KR970003988A - 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 하부 절연층이 형성된 반도체기판에 콘택홀을 형성하고 상기 반도체기판에 접속되는 도전층을 일정두께 형성한 다음, 상기 도전층 상부에 도핑되지 않은 반구형 다결정실리콘을 형성하고 상기 반구형 다결정실리콘을 마스크로하여 상기 도전층을 식각하여 언더컷을 형성한 다음, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 도전층과 반구형 다결정실리콘을 식각함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고, 후공정에서 상기 저장전극의 표면에 유전체막과 플레이트전극을 순차적으로 형성함으로써 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성하여 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 그에 따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (3)
- 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 캐패시터 콘택마스크를 식각공정으로 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 예정된 부분에 접속되는 도전층을 일정두께 형성하는 공정과, 상기 도전층 상부에 도핑되지 않은 반구형 다결정실리콘을 형성하는 공정과, 상기 도전층을 일정두께 식각하여 언더컷을 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 도전층과 도핑되지 않은 반구형 다결정실리콘을 식각함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층은 포스핀이 도핑된 다결정실리콘막인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층 식각공정은 오존가스와 무수 HF 가스가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950018868A KR100190188B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950018868A KR100190188B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003988A true KR970003988A (ko) | 1997-01-29 |
| KR100190188B1 KR100190188B1 (ko) | 1999-06-01 |
Family
ID=19419292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950018868A KR100190188B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100190188B1 (ko) |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950018868A patent/KR100190188B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100190188B1 (ko) | 1999-06-01 |
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