KR970052340A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 베리어 금속층, 알루미늄층 및 난반사막으로 구성되는 금속배선 형성방법에서 난반사막을 TiOXNY막 또는 Ti/TiOXNY막으로 형성하므로, 낮고 균일한 반사율로 인하여 포토마스크 작업시 스컴 및 노치현상을 방지하여 양호한 현상의 금속배선을 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.
Claims (7)
- 층간 절연막이 형성된 실리콘 기판이 제공되고, 상기 층간 절연막상에 베리어 금속층, 알루미늄층 및 난반사막으로 구성되는 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, 상기 난반사막을 Ti를 타겟으로 하고, N2와 O2가스를 반응가스로 한 스퍼터링 증착방식으로 TiOXNY막을 상기 알루미늄층상에 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 TiOXNY막은 200 내지 500Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 N2가스와 O2가스의 반응비율은 2:1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 층간 절연막이 형성된 실리콘 기판이 제공되고, 상기 층간 절연막상에 베리어 금속층, 알루미늄층 및 난반사막으로 구성되는 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, 상기 난반사막을 Ti를 타겟으로 한 스퍼터링 증착 방식으로 Ti막을 알루미늄층상에 형성한 후, N2와 O2가스를 반응가스로 하여 상기 Ti막상에 TiOXNY막을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 Ti막은 200 내지 300Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 TiOXNY막은 300 내지 500Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 N2가스와 O2가스의 반응비율은 2:1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950055140A KR970052340A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950055140A KR970052340A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970052340A true KR970052340A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66617608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950055140A KR970052340A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970052340A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010058541A (ko) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 박종섭 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
-
1995
- 1995-12-23 KR KR1019950055140A patent/KR970052340A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20010058541A (ko) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 박종섭 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
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