터 접촉부와 콜렉터 접촉부를 형성하기 위한 제4다결정실리콘을 별도의 마스크없이 산화막과 제2측벽들을 마스크로 RIE를 하고, 에미터 영역을 한정하기 위한 제2측벽의 평탄한 측면에 제3측벽을 형성한 후 이온주입하여 베이스 영역의 고농도 부분을 형성하여 에이터 영역과 베이스영역의 이격거리를 크게하며, 베이스전극을 이 고농도 영역에 접촉하도록 형성한다. 따라서, 에미터 접촉부와 콜렉터 접촉부를 형성하기 위한 다결정실리콘을 별도의 마스크없이 형성하므로 공정이 간단하며, 에미터영역과 베이스영역이 저농도 접합을 이루므로 에미터-베이스 내압을 증가시킬 수 있고, 또한, 베이스영역과 베이스전극이 접촉되어 있으므로 베이스저항이 감소되어 동작속도를 빠르게 할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 (A) 내지 (E)는 종래 기술에 따른 바이폴라트랜지스터의 제조 공정도,
제2도 (A) 내지 (E)는 본 발명에 따른 바이폴라트랜지스터의 제조 공정도.
Claims (1)
- 제1도전형의 실리콘 기판에 고농도의 제2도전형의 매몰층과 저농도의 제2도전형의 에피택셜층을 형성하는 공정과, 상기 에피택셜층의 소정부분을 실리콘기판이 노출될때까지 식각하여 트렌치를 형성하며, 이트렌치의 표면에 산화막을 형성하고 제1다결정 실리콘을 채워 소자분리영역을 형성하는 공정과, 상기 에피택셜층 표면에 패드산화막과 소정부분에 소자의 활성 영역을 한정하는 필드산화막을 형성하는 공정과, 상기 필드산화막을 마스크로 사용하여 에피택셜층에 제1도전형의 베이스 영역을 형성하는 공정과, 상기 필드산화막의 소정부분을 제외한 부분에 제2다결정실리콘과 제1측벽들을 형성한 후 필드산화막의 노출된 부분을 소정 두께가 남도록 제거하고 제2도전형의 불순물을 주입하는 공정과, 상기 제2다결정 실리콘과 제1측벽들을 제거한후 상기 필드 산화막 및 패드 산화막의 소정부분을 제외한 부분에 제3다결정 실리콘과 산화막을 형성하고 측면에 제2측벽들을 형성하는 공정과, 상기 노출된 소정 두께 남은 필드산화막과 패드산화막을 제거한 후 상기 산화막보다 낮도록 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 제4다결정 실리콘과 실리사이드층을 형성하고 에미터 및 콜렉터 영역을 형성하는 공정과, 상기 제3다결정 실리콘과 산화막을 제거하고 제2측벽들 측면에 제3측벽들을 형성하고 베이스영역의 소정부분을 제외한 부분에 저온 산화막을 형성하는 공정과, 상기 베이스 영역의 노출된 부분에 제1도전형의 불순물을 고농도로 주입하고 베이스전극, 에미터전극 및 콜렉터전극을 형성하는 공정을 구비하는 바이폴라트랜지시스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930015489A KR950007146A (ko) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 바이폴라트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930015489A KR950007146A (ko) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 바이폴라트랜지스터의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950007146A true KR950007146A (ko) | 1995-03-21 |
Family
ID=66817580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930015489A KR950007146A (ko) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 바이폴라트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950007146A (ko) |
-
1993
- 1993-08-10 KR KR1019930015489A patent/KR950007146A/ko not_active Application Discontinuation
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