KR980006070A - 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 장치 제조방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
트렌치 건식 식각시 발생한 트렌치 측벽의 오염 또는 손상으로 인해 트렌치 측벽에서 고정 전하를 발생시키므로써 측벽 반전을 일으키며, 이로 인해 트렌치 모서리 부분에서 전계의 집중 현상이 발생하여 소자의 동작 특성이 악화되는 문제점이 있었음.
3. 발명의 해결방법 요지
트렌치 측벽에 소정의 산화막 형성을 통해 측벽 반전 현상을 방지하는 반도체 장치의 트렌치형 소자분리막 형성방법을 제공하고자함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 장치의 소자분리막 형성에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 및 제2b도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 소자분리막 형성 공정도.
Claims (4)
- 반도체 장치 제조방법에 있어서, 반도체 기판상의 소자분리막이 형성된 부위를 식각하여 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치 표면에 제1 산화막을 성장 시킨 다음. 상기 제1 산화막을 제거하는 단계; 상기 트렌치 측벽 상부 모서리 부분을 둥글게 형성하기 위하여 상기 트렌치 표면에 제2 산화막을 성장시키는 단계, 및 전체구조 상부에 상기 트렌치를 매립하기 위한 필드산화막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 산화막 및 상기 제2 산화막은 약 100Å 내지 약 500Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리막 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 산화막은 가압 산화로내에서 산소 분위기, 상압 이상의 압력 및 약 700℃ 내지 약900℃의 온도 환경에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리막형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 산화막은 가압 산화로내에서 산소 분위기, 상압 및 약 950℃ 이상의 온도 환경에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024688A KR980006070A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024688A KR980006070A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006070A true KR980006070A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024688A KR980006070A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006070A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100471406B1 (ko) * | 1999-06-22 | 2005-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 트렌치 소자분리 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법 |
| KR100470161B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2005-04-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 트렌치를 이용한 반도체 소자분리막 제조 방법 |
| KR100498590B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2005-09-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024688A patent/KR980006070A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100470161B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2005-04-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 트렌치를 이용한 반도체 소자분리막 제조 방법 |
| KR100498590B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2005-09-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 |
| KR100471406B1 (ko) * | 1999-06-22 | 2005-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 트렌치 소자분리 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법 |
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