KR980006069A - 반도체 장치의 소자분리막 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 소자분리막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 장치 제조방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 트렌치형 소자분리막 형성방법의 경우, 질화막 및 희생 산화막 제거 공정시 O3-TEOS 산화막의 높은 습식 식각율로 인하여 트렌치 모서리 부분에서의 게이트 산화막 열화를 일으키고, 트렌치 측벽과의 좋지 않은 계면 특성으로 인해 접합 누설 전류의 증가등 문제점이 있다.
3. 발명의 해결방법 요지
산소 및 TCA 분위기에서 저온 가압 열처리를 통해 O3-TEOS 산화막과 트렌치 측벽 사이에 열 산화막을 성장시켜 계면 특성을 향상시키고, O3-TEOS 산화막 습식 식각율을 열 산화막의 습식 식각율과동일하게 하는 반도체 장치의 소자분리막 형성방법을 제공하고자함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 장치의 소자분리막 형성에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2b도는 본발명의 일실시예에 따른 반도체 장치의 소자분리막 형성 공정도.
Claims (3)
- 반도체 장치 제조방법에 있어서, 반도체 기판 상부에 산화방지막을 형성한 다음, 소자분리 영역 형성을 위한 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 장벽으로하여 상기 산화방지막을 식각하는 단계; 상기 반도체 기판을 소정 부위만큼 식각하여 트렌치를 형성하는 단계; 전체구조 상부에 O3-Si(OCH5)4산화막을 형성하여 상기 트렌치를 매립하는 단계, 및 산소 및 트리클로로에탄(TCA) 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 약 800℃이상의 온도, 상압 이상의 압력에서 약 5분 내지 약 100분 동안 열처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리막 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 1ℓ내지 30ℓ의 산소 및 0.1ℓ내지 1ℓ의 트리클로로에탄 분위기에서 열처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024687A KR980006069A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 장치의 소자분리막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960024687A KR980006069A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 장치의 소자분리막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006069A true KR980006069A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024687A KR980006069A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 장치의 소자분리막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006069A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980015598A (ko) * | 1996-08-23 | 1998-05-25 | 김주용 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
| KR100849073B1 (ko) * | 2007-06-26 | 2008-07-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024687A patent/KR980006069A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980015598A (ko) * | 1996-08-23 | 1998-05-25 | 김주용 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
| KR100849073B1 (ko) * | 2007-06-26 | 2008-07-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
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