KR970052340A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDF

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KR970052340A
KR970052340A KR1019950055140A KR19950055140A KR970052340A KR 970052340 A KR970052340 A KR 970052340A KR 1019950055140 A KR1019950055140 A KR 1019950055140A KR 19950055140 A KR19950055140 A KR 19950055140A KR 970052340 A KR970052340 A KR 970052340A
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KR1019950055140A
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문영화
홍흥기
구영모
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 베리어 금속층, 알루미늄층 및 난반사막으로 구성되는 금속배선 형성방법에서 난반사막을 TiOXNY막 또는 Ti/TiOXNY막으로 형성하므로, 낮고 균일한 반사율로 인하여 포토마스크 작업시 스컴 및 노치현상을 방지하여 양호한 현상의 금속배선을 형성할 수 있다.

Description

반도체 소자의 금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.

Claims (7)

  1. 층간 절연막이 형성된 실리콘 기판이 제공되고, 상기 층간 절연막상에 베리어 금속층, 알루미늄층 및 난반사막으로 구성되는 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, 상기 난반사막을 Ti를 타겟으로 하고, N2와 O2가스를 반응가스로 한 스퍼터링 증착방식으로 TiOXNY막을 상기 알루미늄층상에 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 TiOXNY막은 200 내지 500Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 N2가스와 O2가스의 반응비율은 2:1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  4. 층간 절연막이 형성된 실리콘 기판이 제공되고, 상기 층간 절연막상에 베리어 금속층, 알루미늄층 및 난반사막으로 구성되는 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, 상기 난반사막을 Ti를 타겟으로 한 스퍼터링 증착 방식으로 Ti막을 알루미늄층상에 형성한 후, N2와 O2가스를 반응가스로 하여 상기 Ti막상에 TiOXNY막을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 Ti막은 200 내지 300Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 TiOXNY막은 300 내지 500Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 N2가스와 O2가스의 반응비율은 2:1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950055140A 1995-12-23 1995-12-23 반도체 소자의 금속배선 형성방법 KR970052340A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010058541A (ko) * 1999-12-30 2001-07-06 박종섭 반도체 소자의 금속배선 형성방법

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KR20010058541A (ko) * 1999-12-30 2001-07-06 박종섭 반도체 소자의 금속배선 형성방법

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