KR920015508A - Npn형 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
Npn형 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제조 공정 단면도.
Claims (1)
- N형 기판위에 N형 에피층을 성장시키고 소정간격으로 N형 기판의 일정두께까지 에치하여 V형 그루브를 형성하는 단계, 전체적으로 열적 산화막을 형성하고 그 위에 표면이 평탄하도록 폴리실리콘막을 형성하는 단계, 웨이퍼를 뒤집어서 상기 폴리실리콘막을 기판으로 하고 상기N형 기판을 상기 V형 그루브 밑부분이 오픈될 때까지 에치하여 V형 그루브를 격리영역으로 만드는 단계, 상기 V형 그루브 사이의 N형 기판에 포트/P형 이온주입 공정을 실시하여 베이스영역을 형성하고 포토/N형 이온주입공정을 실시하여 에미터영역과 콜렉터영역을 형성하는 단계, 상기 베이스영역과 N형 기판에 걸쳐서 베이스 콘택용 P형 폴리실리콘막을 형성하고 전체적으로 보호막을 증착하는 단계, 상기 보호막에 포토/에치공정을 실시하여 콘택트를 형성하고 이 콘택트내에 금속을 증착시켜 에미터와 베이스 및 콜랙터 금속 전극을 형성하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 NPN형 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000570A KR920015508A (ko) | 1991-01-15 | 1991-01-15 | Npn형 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000570A KR920015508A (ko) | 1991-01-15 | 1991-01-15 | Npn형 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920015508A true KR920015508A (ko) | 1992-08-27 |
Family
ID=67396439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910000570A KR920015508A (ko) | 1991-01-15 | 1991-01-15 | Npn형 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920015508A (ko) |
-
1991
- 1991-01-15 KR KR1019910000570A patent/KR920015508A/ko not_active Application Discontinuation
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