KR970053497A - 반도체 기판에서의 소자간 격리방법 - Google Patents

반도체 기판에서의 소자간 격리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970053497A
KR970053497A KR1019950069659A KR19950069659A KR970053497A KR 970053497 A KR970053497 A KR 970053497A KR 1019950069659 A KR1019950069659 A KR 1019950069659A KR 19950069659 A KR19950069659 A KR 19950069659A KR 970053497 A KR970053497 A KR 970053497A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
semiconductor substrate
nitride film
antioxidant
oxide film
Prior art date
Application number
KR1019950069659A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0177392B1 (ko
Inventor
박주석
Original Assignee
문정환
Lg 반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, Lg 반도체주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019950069659A priority Critical patent/KR0177392B1/ko
Publication of KR970053497A publication Critical patent/KR970053497A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0177392B1 publication Critical patent/KR0177392B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02595—Microstructure polycrystalline
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)

Abstract

본 발명은 산화방지막인 실리콘 질화막의 손상을 방지하고, 필드 산화막의 단차를 최소화하며 버즈 빅 발생으로 인한 필드 산화막인 실리콘 산화막의 침투로 인한 소자형성영역의 감소를 방지할 수 있도록, 반도체 기판상의 소자가 형성될 영역사이의 격리영역에 산화막을 두껍게 형성하는 반도체 기판에서의 소자간 격리방법에 있어서, 반도체 기판상에 내산화성을 가지는 제1물질과, 질화막과 식각선택성을 가지는 제2물질을 차례로 적층한 후, 격리영역만을 선택식각하여 반도체 기판의 표면을 노출시키고, 소자형성영역에 산화방지막과 그 상부의 식각멈춤막을 형성하는 단계와, 식각먹춤막과 산화방지막 및 반도체 기판의 노출된 표면위에 질화막을 적층한 후, 질화막을 에치백하여 식각멈춤막과 산화방지막의 측면에만 질화막을 잔류시키는 단계와, 질화막을 마스크로 격리영역의 반도체 기판을 소정깊이까지 식각하고, 식각차단막을 식각제거하는 단계와, 질화막과 산화방지막을 마스크로 필드 산화하여 소자격리영역에 두꺼운 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 기판에서의 소자간 격리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 기판에서의 소자간 격리방법을 예시한 도면.

Claims (2)

  1. 소자가 형성될 영역사이에 산화막을 두껍게 형성하는 반도체 기판에서의 소자간 격리방법에 있어서, 1) 반도체 기판상에 내산화성을 가지는 제1물질과, 질화막과 식각선택성을 가지는 제2물질을 차례로 적층한 후, 격리영역만을 선택식각하여 반도체 기판의 표면을 노출시키고, 소자형성영역에 산화방지막과 그 상부의 식각멈춤막을 형성하는 단계와, 2) 상기 식각차단막과 상기 산화방지막 및 상기 반도체 기판의 노출된 표면위에 질화막을 적층한 후, 상기 질화막을 에치백하여 상기 식각차단막과 상기 산화방지막의 측면에만 질화막을 잔류시키는 단계와, 3) 상기 질화막을 마스크로 상기 격리영역의 반도체 기판을 소정깊이까지 식각하고, 상기 식각차단막을 식각제거하는 단계와, 4) 상기 질화막과 상기 산화방지막을 마스크로 필드 산화하여 상기 소자격리영역에 두꺼운 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 기판에서의 소자간 격리방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1물질은 질화막이고, 상기 제2물질은 다결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체 기판에서의 소자간 격리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950069659A 1995-12-30 1995-12-30 반도체 기판에서의 소자간 격리방법 KR0177392B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950069659A KR0177392B1 (ko) 1995-12-30 1995-12-30 반도체 기판에서의 소자간 격리방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950069659A KR0177392B1 (ko) 1995-12-30 1995-12-30 반도체 기판에서의 소자간 격리방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970053497A true KR970053497A (ko) 1997-07-31
KR0177392B1 KR0177392B1 (ko) 1999-04-15

Family

ID=19448522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950069659A KR0177392B1 (ko) 1995-12-30 1995-12-30 반도체 기판에서의 소자간 격리방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0177392B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR0177392B1 (ko) 1999-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970030640A (ko) 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법
KR880009415A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR970053497A (ko) 반도체 기판에서의 소자간 격리방법
KR980006363A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR970072295A (ko) 반도체 소자의 격리막 형성방법
KR960026618A (ko) 반도체소자의 소자분리 절연막의 제조방법
KR980006079A (ko) 반도체장치의 소자 분리막 형성방법
KR970053376A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
KR970053494A (ko) 반도체 소자 분리방법
KR960039270A (ko) 반도체소자 격리막 및 그 제조방법
KR960002714A (ko) 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법
KR960019513A (ko) 반도체 소자의 콘택 형성 방법
KR980006072A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
KR950021401A (ko) 트렌치형 소자분리막 제조방법
KR960032651A (ko) 반도체 소자의 게이트전극 제조방법
KR940016768A (ko) 트렌치를 이용한 소자분리막 형성방법
KR960005939A (ko) 반도체 소자분리막 형성 방법
KR950024299A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR980006082A (ko) 반도 체장치의 소자분리막 형성방법
KR980005495A (ko) 반도체장치 제조방법
KR970018081A (ko) 반도체소자의 콘택홀 형성방법
KR970054239A (ko) 비휘발성 메모리장치 및 그 제조방법
KR950015712A (ko) 반도체소자의 소자분리막 제조방법
KR960026575A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
KR970052660A (ko) 반도체 소자의 아이솔레이션 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20091028

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee