KR970013199A - 반도체장치의 소자분리 방법 - Google Patents
반도체장치의 소자분리 방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 장치의 소자분리 방법이 개시되어 있다. 본 발명은 반도체장치의 소자분리 방법에 있어서, 단결정 실리콘기판 상에 패드 산화층 및 질화실리콘층을 차례로 형성하는 단계와, 상기 질화실리콘층 및 상기 패드산화층의 소정부분을 연속적으로 식각하여 그 아래의 단결정 실리콘기판을 노출시키는 단계와, 상기 노출된 단결정 실리콘기판 상에 상기 질화실리콘층의 두께보다 얇은 단결정 실리콘층을 선택적으로 형성하는 단계와, 상기 식각된 질화실리콘층 측벽에 실리콘산화막으로 이루어진 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 스페이서 및 상기 식각된 질화실리콘층을 식각마스크로 하여 상기 단결정 실리콘층을 식각하는 단계와, 상기 스페이서를 제거하는 단계, 및 상기 스페이서가 제거된 단결정 실리콘기판을 열산화시키어 상기 단결정 실리콘층이 형성된 부분에 필드산화층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 필드산화층의 버즈 비크 길이를 작게 형성하면서 그 아래에 결정결함이 발생하는 것을 크게 억제시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2d도는 본 발명에 의한 반도체 자이의 소자분리 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (1)
- 반도체장치의 소자분리 방법에 있어서, 단결정실리콘기판 상에 패드 산화층 및 질화실리콘층을 차례로 형성하는 단계; 상기 질화실리콘층 및 상기 패드산화층의 소정부분을 연속적으로 식각하여 그 아래의 단결정 실리콘기판을 노출시키는 단계; 상기 노출된 단결정 실리콘기판 상에 상기 질화실리콘층의 두께보다 얇은 단결정 실리콘층을 선택적으로 형성하는 단계; 상기 식각된 질화실리콘층 측벽에 실리콘산화막으로 이루어진 스페이서를 형성하는 단계; 상기 스페이서 및 상기 식각된 질화실리콘층을 식각마스크로 하여 상기 단결정 실리콘층을 식각하는 단계; 상기 스페이스를 제거하는 단계; 및 상기 스페이서가 제거된 단결정 실리콘기판을 열산화시키어 상기 단결정 실리콘층이 형성된 부분에 필드산화층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리 방법
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950026916A KR970013199A (ko) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 반도체장치의 소자분리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950026916A KR970013199A (ko) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 반도체장치의 소자분리 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970013199A true KR970013199A (ko) | 1997-03-29 |
Family
ID=66596158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950026916A KR970013199A (ko) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 반도체장치의 소자분리 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970013199A (ko) |
-
1995
- 1995-08-28 KR KR1019950026916A patent/KR970013199A/ko not_active Application Discontinuation
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