KR970052307A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 금속배선의 난반사막으로 TiN막을 형서하기 전에 대기중 또는 O2플라즈마 방식으로 산화막을 얇게 형성하므로써, 금속배선을 형성하기 위한 포토마스크 작업시 발생되는 스컴(scum) 및 노치(notch) 현상을 방지할 수 있고, EM(Electron Migratio)특성을 개선할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 및 제2B도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 설명하기위한 도시한 소자의 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 층간 절연막이 형성된 실리콘 기판이 제공되고, 상기 층간 절연막상에 베리어 금속층 및 알루미늄층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 알루미늄층상에 산화막을 얇게 형성하는 단계; 및 상기 얇은 산화막상에 난반사막으로 TiN막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 대기중에서 20 내지 50Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 O2플라즈마 방식으로 20 내지 50Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950052534A KR970052307A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950052534A KR970052307A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052307A true KR970052307A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66646499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950052534A KR970052307A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052307A (ko) |
-
1995
- 1995-12-20 KR KR1019950052534A patent/KR970052307A/ko not_active Application Discontinuation
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