KR970052307A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970052307A KR970052307A KR1019950052534A KR19950052534A KR970052307A KR 970052307 A KR970052307 A KR 970052307A KR 1019950052534 A KR1019950052534 A KR 1019950052534A KR 19950052534 A KR19950052534 A KR 19950052534A KR 970052307 A KR970052307 A KR 970052307A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- film
- semiconductor device
- metal wiring
- formation method
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 금속배선의 난반사막으로 TiN막을 형서하기 전에 대기중 또는 O2플라즈마 방식으로 산화막을 얇게 형성하므로써, 금속배선을 형성하기 위한 포토마스크 작업시 발생되는 스컴(scum) 및 노치(notch) 현상을 방지할 수 있고, EM(Electron Migratio)특성을 개선할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 및 제2B도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 설명하기위한 도시한 소자의 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 층간 절연막이 형성된 실리콘 기판이 제공되고, 상기 층간 절연막상에 베리어 금속층 및 알루미늄층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 알루미늄층상에 산화막을 얇게 형성하는 단계; 및 상기 얇은 산화막상에 난반사막으로 TiN막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 대기중에서 20 내지 50Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 O2플라즈마 방식으로 20 내지 50Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950052534A KR970052307A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950052534A KR970052307A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970052307A true KR970052307A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66646499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950052534A KR970052307A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970052307A (ko) |
-
1995
- 1995-12-20 KR KR1019950052534A patent/KR970052307A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR890007386A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR920005312A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR940015562A (ko) | 액정표시소자 제조방법 | |
KR950021526A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조방법 | |
KR970052307A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
KR970018658A (ko) | 확산방지층을 함유하는 게이트 구조 및 그 제조방법 | |
KR970052340A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
KR980005512A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
KR970053523A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
KR970053579A (ko) | 반도체 소자의 다층 금속 배선 방법 | |
KR960035969A (ko) | 금속 배선층 형성 방법 | |
KR970003475A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 방법 | |
KR970003485A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
KR950019931A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
KR970052186A (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
KR930005179A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
KR970052257A (ko) | 금속 콘택 방법 | |
KR970052259A (ko) | 금속 콘택 방법 | |
KR970052885A (ko) | 반도체 소자의 보호막 형성 방법 | |
KR960002681A (ko) | 다층 금속배선 형성방법 | |
KR960030326A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
KR970052929A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
KR960032601A (ko) | 폴리사이드와 폴리사이드간의 접촉방법 | |
KR980005599A (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
KR970052785A (ko) | 반도체 소자 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |