KR930014793A - 반도체 장치의 금속공정 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도 내지 제 5 도는 본 발명에 따른 금속배선 공정을 나타낸 공정 순서도이다.
Claims (3)
- 금속 배선막의 폭(w)의 1/2보다 작은 두께로 하부 막질상에 절연층을 형성하는 단계 ; 금속 배선막이 형성되는 부위대로 상기 절연층을 패터닝하는 단계 ; 전면에 금속층을 형성하고 상기 패턴 형성된 절연막이 드러나도록 금속층을 패터닝하여 금속 배선막을 형성시키는 단계 ; 전면에 제 2 의 절연체를 도포하는 단계로 이루어져 보이드가 없고 평탄화된 절연막질을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선 공정.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 의 절연체는 PSP 또는 BPSG 또는 SiO2막으로 형성됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선 공정.
- 제 1 항에 있어서, 전면에 형성되는 금속층은 두께에 있어, 제 1 금속층의 두께보다 금속 배선막층간의 최소 이격거리의 반두께만큼 높게 설정되어 형성됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선 공정.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019910023383A KR940011737B1 (ko) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 반도체 장치의 금속공정 |
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| KR930014793A true KR930014793A (ko) | 1993-07-23 |
| KR940011737B1 KR940011737B1 (ko) | 1994-12-23 |
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ID=19325153
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1991
- 1991-12-18 KR KR1019910023383A patent/KR940011737B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR940011737B1 (ko) | 1994-12-23 |
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