JP2007115763A - 半導体製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体基板に形成された高アスペクト比の凹部に、十分な埋め込み性を得ることができるとともに、良好な絶縁膜を形成することが可能な半導体製造方を提供する。
【解決手段】凹部の形成されたシリコン基板1上に、高密度プラズマCVDを用いて第1のシリコン酸化膜1cを形成する工程と、前記第1のシリコン酸化膜をO2プラズマ処理する工程と、前記O2プラズマ処理された第1のシリコン酸化膜上に、高密度プラズマCVD法を用いて第2のシリコン酸化膜を形成する工程を備える。
【選択図】図4
【解決手段】凹部の形成されたシリコン基板1上に、高密度プラズマCVDを用いて第1のシリコン酸化膜1cを形成する工程と、前記第1のシリコン酸化膜をO2プラズマ処理する工程と、前記O2プラズマ処理された第1のシリコン酸化膜上に、高密度プラズマCVD法を用いて第2のシリコン酸化膜を形成する工程を備える。
【選択図】図4
Description
本発明は、高密度プラズマCVD(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition、以下HDP−CVD)法を用いたシリコン酸化膜の形成工程を備える半導体製造方法に関する。
一般に、半導体装置において、凹部を形成した後、絶縁膜を埋め込み、素子分離(STI:Shallow Trench Isolation)や各配線・電極間を電気的に分離する手法が用いられている。
例えば、シリコン基板上にシリコン窒化膜を形成し、通常のパターニングにより凹部を形成する。そして、シリコン酸化膜を全面に形成し、凹部を埋め込んだ後、さらにCMP(Chemical Mechanical Polishing)、ウエットエッチング処理を行い、シリコン窒化膜を除去するとともに、凹部内の所定位置までシリコン酸化膜を除去する。このようにして、凹部内にシリコン酸化膜からなる絶縁膜が形成され、各素子や配線・電極間を電気的に分離することができる。
近年、半導体装置の微細化、高密度化に伴い、素子分離用に形成された溝、配線層間や電極間などの凹部のアスペクト比も高くなり、これら微細な凹部を埋め込むシリコン酸化膜など絶縁膜の形成には、高度な埋め込み性が要求されている。
そのため、HDP−CVD法を用いて、半導体基板にバイアスを印加し、イオンを引き込みながら絶縁膜を形成する手法が試みられているものの、さらなる凹部の高アスペクト比化に伴い、十分な埋め込み性が得られず、ボイドが発生するという問題が発生した。
そのため、SOG(Spin On Glass)法などの手法を併せて用いることにより、埋め込み性の改善を図ることが提案されている(例えば特許文献1参照)。
特開2003−31650号公報
本発明は、半導体基板に形成された高アスペクト比の凹部に、十分な埋め込み性を得ることができるとともに、良好な絶縁膜を形成することが可能な半導体製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明の一態様によれば、所定の位置に凹部の形成されたシリコン基板上に、高密度プラズマCVDを用いて第1のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記第1のシリコン酸化膜をO2プラズマ処理する工程と、前記O2プラズマ処理された第1のシリコン酸化膜上に、高密度プラズマCVD法を用いて第2のシリコン酸化膜を形成する工程を備えることを特徴とする半導体製造方法が提供される。
本発明の一実施態様によれば、半導体基板に形成された高アスペクト比の凹部に、十分な埋め込み性を得ることができるとともに、良好な絶縁膜を形成することが可能となる。
以下本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
(実施形態1)
図1に本実施形態に用いられるIPC(Induction Coupled Plasma)HDP−CVD装置を示す。図に示すように、凹部の形成されたシリコン基板1上にシリコン酸化膜を形成する成膜反応が行われる反応容器2は、セラミックドーム部2a、メタルチャンバー部2bから構成されている。プラズマを生成するセラミックドーム部2aには、アンテナ3が巻かれており、その端子はRF電源4aに接続されている。
図1に本実施形態に用いられるIPC(Induction Coupled Plasma)HDP−CVD装置を示す。図に示すように、凹部の形成されたシリコン基板1上にシリコン酸化膜を形成する成膜反応が行われる反応容器2は、セラミックドーム部2a、メタルチャンバー部2bから構成されている。プラズマを生成するセラミックドーム部2aには、アンテナ3が巻かれており、その端子はRF電源4aに接続されている。
このセラミックドーム部2aの下方に位置するメタルチャンバー部2bには、反応容器内を真空にするためのドライポンプ5及びターボ分子ポンプ6が接続されており、その上方には、SiH4、O2、Arガスなどを導入するためのノズル7が設置されている。また、シリコン基板1を吸着設置しバイアス電界を印加する基板設置電極8が設置されており、シリコン基板1との間にHeガスを導入することにより、シリコン基板1を冷却することが可能となっている。この基板設置電極8には、セルフバイアスを印加するためのRF電源4bが接続されており、生成されたプラズマをシリコン基板1上に集束させるためのフォーカスリング9が、基板設置電極8上のシリコン基板1を囲む位置に配置されている。
このようなIPC HDP−CVD装置を用いて、シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成する。先ず、図2に示すような、表面にシリコン窒化膜1aが形成され、アスペクト比4.5〜5以上の凹部1bが形成されたシリコン基板1を、基板設置電極8上に載置し、ドライポンプ5及びターボ分子ポンプ6により反応容器2内を真空にした後、ノズル7よりSiH4、O2、Arガスを導入する。そして、RF電源4aによりアンテナ3に高周波を印加して、誘導結合プラズマを発生させるとともに、RF電源4bによりバイアスを印加し、発生したイオンをシリコン基板1に引き込みながら、シリコン酸化膜を形成する。
このとき、シリコン酸化膜の堆積と、スパッタリングが同時に起こっているが、凹部のエッジ部に堆積したシリコン酸化膜は、スパッタリングされるため、中心部と比べて埋め込み性が低下してしまう。そのため、通常のシリコン酸化膜の形成時の成膜ガス流量:O2/SiH4/Ar=60/21/1000sccmより、スパッタリングの主成分であるO2濃度を抑えたO2/SiH4/Ar=42/18/1000sccm程度で成膜ガスを導入する。これにより、高アスペクト比の凹部内に埋め込み性良くシリコン酸化膜を形成することができる。
このようにして形成されるシリコン酸化膜において、図3に示すように、凹部のエッジ部に堆積したシリコン酸化膜1cの一部は、スパッタリングされて反対側の側面に再付着する。そして、O2濃度が抑えられた雰囲気であるため、Hイオンによるシリコン酸化膜の還元が優位に進行し、凹部の上部にシリコンリッチ層1d(酸素濃度の低いシリコン酸化膜)が形成される。このようなシリコンリッチ層1dにおける屈折率は1.47以上と、通常のSiO2膜1cの1.46程度より高くなっている。
次いで、SiH4ガスの導入を止めるとともに、RF電源4bからのバイアス印加を止め、図4に示すように、O2プラズマ処理を施し、シリコンリッチ層1d中に酸素を供給する。これは、シリコン酸化膜のウエットエッチング処理におけるエッチングレートが、その酸素濃度に依存するためである。例えば、図5に示すように、シリコンリッチ層1dが形成され、酸素濃度の偏りがあると、シリコン酸化膜の成膜、平坦化後のウエットエッチングの際、エッチング速度がばらつき、図6に示すように、シリコン酸化膜の表面荒れが生じてしまう。
ここで、O2プラズマ処理を行ったときのO2プラズマ処理時間と屈折率の関係を図7に示す。図に示すように、O2プラズマ処理時間が10sec以上のとき、屈折率は1.46程度まで低下しており、シリコンリッチ層1d中に酸素が供給されていることがわかる。
このようにしてO2プラズマ処理を行った後、再度SiH4ガスを導入するとともに、RF電源4bからバイアスを印加して、O2プラズマ処理を施されたシリコン酸化膜上にシリコンリッチ層を含むシリコン酸化膜を形成し、再度O2プラズマ処理を行う、というステップを、例えば2回程度繰り返す。このようにして凹部中に均一にシリコン酸化膜を形成することができる。
また、半導体素子における絶縁特性を評価するために、シリコン基板上に同様の条件で形成されたシリコン酸化膜(30nm、60nm)の、電流−電圧特性を測定した結果を図8に示す。尚、比較例として、O2プラズマ処理を施さないシリコン酸化膜について同様に測定した結果を併せて示す。図に示すように、本実施形態と同様の条件で形成されたシリコン酸化膜においては、O2プラズマ処理を施さないものと比較して、高いブレイクダウン電圧が得られていることがわかる。
本実施形態によれば、半導体基板に形成された高アスペクト比の凹部に、十分な埋め込み性を得ることができるとともに、絶縁特性の良好な絶縁膜を形成することが可能となる。
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
1 シリコン基板
1a シリコン窒化膜
1b 凹部
1c シリコン酸化膜
1d シリコンリッチ層
2 反応容器
3 アンテナ
4 RF電源
5 ドライポンプ
6 ターボ分子ポンプ
7 ノズル
8 基板設置電極
9 フォーカスリング
1a シリコン窒化膜
1b 凹部
1c シリコン酸化膜
1d シリコンリッチ層
2 反応容器
3 アンテナ
4 RF電源
5 ドライポンプ
6 ターボ分子ポンプ
7 ノズル
8 基板設置電極
9 フォーカスリング
Claims (5)
- 所定の位置に凹部の形成されたシリコン基板上に、高密度プラズマCVDを用いて第1のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第1のシリコン酸化膜をO2プラズマ処理する工程と、
前記O2プラズマ処理された第1のシリコン酸化膜上に、高密度プラズマCVD法を用いて第2のシリコン酸化膜を形成する工程を備えることを特徴とする半導体製造方法。 - 前記第1のシリコン酸化膜を形成する工程は、前記第1のシリコン酸化膜の屈折率が1.47以上となる条件で行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造方法。
- 前記O2プラズマ処理する工程は、前記第1のシリコン酸化膜の屈折率を低下させる条件で行われることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体製造方法。
- 前記凹部のアスペクト比は、4.5以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体製造方法。
- さらに、前記第2のシリコン酸化膜を、O2プラズマ処理する工程を備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005303209A JP2007115763A (ja) | 2005-10-18 | 2005-10-18 | 半導体製造方法 |
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JP2005303209A JP2007115763A (ja) | 2005-10-18 | 2005-10-18 | 半導体製造方法 |
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JP (1) | JP2007115763A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2019207864A1 (ja) * | 2018-04-27 | 2020-12-10 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
-
2005
- 2005-10-18 JP JP2005303209A patent/JP2007115763A/ja active Pending
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