KR980006082A - 반도 체장치의 소자분리막 형성방법 - Google Patents
반도 체장치의 소자분리막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야:
반도체 장치의 소자분리막 형성방.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제:
반도체 장치의 제조방법, 특히 소자분리 산화막을 트렌치 공정에 의해 형성할 시 상기 활성영역과 소자분리 산화막 간에 단차가 유발되어 이런 단차에 따른 게이트 산화막의 특성저하가 소자특성을 저하시킬 수 있는 문제점이 있었음.
3. 발명의 해결방법의 요지:
열산화공정에 의해 활성영역의 가장자리 부분을 완만하게 형성하는 방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도:
반도체 소자분리막 형성방법에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도부터 제2d도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 소자분리막 형성 공정도.
Claims (5)
- 반도체 장치 제조방법에 있어서, 반도체 기판상에 상기 반도체 기판의 소정부위가 노출되는 산화방지막 패턴을 형성하는 단계; 상기 노출된 반도체 기판을 산화시켜 열산화막을 형성하는 단계; 상기 산화방지막 패턴을 식각장벽으로 상기 열산화막과 상기 반도체 기판을 일정깊이 차례로 식각하는 단계; 전체구조 상부에 소자분리용 절연막을 형성하고 상기 산화방지막 상부 표면이 드러나도록 에치백하는 단계; 및 상기 산화방지막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화방지막은 반도체 기판에 차례로 적층된 패드산화막과 질화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화방지막은 상기 반도체 기판에 차례로 패드산화막, 폴리실리콘막, 질화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열산화 공정의 열산화막은 50Å 내지 600Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열산화 공정의 열산화막은 700℃ 내지 1000℃의 온도로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025417A KR980006082A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도 체장치의 소자분리막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025417A KR980006082A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도 체장치의 소자분리막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006082A true KR980006082A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960025417A KR980006082A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도 체장치의 소자분리막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006082A (ko) |
-
1996
- 1996-06-28 KR KR1019960025417A patent/KR980006082A/ko not_active Application Discontinuation
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